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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符L型号页 > 首字符L的型号第653页 > LH28F800BJB-PBTL90
日期
三月26, 2001
8M ( X8 / X16 )快闪记忆体
LH28F800BJB-PBTL90
LHF80J25
qHandle
本文精心为它包含的材料受国际版权法保护。
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该公司的许可。
q当
利用本文所涵盖的产品,请遵守此写入和条件
注意事项以下段落所述。在任何情况下,本公司对任何法律责任
从失败造成的损失要严格遵守这些条件和注意事项。
( 1 )所涉及的产品中,设计和制造用于下列应用
区。当使用本文中所涵盖的第( 2 )所列设备的产品,
甚至对于以下应用领域,一定要遵守的注意事项,
第( 2 ) 。不要使用产品的第( 3 )所列设备。
·办公室
电子
仪表
和测量设备
工具
视听
设备
主页
器具
通讯
设备比干线等
(2)利用覆盖这里为以下设备的产品的那些考虑这
要求高可靠性,应首先联系销售代表的公司,然后
接受责任纳入到设计故障安全操作,冗余和
其他适当的措施,以确保在设备和的可靠性和安全性
整个系统。
控制
和用于飞机,火车,汽车和其他安全装置
交通运输设备
主机
电脑
·交通
控制系统
·气体
泄漏探测器和自动切断装置
救援
和安全设备
其他
安全设备和安全设备等。
( 3 )不要使用本文中所涵盖的产品用于以下设备它要求
极高的性能的功能性,可靠性,或准确性方面。
航空
设备
通信
设备干线
控制
设备为核电行业
·医疗
设备相关的生活配套等
( 4 )请直接与有关上述三种解释所有的疑问和意见
段落销售代表的公司。
qPlease
所有直接有关本文中涉及到销售代表的产品查询
公司。
修订版1.27
LHF80J25
1
目录
页面
1引言................................................ .............. 3
1.1特性................................................ ........................ 3
1.2产品概述............................................... .......... 3
1.3产品说明............................................... 4 .......
1.3.1封装引脚............................................. .......... 4
1.3.2块组织............................................. 4 ....
2个运行原理........................................ 7
2.1数据保护............................................... .............. 8
3总线操作............................................... ............. 8
3.1阅读................................................ .............................. 8
3.2输出禁止............................................... ............... 8
3.3待机................................................ ......................... 8
3.4复位................................................ ............................. 8
3.5读取识别码.............................................. ..... 9
3.6 OTP(一次性编程)座.................................. 9
3.7写................................................ ........................... 10
4命令定义........................................... 10
4.1读阵列命令.............................................. .. 12
4.2读取识别码命令............................... 12
4.3读状态寄存器命令................................. 12
4.4清除状态寄存器命令................................. 12
4.5块擦除命令.............................................. 13
4.6整片擦除命令......................................... 13
4.7字/字节写命令....................................... 13
4.8块擦除挂起命令................................ 14
4.9字/字节写入暂停命令........................ 14
4.10设置Block和永久船闸位命令....... 15
4.11清除块锁定位命令............................ 15
4.12 OTP程序命令.......................................... 16
4.13块锁定在WP # ...................................... 16
页面
5设计考虑....................................... 27
5.1三线输出控制........................................ 27
5.2 RY / BY #和WSM投票....................................... 27
5.3电源去耦......................................... 27
5.4 V
CCW
跟踪印刷电路板..................... 27
5.5 V
CC
, V
CCW
, RP #转换.................................... 27
5.6电/断电保护....................................... 28
5.7功耗............................................... ....... 28
5.8数据保护法............................................. 28
6电气特性................................ 29
6.1绝对最大额定值...................................... 29
6.2工作条件............................................... .. 29
6.2.1电容.............................................. ............ 29
6.2.2 AC输入/输出测试条件........................ 30
6.2.3直流特性............................................. .. 31
6.2.4交流特性 - 只读操作........ 33
6.2.5交流特性 - 写操作................ 36
6.2.6替代CE# -Controlled写...................... 38
6.2.7复位操作............................................. ..... 40
6.2.8块擦除,整片擦除,字/字节写和
锁定位配置性能................. 41
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LH28F800BJB-PBTL90
8M - BIT (达512Kbit × 16 /为1Mbit × 8 )
BOOT BLOCK FLASH MEMORY
s
低电压操作
V
CC
=V
CCW
= 2.7V - 3.6V单电压
s
增强的自动暂停选项
字/字节写入暂停阅读
块擦除挂起到Word /字节写
块擦除挂起阅读
s
OTP(一次性编程)座
3963字+ 4 Word程序只阵列
s
用户可配置的× 8或× 16运行
s
高性能读取时间
90ns(V
CC
=2.7V-3.6V)
s
增强的数据保护功能
s
工作温度
0 ° C至+ 70°C
绝对保护与V
CCW
≤V
CCWLK
块擦除,整片擦除,字/字节写和
锁定位配置锁定在电源
TRANSITIONS
块锁定与指挥WP #
永久锁固
s
低功耗管理
典型值。 2μA (V
CC
= 3.0V )待机电流
自动节能模式减小我
CCR
in
静态模式
典型值。 120μA (V
CC
= 3.0V ,T
A
= + 25 ° C,F = 32kHz时)
读电流
s
自动块擦除,整片擦除,
字/字节写和锁定位配置
命令用户界面(CUI )
状态寄存器( SR )
s
SRAM兼容写接口
s
芯片尺寸封装
48球CSP
s
优化阵列无阻塞架构
两个4K字( 8K字节)引导块
六4K字( 8K字节)参数块
十五32K字( 64K字节)主块
底部启动位置
s
ETOX
TM *
非易失性闪存技术
s
的CMOS工艺( P型硅衬底)
s
没有设计或评为抗辐射
s
扩展循环能力
最低100000块擦除周期
该产品是一种高密度,低成本,非易失性读/写存储为一个宽范围的应用的解决方案。
该产品可以在V操作
CC
= 2.7V - 3.6V和V
CCW
= 2.7V - 3.6V或11.7V - 12.3V 。它的低电压工作能力
实现了电池寿命和西服的手机应用程序。
其引导,参数和主封结构,低电压和延长循环提供高度柔性的组成部分
适合于便携式终端和个人计算机。其增强的暂停功能,提供了代码的理想解决方案
+数据存储应用。
为安全的代码存储应用,如网络,其中代码被直接执行的总分闪光或下载到
DRAM ,该产品提供了四个级别的保护:采用V绝对保障
CCW
≤V
CCWLK
,选择硬件模块
锁定或灵活的软件模块锁定。这些替代方案为设计人员提供其代码的安全性需求的最终控制权。
该产品是夏普的0.25微米制造ETOX
TM *
工艺技术。它进来芯片尺寸封装: 48球
CSP ,非常适合电路板受限的应用。
* ETOX是Intel Corporation的注册商标。
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1引言
该数据表包含了产品规格。部分
图1提供了闪速存储器的概述。部分2 ,3,4和
5描述了记忆的组织和功能。
第6节涵盖了电气规格。
1.1特性
该产品的主要改进包括:
*单
低电压操作
ULOW
耗电量
增强
暂停功能
引导
座建筑
请注意以下事项:
V
CCWLK
已降至1.0V ,支持2.7V
3.6V块擦除,整片擦除,字/字节写和
锁位的配置操作。在V
CCW
电压
转换到GND推荐的设计,
开关管V
CCW
关闭读取操作期间。
块擦除操作擦除设备的32K-之一
字/ 64K字节内1.2秒( 3V V典型块
CC
, 3V
V
CCW
) ,在0.6秒通常4K字/ 8K字节的块( 3V
V
CC
, 3V V
CCW
)独立于其他块。每块
可独立擦除的最小100,000次。
块擦除挂起模式允许系统软件
暂停块擦除从任何其它读取或写入数据
块。
写入内存中的数据是字/字节进行
该设备的32K字块通常为增量
33μs内( 3V V
CC
, 3V V
CCW
) , 64K字节的块
一般在31μs ( 3V V
CC
, 3V V
CCW
) , 4K字
一般在36μs块( 3V V
CC
, 3V V
CCW
), 8K-
一般在32μs字节块( 3V V
CC
, 3V V
CCW
).
字/字节写操作挂起模式使系统能够读取
数据或任何其他闪存阵列执行代码
位置。
个别块锁定使用位的组合,第三十
9块锁位,永久锁定位和WP #引脚,
锁定和解锁块。块锁定位闸块擦除,
整片擦除和字/字节写操作,而
永久锁定位的门阻断锁定位的修改和
锁块交替。锁定位配置
操作(设置块锁定位,设置永久船闸位
和清除块锁定位命令)设置和清除
锁位。
状态寄存器指示时, WSM的块擦除,
整片擦除,字/字节写入或锁定位配置
操作完成。
该RY / BY #输出给WSM的附加指标
通过同时提供硬件的状态信号活动
(相对于软件轮询)和状态屏蔽(中断
为背景的块擦除掩码,例如) 。状态
用RY / BY #投票既减少了CPU开销和
系统的功耗。当低, RY / BY #指示
该WSM正在执行块擦除,整片擦除,
字/字节写入或锁定位配置。 RY / BY # - 高
表明WSM是准备一个新的命令,
块擦除暂停(和字/字节写操作
不活动) ,字/字节的写入被中止,或在设备处于
复位模式。
1.2产品概述
该产品是一种高性能的8M位引导块
快闪记忆体组织为16位或1M- 512K字
的8位字节。在512K字/ 1M字节数据的配置
两个4K字/ 8K字节的引导块,六4K字/ 8K-
字节参数块和15 32K字/ 64K字节
这是单独擦除,可锁定的主要街区,
在解锁系统。存储器映射中示出
网络连接gure 3 。
专用V
CCW
销给了完整的数据保护
当V
CCW
≤V
CCWLK
.
A命令的用户界面( CUI)作为界面
系统处理器和内部操作之间
装置。写到崔有效的命令序列
启动设备的自动化。内部写状态
机( WSM )自动执行的算法
和必要的块擦除,整片擦除时序,
字/字节写和锁定位的配置操作。
修订版1.27
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