【PRODUCTSPECIFICATIONS集成电路集团LH28F800BGHB-TTL90FL灰内存】,IC型号LH28F800BGHB-TTL90,LH28F800BGHB-TTL90 PDF资料,LH28F800BGHB-TTL90经销商,ic,电子元器件-51电子网

RODUCT

PECIFICATIONS

集成电路集团

LH28F800BGHB-TTL90

FL灰内存

8M （ 512K × 16 ）

（型号： LHF80BZA ）

规范编号： EL10Z134B

发行日期： 2001年9月19日

SHARP

LHF80BZA

●手柄

本文精心为它包含的材料受国际版权法保护。

禁止任何复制，全本材料的或部分未经明确的书面

该公司的许可。

当

利用本文所涵盖的产品，请遵守此写入和条件

注意事项以下段落所述。在任何情况下，本公司对任何法律责任

从失败造成的损失要严格遵守这些条件和注意事项。

（ 1 ）所涉及的产品中，设计和制造用于下列应用

区。当使用本文中所涵盖的第（ 2 ）所列设备的产品，

甚至对于以下应用领域，一定要遵守的注意事项，

第（ 2 ）。不要使用产品的第（ 3 ）所列设备。

·办公室

电子

仪表

和测量设备

机

工具

视听

设备

主页

器具

通讯

设备比干线等

（2）利用覆盖这里为以下设备的产品的那些考虑这

要求高可靠性，应首先联系销售代表的公司，然后

接受责任纳入到设计故障安全操作，冗余和

其他适当的措施，以确保在设备和的可靠性和安全性

整个系统。

控制

和用于飞机，火车，汽车和其他安全装置

交通运输设备

主机

电脑

·交通

控制系统

·气体

泄漏探测器和自动切断装置

救援

和安全设备

其他

安全设备和安全设备等。

（ 3 ）不要使用本文中所涵盖的产品用于以下设备它要求

极高的性能的功能性，可靠性，或准确性方面。

航空

设备

通信

设备干线

控制

设备为核电行业

·医疗

设备相关的生活配套等

（ 4 ）请直接与有关上述三种解释所有的疑问和意见

段落销售代表的公司。

●请

所有直接有关本文中涉及到销售代表的产品查询

公司。

修订版1.1

SHARP

LHF80BZA

页面

1引言................................................ .............. 3

1.1特性................................................ ........................ 3

1.2产品概述............................................... .......... 3

2个运行原理........................................ 6

2.1数据保护............................................... .............. 7

3总线操作............................................... ............. 7

3.1阅读................................................ .............................. 7

3.2输出禁止............................................... ............... 7

3.3待机................................................ ......................... 7

3.4深度掉电............................................. .......... 7

3.5读取识别码操作.................................. 8

3.6写................................................ ............................. 8

4命令定义............................................. 8

4.1读阵列命令.............................................. .. 11

4.2读取识别码命令............................... 11

4.3读状态寄存器命令................................. 11

4.4清除状态寄存器命令................................. 11

4.5块擦除命令.............................................. 11

4.6字写命令.............................................. 12

4.7块擦除挂起命令................................ 12

4.8字写暂停命令................................. 13

4.9注意事项的挂起......................................... 13

4.10块锁定............................................... ........... 13

4.10.1 V

为完整的保护...................... 13

4.10.2 WP ＃ = V

对于块锁定.............................. 13

4.10.3 WP ＃ = V

座解锁.......................... 13

页面

5设计考虑...................................... 19

5.1三线输出控制....................................... 19

5.2电源去耦........................................ 19

5.3 V

跟踪印刷电路板........................ 19

5.4 V

, V

， RP ＃转换....................................... 19

5.5电/断电保护...................................... 20

5.6功耗............................................... ...... 20

6电气规范............................... 21

6.1绝对最大额定值..................................... 21

6.2工作条件............................................... 21

6.2.1电容.............................................. ........... 21

6.2.2 AC输入/输出测试条件....................... 22

6.2.3直流特性............................................. 23

6.2.4交流特性 - 只读操作....... 25

6.2.5交流特性 - 写操作............... 27

6.2.6替代CE＃ -Controlled写..................... 29

6.2.7复位操作............................................. .... 31

6.2.8块擦除和字写性能......... 32

7包装和包装规格......... 33

修订版1.1

SHARP

LHF80BZA

LH28F800BGHB-TTL90

8M - BIT （达512Kbit × 16 ）

Smart3快闪记忆体

■

Smart3技术

2.7V-3.6V V

2.7V - 3.6V或11.4V - 12.6V V

■

16位I / O接口

■

高性能访问时间

90ns(2.7V-3.6V)

■

工作温度

-40 ° C至+ 85°C

■

优化阵列无阻塞架构

两个4K字引导块

六4K字的参数块

十五个32K字块主

顶级位置启动

■

扩展循环能力

100000块擦除周期

■

增强的自动暂停选项

字写暂停阅读

块擦除挂起到字写

块擦除挂起阅读

■

增强的数据保护功能

绝对保护与V

= GND

块擦除和字写锁定

电源转换期间

引导街区保护与WP ＃ = V

■

自动字写和块擦除

命令的用户界面

状态寄存器

■

低功耗管理

深度掉电模式

自动节能模式减小

在静态模式

■

SRAM兼容写接口

■

芯片尺寸封装

0.75毫米间距48球CSP

■

ETOX

TM *

非易失性闪存技术

■

的CMOS工艺（ P型硅衬底）

■

没有设计或评为抗辐射

SHARP的LH28F800BGHB - TTL90闪存与Smart3技术是一种高密度，低成本，非易失性，读/写

对于一个宽范围的应用的存储解决方案。 LH28F800BGHB - TTL90可以在V操作

= 2.7V - 3.6V和

= 2.7V - 3.6V 。它的低电压工作能力，实现了电池寿命和西服的手机应用程序。

它的启动，参数及主要封闭的架构，灵活的电压和延长循环提供了高度灵活的

部件适合于便携式终端和个人计算机。其增强的暂停功能，提供了一个理想的

解码+数据存储应用。为安全的代码存储应用，如网络，其中的代码是任

直接执行出闪光或下载到DRAM中， LH28F800BGHB - TTL90提供两级保护：绝对的

保护与V

在GND ，选择硬件引导块锁定。这些替代方案为设计人员提供的最终控制自己

电码防伪的需要。

该LH28F800BGHB - TTL90是夏普的0.35微米制造ETOX

TM *

工艺技术。它进来芯片尺寸

包： 0.75mm的间距48球CSP适用于主板受限的应用。

* ETOX是Intel Corporation的注册商标。

修订版1.1

SHARP

1引言

LHF80BZA

该数据表包含LH28F800BGHB - TTL90

规格。部1提供的闪速存储器

概述。部分2 ，3，4和5描述了存储器

组织和功能。第6节涵盖了电气

特定连接的阳离子。

A命令的用户界面（ CUI）作为界面

系统处理器和内部操作之间

装置。写到崔有效的命令序列

启动设备的自动化。内部写状态

机（ WSM ）自动执行的算法

和必要的块擦除和字写时序

操作。

块擦除操作擦除设备的32K-之一

在0.51s （ 2.7V - 3.6V V字通常块

11.4V-12.6V V

）， 4K字块通常在0.31s

(2.7V-3.6V V

, 11.4V-12.6V V

其他的）独立

块。每个块可独立擦除100000

次。块擦除挂起模式允许系统软件

暂停块擦除从任何其它读取或写入数据

块。

写入存储器的数据以字为单位执行

通常在12.6μs设备的32K字块

(2.7V-3.6V V

, 11.4V-12.6V V

）， 4K字块

通常在24.5μs （ 2.7V - 3.6V V

, 11.4V-12.6V

）。字写操作挂起模式使系统能

读取数据或从任何其它闪存执行代码

排列位置。

引导块可以被锁定为WP ＃引脚。块

擦除或字写为引导块不能进行

通过WP ＃为低和RP ＃到V

状态寄存器指示时， WSM的块擦除

或字的写操作完成。

访问时间为90ns是（T

AVQV

）在扩展

温度范围（-40 ° C至+ 85° C）和V

供应

电压范围为2.7V - 3.6V的。

自动省电（ APS ）功能显着

降低时，该设备是在静态模式下工作电流

（地址不切换）。在APS模式，典型的我

CCR

电流为3mA ，在2.7V V

当CE ＃和RP ＃引脚在V

中，我

CMOS

待机模式下被启用。当RP ＃引脚为GND ，

深度掉电模式使能最大限度地减少

功耗和过程中提供写保护

复位。复位时间（t

PHQV

）从RP ＃切换所需

高到输出有效。同样地，该装置具有一个

唤醒时间（t

PHEL

）从RP ＃ - 高，直到写入CUI

被认可。随着RP ＃在GND时， WSM被复位，

状态寄存器清零。

该器件可在0.75毫米间距48球CSP

（芯片尺寸封装）。引脚分布示于图2 。

1.1特性

LH28F800BGHB - TTL90 Smart3的主要增强功能

快闪记忆体是：

Smart3

技术

增强

暂停功能

引导

座建筑

请注意以下重要区别：

PPLK

已降至1.5V至2.7V支持- 3.6V

块擦除和字写操作。在V

电压转换为GND推荐

该开关V的设计

关闭读取操作期间。

要

利用Smart3技术，让V

和V

连接到2.7V - 3.6V 。

1.2产品概述

该LH28F800BGHB - TTL90是一个高性能的8M-

位Smart3的Flash存储器， 16为512K字

位。数据的512K字被安排在两个4K字

引导块，六4K字的参数块和15

32K字而被单独擦除IN-主要模块

系统。存储器映射是如图3所示。

Smart3技术提供V的选择

和V

组合，如表1所示，满足系统

性能和功耗的期望。 V

在2.7V - 3.6V

省去了一个单独的12V转换器，而

= 12V最大化块擦除和写入字

性能。除了灵活的擦除和编程

电压，专用V

引脚给出完整的内容

保护时， V

≤V

PPLK

表1. V

和V

电压组合由参团

Smart3技术

电压

2.7V-3.6V

2.7V-3.6V, 11.4V-12.6V

内部V

和V

检测电路自动

配置该设备优化的读取和写入

操作。

修订版1.1