LH28F800BG -L / BGH -L （ FOR TSOP ， CSP ）
LH28F800BG-L/BGH-L
（ FOR TSOP ， CSP ）
描述
与LH28F800BG -L / BGH -L快闪记忆体
SmartVoltage技术是高密度，低成本，
非易失性的，阅读广泛/写存储解决方案
的应用范围。该LH28F800BG -L / BGH -L
可以在V操作
CC
= 2.7 V和V
PP
= 2.7 V.他们
低电压工作能力，实现更长
电池寿命和西服的手机应用程序。
他们的引导，参数和主封锁
架构，灵活的电压和增强循环
能力提供了高度灵活的组件
适合于便携式终端和个人
计算机。其增强的暂停功能
提供一种用于代码+数据存储的理想解决方案
应用程序。对于安全代码存储应用，
如网络，其中的代码是直接
执行出闪光或下载到DRAM中，该
LH28F800BG -L / BGH -L提供两种级别的保护
：与V绝对保护
PP
在GND ，选择性
硬件引导块锁定。这些替代方案
为设计人员提供自己的代码安全性的最终控制权
需要。
8 M位（ 512 KB ×16 ） SmartVoltage
闪存
特点
SmartVoltage技术
- 2.7 V ， 3.3 V或5 V V
CC
- 2.7 V ， 3.3 V ， 5 V或12 V V
PP
高性能读取访问时间
LH28F800BG-L85/BGH-L85
- 85纳秒（ 5.0 ± 0.25 V） / 90纳秒（ 5.0 ± 0.5 V ） /
100纳秒（ 3.3 ± 0.3 V ） / 120纳秒（2.7 3.6 V ）
LH28F800BG-L12/BGH-L12
- 120 ns的（ 5.0 ± 0.5 V ） / 130纳秒（ 3.3 ± 0.3 V ） /
150纳秒（2.7 3.6 V ）
增强的自动暂停选项
- 字写暂停阅读
- 块擦除挂起到字写
- 块擦除挂起阅读
增强的数据保护功能
绝对保护与V
PP
= GND
- 在电源块擦除/写入字锁定
TRANSITIONS
- 与WP ＃引导块保护= V
IL
SRAM兼容的写入接口
优化的阵列架构堵
- 两个4K的字引导块
- 六4 K-字参数块
- 十五32 K-字主要模块
- 顶部或底部启动位置
增强的循环能力
- 100 000块擦除周期
低功耗管理
- 深度掉电模式
- 自动省电模式，降低我
CC
在静态模式
自动字写入和块擦除
- 命令的用户界面
状态寄存器
ETOX
TM
V非易失性闪存技术
包
- 48引脚TSOP I型（ TSOP048 -P - 1220）
正常的弯曲/反弯
- 48球CSP （ FBGA048 -P - 0808 ）
ETOX是Intel Corporation的注册商标。
在没有确认元器件规格说明书中，夏普需要使用目录中的任何夏普元器件的设备可能出现的任何缺陷，数据手册概不负责，
等，在使用任何夏普元器件之前获取最新的元器件规格说明书夏普公司联系。
-1-
LH28F800BG -L / BGH -L （ FOR TSOP ， CSP ）
比较表
版本
LH28F800BG-L
（ FOR TSOP ， CSP ）
LH28F800BGH-L
（ FOR TSOP ， CSP ）
LH28F800BG-L
1
（ FOR SOP ）
操作
温度
0至+ 70°C
-40至+ 85°C
0至+ 70°C
包
48引脚TSOP （ I）
48球CSP
48引脚TSOP （ I）
48球CSP
44引脚SOP
DC特性
写保护功能
V
CC
深掉电电流（MAX 。 ）
为引导块
10 A
20 A
10 A
通过控制
WP ＃和RP ＃引脚
通过控制
WP ＃和RP ＃引脚
由RP ＃引脚控制
1
指的是LH28F800BG -L （ FOR SOP ）的数据表。
引脚连接
48引脚TSOP （ I型）
A
15
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
NC
NC
WE＃
RP ＃
V
PP
WP ＃
RY / BY ＃
A
18
A
17
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
48球CSP
A
16
NC
GND
DQ
15
DQ
7
DQ
14
DQ
6
DQ
13
DQ
5
DQ
12
DQ
4
V
CC
DQ
11
DQ
3
DQ
10
DQ
2
DQ
9
DQ
1
DQ
8
DQ
0
OE ＃
GND
CE＃
A
0
1
A
B
C
D
A
2
A
3
A
1
A
0
2
A
5
A
6
A
4
OE ＃
DQ
8
DQ
0
3
A
17
A
18
A
7
DQ
1
DQ
2
DQ
9
4
WP ＃
V
PP
RY / BY ＃
顶视图
5
WE＃
RP ＃
NC
DQ
12
V
CC
DQ
4
6
A
8
NC
A
9
DQ
6
DQ
5
DQ
13
7
A
11
A
10
A
12
DQ
15
DQ
14
DQ
7
8
A
14
A
13
A
15
A
16
GND
NC
DQ
10
DQ
11
DQ
3
ê GND
F CE＃
(FBGA048-P-0808)
(TSOP048-P-1220)
注意：
反向弯曲可根据要求提供。
-2-
LH28F800BG -L / BGH -L （ FOR TSOP ， CSP ）
块组织
该产品采用了非对称受阻
体系结构提供系统内存的集成。
每个擦除块可以独立的被擦除
其他高达100万次。对于地址
块的位置，请参阅存储器映射中
图。 1 。
引导块：
两个引导块意在
更换专用引导PROM的微
处理器或微控制器为基础的系统。该
4 K字引导块（ 4 096字）功能
硬件控制的写保护保护
意外关键的微处理器启动代码
修改。引导块的保护
用V的组合控制
PP
， RP ＃和
WP ＃引脚。
参数块：
引导块架构
包括参数块，以便于存储的
经常更新的小参数会
通常需要一个EEPROM 。通过使用软件
技术的字节重写功能
EEPROM可效仿。每个引导块
组件包含4 k的六个参数块
字（ 4096字）每个。参数块
是不是写保护的。
主要模块：
该提醒被分成主
块的数据或代码存储。每8 M位
器件包含15 32 K字（ 32 768字）
块。
框图
DQ
0
-DQ
15
产量
卜FF器
输入
卜FF器
产量
多路复用器
识别码
注册
数据
注册
命令
用户
接口
I / O
逻辑
V
CC
状态
注册
CE＃
WE＃
OE ＃
RP ＃
WP ＃
数据
比较
A
0
-A
18
输入
卜FF器
Y
解码器
门控
写
状态
机
主座13
主座14
RY / BY ＃
编程/擦除
高压开关
V
PP
引导块0
引导块1
参数块0
参数块1
参数块2
参数块3
参数块4
参数块5
主座0
主座1
地址
LATCH
X
解码器
15
32 K- WORD
主要模块
V
CC
GND
地址
计数器
-3-
LH28F800BG -L / BGH -L （ FOR TSOP ， CSP ）
引脚说明
符号
A
0
-A
18
TYPE
输入
名称和功能
地址输入：
在读写操作输入的地址。地址
在写周期期间被内部锁存。
数据输入/输出：
输入过程中崔写周期的数据和命令;输出
存储阵列中的数据，状态寄存器和识别码读周期。数据引脚浮
高阻抗的芯片时，取消或输出被禁止。数据
在写周期内锁定。
CHIP ENABLE ：
激活该设备的控制逻辑电路，输入缓冲器，解码器和感
放大器。 CE＃ - 高释放器件降低功耗待机模式
的水平。
RESET /深度掉电：
使器件处于深度掉电模式和复位
内部的自动化。 RP ＃ - 高能够正常运行。当驱动为低电平， RP ＃抑制
RP ＃
输入/
写操作提供哪些在电源转换时的数据保护。从深层退出
掉电将设备设置为读阵列模式。随着RP ＃ = V
HH
，块擦除或单词
写操作可以对所有的块没有WP ＃状态。块擦除或字写在V
IH
＆ LT ;
RP ＃ < V
HH
产生虚假的结果，不应该尝试。
OE ＃
WE＃
WP ＃
输入
输入
输入
OUTPUT ENABLE ：
在一个读周期中栅极的器件的输出。
写使能：
控制写入崔和阵列模块。地址和数据
锁定在WE＃脉冲的上升沿。
写入保护功能：
主控制引导块锁定。当V
IL
，锁定开机
块不能被擦除和编程。
READY / BUSY ：
表示内部WSM的状态。当低，是WSM
执行内部操作（块擦除或字写入）。 RY / BY ＃ - 高说明
RY / BY ＃
产量
在WSM等待新的命令，块擦除挂起，字写的
不活动的，字写暂停或设备处于深度掉电模式。 RY / BY ＃
始终是积极和不浮动时，芯片是取消或数据输出
禁用。
块擦除和写入WORD电源：
擦除阵列块或
写的话。随着V
PP
≤
V
PPLK
，存储器的内容不能被改变。块擦除和
字写一个无效的V
PP
（见
6.2.3节"DC CHARACTERISTICS" ）
生产
虚假的结果，不应该尝试。
器件电源：
内部检测器件配置为2.7 V ， 3.3 V或
5 V工作电压。从一个电压转换到另一个，斜V
CC
下至GND ，然后
斜V
CC
到新的电压。不浮动任何电源引脚。随着V
CC
≤
V
LKO
，所有的写
尝试闪速存储器被抑制。在无效的V器件业务
CC
电压
（见
6.2.3节"DC CHARACTERISTICS" ）
产生虚假的结果和应
不会尝试。
GND
NC
供应
地面：
不要任何浮动接地引脚。
无连接：
铅是不是内部的连接;推荐给被浮动。
DQ
0
-DQ
15
输入/
产量
CE＃
输入
V
PP
供应
V
CC
供应
-4-
LH28F800BG -L / BGH -L （ FOR TSOP ， CSP ）
1引言
该数据表包含LH28F800BG -L / BGH -L
规格。部1提供的闪速存储器
概述。部分2 ，3，4和5描述的
记忆的组织和功能。第6节
涵盖电气规格。 LH28F800BG -L /
BGH -L闪存的文件还包括
这是在引用的订购信息
第7节。
但是， 5 V V
CC
提供最高的读取
性能。 V
PP
在2.7 V ， 3.3 V和5 V
省去了一个单独的12 V变换器，
而V
PP =
12 V最大化块擦除和字
写性能。除了灵活的擦除和
编程电压，专用V
PP
销给
完整的数据保护时， V
PP
≤
V
PPLK
.
表1 V
CC
和V
PP
电压组合
提供的SmartVoltage技术
V
CC
电压
2.7 V
3.3 V
5V
V
PP
电压
2.7 V, 3.3 V, 5 V, 12 V
3.3 V, 5 V, 12 V
5 V, 12 V
1.1
新功能
的LH28F800BG -L / BGH - L键增强
SmartVoltage快闪记忆是：
SmartVoltage技术
增强的挂起功能
引导块架构
请注意以下重要区别：
V
PPLK
已经被降低到1.5伏，以支持
2.7 V ， 3.3 V和5 V块擦除和字
写操作。该开关V的设计
PP
关闭
在读操作期间应确保
在V
PP
电压转换到GND 。
要SmartVoltage技术的优势，
让V
PP
连接到2.7 V ， 3.3 V或5 V.
内部V
CC
和V
PP
检测电路自动
matically配置该设备优化的读
操作和写操作。
A命令的用户界面（ CUI）作为
系统处理器之间的接口
该装置的内部操作。一个有效的命令
顺序写入崔启动装置
自动化。内部写状态机（ WSM ）
自动执行的算法和时序
必要的块擦除和写入字
操作。
块擦除操作会擦除设备中的一个
32 K-字块通常在0.39秒（ 5 V
V
CC
, 12 V V
PP
） ， 4 K-字块通常在
0.25秒（ 5 V V
CC
, 12 V V
PP
的）独立
其他模块。每个块可独立
清除100万次。块擦除挂起模式
允许系统软件暂停块擦除到
读取数据，或将数据写入到任何其他块。
写入存储器的数据字进行
该设备的32K的字块为单位
通常在8.4微秒（ 5 V V
CC
, 12 V V
PP
), 4 k-
字内17微秒（ 5 V V典型块
CC
, 12 V
V
PP
） 。字写操作挂起模式使
1.2
产品概述
该LH28F800BG -L / BGH -L是高性能
8 M位SmartVoltage闪速存储器组织成
16位的512 K-字。数据的512 K-字是
安排在两个4 K-字引导块， 6 4 K-字
参数块和15 32的K-字主要模块
这是单独擦在系统。该
存储器映射图中示出
图。 1 。
SmartVoltage技术提供V的选择
CC
和V
PP
组合，如图
表1
to
满足系统的性能和功耗的期望。
2.7 V V
CC
消耗大约五分之一
5 V V电源
CC
和3.3 V V
CC
消耗
大约四分之一的5 V V电源
CC
.
-5-
LH28F800BG -L / BGH -L （ FOR TSOP ， CSP ）
LH28F800BG-L/BGH-L
（ FOR TSOP ， CSP ）
描述
与LH28F800BG -L / BGH -L快闪记忆体
SmartVoltage技术是高密度，低成本，
非易失性的，阅读广泛/写存储解决方案
的应用范围。该LH28F800BG -L / BGH -L
可以在V操作
CC
= 2.7 V和V
PP
= 2.7 V.他们
低电压工作能力，实现更长
电池寿命和西服的手机应用程序。
他们的引导，参数和主封锁
架构，灵活的电压和增强循环
能力提供了高度灵活的组件
适合于便携式终端和个人
计算机。其增强的暂停功能
提供一种用于代码+数据存储的理想解决方案
应用程序。对于安全代码存储应用，
如网络，其中的代码是直接
执行出闪光或下载到DRAM中，该
LH28F800BG -L / BGH -L提供两种级别的保护
：与V绝对保护
PP
在GND ，选择性
硬件引导块锁定。这些替代方案
为设计人员提供自己的代码安全性的最终控制权
需要。
8 M位（ 512 KB ×16 ） SmartVoltage
闪存
特点
SmartVoltage技术
- 2.7 V ， 3.3 V或5 V V
CC
- 2.7 V ， 3.3 V ， 5 V或12 V V
PP
高性能读取访问时间
LH28F800BG-L85/BGH-L85
- 85纳秒（ 5.0 ± 0.25 V） / 90纳秒（ 5.0 ± 0.5 V ） /
100纳秒（ 3.3 ± 0.3 V ） / 120纳秒（2.7 3.6 V ）
LH28F800BG-L12/BGH-L12
- 120 ns的（ 5.0 ± 0.5 V ） / 130纳秒（ 3.3 ± 0.3 V ） /
150纳秒（2.7 3.6 V ）
增强的自动暂停选项
- 字写暂停阅读
- 块擦除挂起到字写
- 块擦除挂起阅读
增强的数据保护功能
绝对保护与V
PP
= GND
- 在电源块擦除/写入字锁定
TRANSITIONS
- 与WP ＃引导块保护= V
IL
SRAM兼容的写入接口
优化的阵列架构堵
- 两个4K的字引导块
- 六4 K-字参数块
- 十五32 K-字主要模块
- 顶部或底部启动位置
增强的循环能力
- 100 000块擦除周期
低功耗管理
- 深度掉电模式
- 自动省电模式，降低我
CC
在静态模式
自动字写入和块擦除
- 命令的用户界面
状态寄存器
ETOX
TM
V非易失性闪存技术
包
- 48引脚TSOP I型（ TSOP048 -P - 1220）
正常的弯曲/反弯
- 48球CSP （ FBGA048 -P - 0808 ）
ETOX是Intel Corporation的注册商标。
在没有确认元器件规格说明书中，夏普需要使用目录中的任何夏普元器件的设备可能出现的任何缺陷，数据手册概不负责，
等，在使用任何夏普元器件之前获取最新的元器件规格说明书夏普公司联系。
-1-
LH28F800BG -L / BGH -L （ FOR TSOP ， CSP ）
比较表
版本
LH28F800BG-L
（ FOR TSOP ， CSP ）
LH28F800BGH-L
（ FOR TSOP ， CSP ）
LH28F800BG-L
1
（ FOR SOP ）
操作
温度
0至+ 70°C
-40至+ 85°C
0至+ 70°C
包
48引脚TSOP （ I）
48球CSP
48引脚TSOP （ I）
48球CSP
44引脚SOP
DC特性
写保护功能
V
CC
深掉电电流（MAX 。 ）
为引导块
10 A
20 A
10 A
通过控制
WP ＃和RP ＃引脚
通过控制
WP ＃和RP ＃引脚
由RP ＃引脚控制
1
指的是LH28F800BG -L （ FOR SOP ）的数据表。
引脚连接
48引脚TSOP （ I型）
A
15
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
NC
NC
WE＃
RP ＃
V
PP
WP ＃
RY / BY ＃
A
18
A
17
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
48球CSP
A
16
NC
GND
DQ
15
DQ
7
DQ
14
DQ
6
DQ
13
DQ
5
DQ
12
DQ
4
V
CC
DQ
11
DQ
3
DQ
10
DQ
2
DQ
9
DQ
1
DQ
8
DQ
0
OE ＃
GND
CE＃
A
0
1
A
B
C
D
A
2
A
3
A
1
A
0
2
A
5
A
6
A
4
OE ＃
DQ
8
DQ
0
3
A
17
A
18
A
7
DQ
1
DQ
2
DQ
9
4
WP ＃
V
PP
RY / BY ＃
顶视图
5
WE＃
RP ＃
NC
DQ
12
V
CC
DQ
4
6
A
8
NC
A
9
DQ
6
DQ
5
DQ
13
7
A
11
A
10
A
12
DQ
15
DQ
14
DQ
7
8
A
14
A
13
A
15
A
16
GND
NC
DQ
10
DQ
11
DQ
3
ê GND
F CE＃
(FBGA048-P-0808)
(TSOP048-P-1220)
注意：
反向弯曲可根据要求提供。
-2-
LH28F800BG -L / BGH -L （ FOR TSOP ， CSP ）
块组织
该产品采用了非对称受阻
体系结构提供系统内存的集成。
每个擦除块可以独立的被擦除
其他高达100万次。对于地址
块的位置，请参阅存储器映射中
图。 1 。
引导块：
两个引导块意在
更换专用引导PROM的微
处理器或微控制器为基础的系统。该
4 K字引导块（ 4 096字）功能
硬件控制的写保护保护
意外关键的微处理器启动代码
修改。引导块的保护
用V的组合控制
PP
， RP ＃和
WP ＃引脚。
参数块：
引导块架构
包括参数块，以便于存储的
经常更新的小参数会
通常需要一个EEPROM 。通过使用软件
技术的字节重写功能
EEPROM可效仿。每个引导块
组件包含4 k的六个参数块
字（ 4096字）每个。参数块
是不是写保护的。
主要模块：
该提醒被分成主
块的数据或代码存储。每8 M位
器件包含15 32 K字（ 32 768字）
块。
框图
DQ
0
-DQ
15
产量
卜FF器
输入
卜FF器
产量
多路复用器
识别码
注册
数据
注册
命令
用户
接口
I / O
逻辑
V
CC
状态
注册
CE＃
WE＃
OE ＃
RP ＃
WP ＃
数据
比较
A
0
-A
18
输入
卜FF器
Y
解码器
门控
写
状态
机
主座13
主座14
RY / BY ＃
编程/擦除
高压开关
V
PP
引导块0
引导块1
参数块0
参数块1
参数块2
参数块3
参数块4
参数块5
主座0
主座1
地址
LATCH
X
解码器
15
32 K- WORD
主要模块
V
CC
GND
地址
计数器
-3-
LH28F800BG -L / BGH -L （ FOR TSOP ， CSP ）
引脚说明
符号
A
0
-A
18
TYPE
输入
名称和功能
地址输入：
在读写操作输入的地址。地址
在写周期期间被内部锁存。
数据输入/输出：
输入过程中崔写周期的数据和命令;输出
存储阵列中的数据，状态寄存器和识别码读周期。数据引脚浮
高阻抗的芯片时，取消或输出被禁止。数据
在写周期内锁定。
CHIP ENABLE ：
激活该设备的控制逻辑电路，输入缓冲器，解码器和感
放大器。 CE＃ - 高释放器件降低功耗待机模式
的水平。
RESET /深度掉电：
使器件处于深度掉电模式和复位
内部的自动化。 RP ＃ - 高能够正常运行。当驱动为低电平， RP ＃抑制
RP ＃
输入/
写操作提供哪些在电源转换时的数据保护。从深层退出
掉电将设备设置为读阵列模式。随着RP ＃ = V
HH
，块擦除或单词
写操作可以对所有的块没有WP ＃状态。块擦除或字写在V
IH
＆ LT ;
RP ＃ < V
HH
产生虚假的结果，不应该尝试。
OE ＃
WE＃
WP ＃
输入
输入
输入
OUTPUT ENABLE ：
在一个读周期中栅极的器件的输出。
写使能：
控制写入崔和阵列模块。地址和数据
锁定在WE＃脉冲的上升沿。
写入保护功能：
主控制引导块锁定。当V
IL
，锁定开机
块不能被擦除和编程。
READY / BUSY ：
表示内部WSM的状态。当低，是WSM
执行内部操作（块擦除或字写入）。 RY / BY ＃ - 高说明
RY / BY ＃
产量
在WSM等待新的命令，块擦除挂起，字写的
不活动的，字写暂停或设备处于深度掉电模式。 RY / BY ＃
始终是积极和不浮动时，芯片是取消或数据输出
禁用。
块擦除和写入WORD电源：
擦除阵列块或
写的话。随着V
PP
≤
V
PPLK
，存储器的内容不能被改变。块擦除和
字写一个无效的V
PP
（见
6.2.3节"DC CHARACTERISTICS" ）
生产
虚假的结果，不应该尝试。
器件电源：
内部检测器件配置为2.7 V ， 3.3 V或
5 V工作电压。从一个电压转换到另一个，斜V
CC
下至GND ，然后
斜V
CC
到新的电压。不浮动任何电源引脚。随着V
CC
≤
V
LKO
，所有的写
尝试闪速存储器被抑制。在无效的V器件业务
CC
电压
（见
6.2.3节"DC CHARACTERISTICS" ）
产生虚假的结果和应
不会尝试。
GND
NC
供应
地面：
不要任何浮动接地引脚。
无连接：
铅是不是内部的连接;推荐给被浮动。
DQ
0
-DQ
15
输入/
产量
CE＃
输入
V
PP
供应
V
CC
供应
-4-
LH28F800BG -L / BGH -L （ FOR TSOP ， CSP ）
1引言
该数据表包含LH28F800BG -L / BGH -L
规格。部1提供的闪速存储器
概述。部分2 ，3，4和5描述的
记忆的组织和功能。第6节
涵盖电气规格。 LH28F800BG -L /
BGH -L闪存的文件还包括
这是在引用的订购信息
第7节。
但是， 5 V V
CC
提供最高的读取
性能。 V
PP
在2.7 V ， 3.3 V和5 V
省去了一个单独的12 V变换器，
而V
PP =
12 V最大化块擦除和字
写性能。除了灵活的擦除和
编程电压，专用V
PP
销给
完整的数据保护时， V
PP
≤
V
PPLK
.
表1 V
CC
和V
PP
电压组合
提供的SmartVoltage技术
V
CC
电压
2.7 V
3.3 V
5V
V
PP
电压
2.7 V, 3.3 V, 5 V, 12 V
3.3 V, 5 V, 12 V
5 V, 12 V
1.1
新功能
的LH28F800BG -L / BGH - L键增强
SmartVoltage快闪记忆是：
SmartVoltage技术
增强的挂起功能
引导块架构
请注意以下重要区别：
V
PPLK
已经被降低到1.5伏，以支持
2.7 V ， 3.3 V和5 V块擦除和字
写操作。该开关V的设计
PP
关闭
在读操作期间应确保
在V
PP
电压转换到GND 。
要SmartVoltage技术的优势，
让V
PP
连接到2.7 V ， 3.3 V或5 V.
内部V
CC
和V
PP
检测电路自动
matically配置该设备优化的读
操作和写操作。
A命令的用户界面（ CUI）作为
系统处理器之间的接口
该装置的内部操作。一个有效的命令
顺序写入崔启动装置
自动化。内部写状态机（ WSM ）
自动执行的算法和时序
必要的块擦除和写入字
操作。
块擦除操作会擦除设备中的一个
32 K-字块通常在0.39秒（ 5 V
V
CC
, 12 V V
PP
） ， 4 K-字块通常在
0.25秒（ 5 V V
CC
, 12 V V
PP
的）独立
其他模块。每个块可独立
清除100万次。块擦除挂起模式
允许系统软件暂停块擦除到
读取数据，或将数据写入到任何其他块。
写入存储器的数据字进行
该设备的32K的字块为单位
通常在8.4微秒（ 5 V V
CC
, 12 V V
PP
), 4 k-
字内17微秒（ 5 V V典型块
CC
, 12 V
V
PP
） 。字写操作挂起模式使
1.2
产品概述
该LH28F800BG -L / BGH -L是高性能
8 M位SmartVoltage闪速存储器组织成
16位的512 K-字。数据的512 K-字是
安排在两个4 K-字引导块， 6 4 K-字
参数块和15 32的K-字主要模块
这是单独擦在系统。该
存储器映射图中示出
图。 1 。
SmartVoltage技术提供V的选择
CC
和V
PP
组合，如图
表1
to
满足系统的性能和功耗的期望。
2.7 V V
CC
消耗大约五分之一
5 V V电源
CC
和3.3 V V
CC
消耗
大约四分之一的5 V V电源
CC
.
-5-
LH28F800BG -L / BGH -L （ FOR TSOP ， CSP ）
LH28F800BG-L/BGH-L
（ FOR TSOP ， CSP ）
描述
与LH28F800BG -L / BGH -L快闪记忆体
SmartVoltage技术是高密度，低成本，
非易失性的，阅读广泛/写存储解决方案
的应用范围。该LH28F800BG -L / BGH -L
可以在V操作
CC
= 2.7 V和V
PP
= 2.7 V.他们
低电压工作能力，实现更长
电池寿命和西服的手机应用程序。
他们的引导，参数和主封锁
架构，灵活的电压和增强循环
能力提供了高度灵活的组件
适合于便携式终端和个人
计算机。其增强的暂停功能
提供一种用于代码+数据存储的理想解决方案
应用程序。对于安全代码存储应用，
如网络，其中的代码是直接
执行出闪光或下载到DRAM中，该
LH28F800BG -L / BGH -L提供两种级别的保护
：与V绝对保护
PP
在GND ，选择性
硬件引导块锁定。这些替代方案
为设计人员提供自己的代码安全性的最终控制权
需要。
8 M位（ 512 KB ×16 ） SmartVoltage
闪存
特点
SmartVoltage技术
- 2.7 V ， 3.3 V或5 V V
CC
- 2.7 V ， 3.3 V ， 5 V或12 V V
PP
高性能读取访问时间
LH28F800BG-L85/BGH-L85
- 85纳秒（ 5.0 ± 0.25 V） / 90纳秒（ 5.0 ± 0.5 V ） /
100纳秒（ 3.3 ± 0.3 V ） / 120纳秒（2.7 3.6 V ）
LH28F800BG-L12/BGH-L12
- 120 ns的（ 5.0 ± 0.5 V ） / 130纳秒（ 3.3 ± 0.3 V ） /
150纳秒（2.7 3.6 V ）
增强的自动暂停选项
- 字写暂停阅读
- 块擦除挂起到字写
- 块擦除挂起阅读
增强的数据保护功能
绝对保护与V
PP
= GND
- 在电源块擦除/写入字锁定
TRANSITIONS
- 与WP ＃引导块保护= V
IL
SRAM兼容的写入接口
优化的阵列架构堵
- 两个4K的字引导块
- 六4 K-字参数块
- 十五32 K-字主要模块
- 顶部或底部启动位置
增强的循环能力
- 100 000块擦除周期
低功耗管理
- 深度掉电模式
- 自动省电模式，降低我
CC
在静态模式
自动字写入和块擦除
- 命令的用户界面
状态寄存器
ETOX
TM
V非易失性闪存技术
包
- 48引脚TSOP I型（ TSOP048 -P - 1220）
正常的弯曲/反弯
- 48球CSP （ FBGA048 -P - 0808 ）
ETOX是Intel Corporation的注册商标。
在没有确认元器件规格说明书中，夏普需要使用目录中的任何夏普元器件的设备可能出现的任何缺陷，数据手册概不负责，
等，在使用任何夏普元器件之前获取最新的元器件规格说明书夏普公司联系。
-1-
LH28F800BG -L / BGH -L （ FOR TSOP ， CSP ）
比较表
版本
LH28F800BG-L
（ FOR TSOP ， CSP ）
LH28F800BGH-L
（ FOR TSOP ， CSP ）
LH28F800BG-L
1
（ FOR SOP ）
操作
温度
0至+ 70°C
-40至+ 85°C
0至+ 70°C
包
48引脚TSOP （ I）
48球CSP
48引脚TSOP （ I）
48球CSP
44引脚SOP
DC特性
写保护功能
V
CC
深掉电电流（MAX 。 ）
为引导块
10 A
20 A
10 A
通过控制
WP ＃和RP ＃引脚
通过控制
WP ＃和RP ＃引脚
由RP ＃引脚控制
1
指的是LH28F800BG -L （ FOR SOP ）的数据表。
引脚连接
48引脚TSOP （ I型）
A
15
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
NC
NC
WE＃
RP ＃
V
PP
WP ＃
RY / BY ＃
A
18
A
17
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
48球CSP
A
16
NC
GND
DQ
15
DQ
7
DQ
14
DQ
6
DQ
13
DQ
5
DQ
12
DQ
4
V
CC
DQ
11
DQ
3
DQ
10
DQ
2
DQ
9
DQ
1
DQ
8
DQ
0
OE ＃
GND
CE＃
A
0
1
A
B
C
D
A
2
A
3
A
1
A
0
2
A
5
A
6
A
4
OE ＃
DQ
8
DQ
0
3
A
17
A
18
A
7
DQ
1
DQ
2
DQ
9
4
WP ＃
V
PP
RY / BY ＃
顶视图
5
WE＃
RP ＃
NC
DQ
12
V
CC
DQ
4
6
A
8
NC
A
9
DQ
6
DQ
5
DQ
13
7
A
11
A
10
A
12
DQ
15
DQ
14
DQ
7
8
A
14
A
13
A
15
A
16
GND
NC
DQ
10
DQ
11
DQ
3
ê GND
F CE＃
(FBGA048-P-0808)
(TSOP048-P-1220)
注意：
反向弯曲可根据要求提供。
-2-
LH28F800BG -L / BGH -L （ FOR TSOP ， CSP ）
块组织
该产品采用了非对称受阻
体系结构提供系统内存的集成。
每个擦除块可以独立的被擦除
其他高达100万次。对于地址
块的位置，请参阅存储器映射中
图。 1 。
引导块：
两个引导块意在
更换专用引导PROM的微
处理器或微控制器为基础的系统。该
4 K字引导块（ 4 096字）功能
硬件控制的写保护保护
意外关键的微处理器启动代码
修改。引导块的保护
用V的组合控制
PP
， RP ＃和
WP ＃引脚。
参数块：
引导块架构
包括参数块，以便于存储的
经常更新的小参数会
通常需要一个EEPROM 。通过使用软件
技术的字节重写功能
EEPROM可效仿。每个引导块
组件包含4 k的六个参数块
字（ 4096字）每个。参数块
是不是写保护的。
主要模块：
该提醒被分成主
块的数据或代码存储。每8 M位
器件包含15 32 K字（ 32 768字）
块。
框图
DQ
0
-DQ
15
产量
卜FF器
输入
卜FF器
产量
多路复用器
识别码
注册
数据
注册
命令
用户
接口
I / O
逻辑
V
CC
状态
注册
CE＃
WE＃
OE ＃
RP ＃
WP ＃
数据
比较
A
0
-A
18
输入
卜FF器
Y
解码器
门控
写
状态
机
主座13
主座14
RY / BY ＃
编程/擦除
高压开关
V
PP
引导块0
引导块1
参数块0
参数块1
参数块2
参数块3
参数块4
参数块5
主座0
主座1
地址
LATCH
X
解码器
15
32 K- WORD
主要模块
V
CC
GND
地址
计数器
-3-
LH28F800BG -L / BGH -L （ FOR TSOP ， CSP ）
引脚说明
符号
A
0
-A
18
TYPE
输入
名称和功能
地址输入：
在读写操作输入的地址。地址
在写周期期间被内部锁存。
数据输入/输出：
输入过程中崔写周期的数据和命令;输出
存储阵列中的数据，状态寄存器和识别码读周期。数据引脚浮
高阻抗的芯片时，取消或输出被禁止。数据
在写周期内锁定。
CHIP ENABLE ：
激活该设备的控制逻辑电路，输入缓冲器，解码器和感
放大器。 CE＃ - 高释放器件降低功耗待机模式
的水平。
RESET /深度掉电：
使器件处于深度掉电模式和复位
内部的自动化。 RP ＃ - 高能够正常运行。当驱动为低电平， RP ＃抑制
RP ＃
输入/
写操作提供哪些在电源转换时的数据保护。从深层退出
掉电将设备设置为读阵列模式。随着RP ＃ = V
HH
，块擦除或单词
写操作可以对所有的块没有WP ＃状态。块擦除或字写在V
IH
＆ LT ;
RP ＃ < V
HH
产生虚假的结果，不应该尝试。
OE ＃
WE＃
WP ＃
输入
输入
输入
OUTPUT ENABLE ：
在一个读周期中栅极的器件的输出。
写使能：
控制写入崔和阵列模块。地址和数据
锁定在WE＃脉冲的上升沿。
写入保护功能：
主控制引导块锁定。当V
IL
，锁定开机
块不能被擦除和编程。
READY / BUSY ：
表示内部WSM的状态。当低，是WSM
执行内部操作（块擦除或字写入）。 RY / BY ＃ - 高说明
RY / BY ＃
产量
在WSM等待新的命令，块擦除挂起，字写的
不活动的，字写暂停或设备处于深度掉电模式。 RY / BY ＃
始终是积极和不浮动时，芯片是取消或数据输出
禁用。
块擦除和写入WORD电源：
擦除阵列块或
写的话。随着V
PP
≤
V
PPLK
，存储器的内容不能被改变。块擦除和
字写一个无效的V
PP
（见
6.2.3节"DC CHARACTERISTICS" ）
生产
虚假的结果，不应该尝试。
器件电源：
内部检测器件配置为2.7 V ， 3.3 V或
5 V工作电压。从一个电压转换到另一个，斜V
CC
下至GND ，然后
斜V
CC
到新的电压。不浮动任何电源引脚。随着V
CC
≤
V
LKO
，所有的写
尝试闪速存储器被抑制。在无效的V器件业务
CC
电压
（见
6.2.3节"DC CHARACTERISTICS" ）
产生虚假的结果和应
不会尝试。
GND
NC
供应
地面：
不要任何浮动接地引脚。
无连接：
铅是不是内部的连接;推荐给被浮动。
DQ
0
-DQ
15
输入/
产量
CE＃
输入
V
PP
供应
V
CC
供应
-4-
LH28F800BG -L / BGH -L （ FOR TSOP ， CSP ）
1引言
该数据表包含LH28F800BG -L / BGH -L
规格。部1提供的闪速存储器
概述。部分2 ，3，4和5描述的
记忆的组织和功能。第6节
涵盖电气规格。 LH28F800BG -L /
BGH -L闪存的文件还包括
这是在引用的订购信息
第7节。
但是， 5 V V
CC
提供最高的读取
性能。 V
PP
在2.7 V ， 3.3 V和5 V
省去了一个单独的12 V变换器，
而V
PP =
12 V最大化块擦除和字
写性能。除了灵活的擦除和
编程电压，专用V
PP
销给
完整的数据保护时， V
PP
≤
V
PPLK
.
表1 V
CC
和V
PP
电压组合
提供的SmartVoltage技术
V
CC
电压
2.7 V
3.3 V
5V
V
PP
电压
2.7 V, 3.3 V, 5 V, 12 V
3.3 V, 5 V, 12 V
5 V, 12 V
1.1
新功能
的LH28F800BG -L / BGH - L键增强
SmartVoltage快闪记忆是：
SmartVoltage技术
增强的挂起功能
引导块架构
请注意以下重要区别：
V
PPLK
已经被降低到1.5伏，以支持
2.7 V ， 3.3 V和5 V块擦除和字
写操作。该开关V的设计
PP
关闭
在读操作期间应确保
在V
PP
电压转换到GND 。
要SmartVoltage技术的优势，
让V
PP
连接到2.7 V ， 3.3 V或5 V.
内部V
CC
和V
PP
检测电路自动
matically配置该设备优化的读
操作和写操作。
A命令的用户界面（ CUI）作为
系统处理器之间的接口
该装置的内部操作。一个有效的命令
顺序写入崔启动装置
自动化。内部写状态机（ WSM ）
自动执行的算法和时序
必要的块擦除和写入字
操作。
块擦除操作会擦除设备中的一个
32 K-字块通常在0.39秒（ 5 V
V
CC
, 12 V V
PP
） ， 4 K-字块通常在
0.25秒（ 5 V V
CC
, 12 V V
PP
的）独立
其他模块。每个块可独立
清除100万次。块擦除挂起模式
允许系统软件暂停块擦除到
读取数据，或将数据写入到任何其他块。
写入存储器的数据字进行
该设备的32K的字块为单位
通常在8.4微秒（ 5 V V
CC
, 12 V V
PP
), 4 k-
字内17微秒（ 5 V V典型块
CC
, 12 V
V
PP
） 。字写操作挂起模式使
1.2
产品概述
该LH28F800BG -L / BGH -L是高性能
8 M位SmartVoltage闪速存储器组织成
16位的512 K-字。数据的512 K-字是
安排在两个4 K-字引导块， 6 4 K-字
参数块和15 32的K-字主要模块
这是单独擦在系统。该
存储器映射图中示出
图。 1 。
SmartVoltage技术提供V的选择
CC
和V
PP
组合，如图
表1
to
满足系统的性能和功耗的期望。
2.7 V V
CC
消耗大约五分之一
5 V V电源
CC
和3.3 V V
CC
消耗
大约四分之一的5 V V电源
CC
.
-5-
LH28F800BG -L / BGH -L （ FOR TSOP ， CSP ）
LH28F800BG-L/BGH-L
（ FOR TSOP ， CSP ）
描述
与LH28F800BG -L / BGH -L快闪记忆体
SmartVoltage技术是高密度，低成本，
非易失性的，阅读广泛/写存储解决方案
的应用范围。该LH28F800BG -L / BGH -L
可以在V操作
CC
= 2.7 V和V
PP
= 2.7 V.他们
低电压工作能力，实现更长
电池寿命和西服的手机应用程序。
他们的引导，参数和主封锁
架构，灵活的电压和增强循环
能力提供了高度灵活的组件
适合于便携式终端和个人
计算机。其增强的暂停功能
提供一种用于代码+数据存储的理想解决方案
应用程序。对于安全代码存储应用，
如网络，其中的代码是直接
执行出闪光或下载到DRAM中，该
LH28F800BG -L / BGH -L提供两种级别的保护
：与V绝对保护
PP
在GND ，选择性
硬件引导块锁定。这些替代方案
为设计人员提供自己的代码安全性的最终控制权
需要。
8 M位（ 512 KB ×16 ） SmartVoltage
闪存
特点
SmartVoltage技术
- 2.7 V ， 3.3 V或5 V V
CC
- 2.7 V ， 3.3 V ， 5 V或12 V V
PP
高性能读取访问时间
LH28F800BG-L85/BGH-L85
- 85纳秒（ 5.0 ± 0.25 V） / 90纳秒（ 5.0 ± 0.5 V ） /
100纳秒（ 3.3 ± 0.3 V ） / 120纳秒（2.7 3.6 V ）
LH28F800BG-L12/BGH-L12
- 120 ns的（ 5.0 ± 0.5 V ） / 130纳秒（ 3.3 ± 0.3 V ） /
150纳秒（2.7 3.6 V ）
增强的自动暂停选项
- 字写暂停阅读
- 块擦除挂起到字写
- 块擦除挂起阅读
增强的数据保护功能
绝对保护与V
PP
= GND
- 在电源块擦除/写入字锁定
TRANSITIONS
- 与WP ＃引导块保护= V
IL
SRAM兼容的写入接口
优化的阵列架构堵
- 两个4K的字引导块
- 六4 K-字参数块
- 十五32 K-字主要模块
- 顶部或底部启动位置
增强的循环能力
- 100 000块擦除周期
低功耗管理
- 深度掉电模式
- 自动省电模式，降低我
CC
在静态模式
自动字写入和块擦除
- 命令的用户界面
状态寄存器
ETOX
TM
V非易失性闪存技术
包
- 48引脚TSOP I型（ TSOP048 -P - 1220）
正常的弯曲/反弯
- 48球CSP （ FBGA048 -P - 0808 ）
ETOX是Intel Corporation的注册商标。
在没有确认元器件规格说明书中，夏普需要使用目录中的任何夏普元器件的设备可能出现的任何缺陷，数据手册概不负责，
等，在使用任何夏普元器件之前获取最新的元器件规格说明书夏普公司联系。
-1-
LH28F800BG -L / BGH -L （ FOR TSOP ， CSP ）
比较表
版本
LH28F800BG-L
（ FOR TSOP ， CSP ）
LH28F800BGH-L
（ FOR TSOP ， CSP ）
LH28F800BG-L
1
（ FOR SOP ）
操作
温度
0至+ 70°C
-40至+ 85°C
0至+ 70°C
包
48引脚TSOP （ I）
48球CSP
48引脚TSOP （ I）
48球CSP
44引脚SOP
DC特性
写保护功能
V
CC
深掉电电流（MAX 。 ）
为引导块
10 A
20 A
10 A
通过控制
WP ＃和RP ＃引脚
通过控制
WP ＃和RP ＃引脚
由RP ＃引脚控制
1
指的是LH28F800BG -L （ FOR SOP ）的数据表。
引脚连接
48引脚TSOP （ I型）
A
15
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
NC
NC
WE＃
RP ＃
V
PP
WP ＃
RY / BY ＃
A
18
A
17
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
48球CSP
A
16
NC
GND
DQ
15
DQ
7
DQ
14
DQ
6
DQ
13
DQ
5
DQ
12
DQ
4
V
CC
DQ
11
DQ
3
DQ
10
DQ
2
DQ
9
DQ
1
DQ
8
DQ
0
OE ＃
GND
CE＃
A
0
1
A
B
C
D
A
2
A
3
A
1
A
0
2
A
5
A
6
A
4
OE ＃
DQ
8
DQ
0
3
A
17
A
18
A
7
DQ
1
DQ
2
DQ
9
4
WP ＃
V
PP
RY / BY ＃
顶视图
5
WE＃
RP ＃
NC
DQ
12
V
CC
DQ
4
6
A
8
NC
A
9
DQ
6
DQ
5
DQ
13
7
A
11
A
10
A
12
DQ
15
DQ
14
DQ
7
8
A
14
A
13
A
15
A
16
GND
NC
DQ
10
DQ
11
DQ
3
ê GND
F CE＃
(FBGA048-P-0808)
(TSOP048-P-1220)
注意：
反向弯曲可根据要求提供。
-2-
LH28F800BG -L / BGH -L （ FOR TSOP ， CSP ）
块组织
该产品采用了非对称受阻
体系结构提供系统内存的集成。
每个擦除块可以独立的被擦除
其他高达100万次。对于地址
块的位置，请参阅存储器映射中
图。 1 。
引导块：
两个引导块意在
更换专用引导PROM的微
处理器或微控制器为基础的系统。该
4 K字引导块（ 4 096字）功能
硬件控制的写保护保护
意外关键的微处理器启动代码
修改。引导块的保护
用V的组合控制
PP
， RP ＃和
WP ＃引脚。
参数块：
引导块架构
包括参数块，以便于存储的
经常更新的小参数会
通常需要一个EEPROM 。通过使用软件
技术的字节重写功能
EEPROM可效仿。每个引导块
组件包含4 k的六个参数块
字（ 4096字）每个。参数块
是不是写保护的。
主要模块：
该提醒被分成主
块的数据或代码存储。每8 M位
器件包含15 32 K字（ 32 768字）
块。
框图
DQ
0
-DQ
15
产量
卜FF器
输入
卜FF器
产量
多路复用器
识别码
注册
数据
注册
命令
用户
接口
I / O
逻辑
V
CC
状态
注册
CE＃
WE＃
OE ＃
RP ＃
WP ＃
数据
比较
A
0
-A
18
输入
卜FF器
Y
解码器
门控
写
状态
机
主座13
主座14
RY / BY ＃
编程/擦除
高压开关
V
PP
引导块0
引导块1
参数块0
参数块1
参数块2
参数块3
参数块4
参数块5
主座0
主座1
地址
LATCH
X
解码器
15
32 K- WORD
主要模块
V
CC
GND
地址
计数器
-3-
LH28F800BG -L / BGH -L （ FOR TSOP ， CSP ）
引脚说明
符号
A
0
-A
18
TYPE
输入
名称和功能
地址输入：
在读写操作输入的地址。地址
在写周期期间被内部锁存。
数据输入/输出：
输入过程中崔写周期的数据和命令;输出
存储阵列中的数据，状态寄存器和识别码读周期。数据引脚浮
高阻抗的芯片时，取消或输出被禁止。数据
在写周期内锁定。
CHIP ENABLE ：
激活该设备的控制逻辑电路，输入缓冲器，解码器和感
放大器。 CE＃ - 高释放器件降低功耗待机模式
的水平。
RESET /深度掉电：
使器件处于深度掉电模式和复位
内部的自动化。 RP ＃ - 高能够正常运行。当驱动为低电平， RP ＃抑制
RP ＃
输入/
写操作提供哪些在电源转换时的数据保护。从深层退出
掉电将设备设置为读阵列模式。随着RP ＃ = V
HH
，块擦除或单词
写操作可以对所有的块没有WP ＃状态。块擦除或字写在V
IH
＆ LT ;
RP ＃ < V
HH
产生虚假的结果，不应该尝试。
OE ＃
WE＃
WP ＃
输入
输入
输入
OUTPUT ENABLE ：
在一个读周期中栅极的器件的输出。
写使能：
控制写入崔和阵列模块。地址和数据
锁定在WE＃脉冲的上升沿。
写入保护功能：
主控制引导块锁定。当V
IL
，锁定开机
块不能被擦除和编程。
READY / BUSY ：
表示内部WSM的状态。当低，是WSM
执行内部操作（块擦除或字写入）。 RY / BY ＃ - 高说明
RY / BY ＃
产量
在WSM等待新的命令，块擦除挂起，字写的
不活动的，字写暂停或设备处于深度掉电模式。 RY / BY ＃
始终是积极和不浮动时，芯片是取消或数据输出
禁用。
块擦除和写入WORD电源：
擦除阵列块或
写的话。随着V
PP
≤
V
PPLK
，存储器的内容不能被改变。块擦除和
字写一个无效的V
PP
（见
6.2.3节"DC CHARACTERISTICS" ）
生产
虚假的结果，不应该尝试。
器件电源：
内部检测器件配置为2.7 V ， 3.3 V或
5 V工作电压。从一个电压转换到另一个，斜V
CC
下至GND ，然后
斜V
CC
到新的电压。不浮动任何电源引脚。随着V
CC
≤
V
LKO
，所有的写
尝试闪速存储器被抑制。在无效的V器件业务
CC
电压
（见
6.2.3节"DC CHARACTERISTICS" ）
产生虚假的结果和应
不会尝试。
GND
NC
供应
地面：
不要任何浮动接地引脚。
无连接：
铅是不是内部的连接;推荐给被浮动。
DQ
0
-DQ
15
输入/
产量
CE＃
输入
V
PP
供应
V
CC
供应
-4-
LH28F800BG -L / BGH -L （ FOR TSOP ， CSP ）
1引言
该数据表包含LH28F800BG -L / BGH -L
规格。部1提供的闪速存储器
概述。部分2 ，3，4和5描述的
记忆的组织和功能。第6节
涵盖电气规格。 LH28F800BG -L /
BGH -L闪存的文件还包括
这是在引用的订购信息
第7节。
但是， 5 V V
CC
提供最高的读取
性能。 V
PP
在2.7 V ， 3.3 V和5 V
省去了一个单独的12 V变换器，
而V
PP =
12 V最大化块擦除和字
写性能。除了灵活的擦除和
编程电压，专用V
PP
销给
完整的数据保护时， V
PP
≤
V
PPLK
.
表1 V
CC
和V
PP
电压组合
提供的SmartVoltage技术
V
CC
电压
2.7 V
3.3 V
5V
V
PP
电压
2.7 V, 3.3 V, 5 V, 12 V
3.3 V, 5 V, 12 V
5 V, 12 V
1.1
新功能
的LH28F800BG -L / BGH - L键增强
SmartVoltage快闪记忆是：
SmartVoltage技术
增强的挂起功能
引导块架构
请注意以下重要区别：
V
PPLK
已经被降低到1.5伏，以支持
2.7 V ， 3.3 V和5 V块擦除和字
写操作。该开关V的设计
PP
关闭
在读操作期间应确保
在V
PP
电压转换到GND 。
要SmartVoltage技术的优势，
让V
PP
连接到2.7 V ， 3.3 V或5 V.
内部V
CC
和V
PP
检测电路自动
matically配置该设备优化的读
操作和写操作。
A命令的用户界面（ CUI）作为
系统处理器之间的接口
该装置的内部操作。一个有效的命令
顺序写入崔启动装置
自动化。内部写状态机（ WSM ）
自动执行的算法和时序
必要的块擦除和写入字
操作。
块擦除操作会擦除设备中的一个
32 K-字块通常在0.39秒（ 5 V
V
CC
, 12 V V
PP
） ， 4 K-字块通常在
0.25秒（ 5 V V
CC
, 12 V V
PP
的）独立
其他模块。每个块可独立
清除100万次。块擦除挂起模式
允许系统软件暂停块擦除到
读取数据，或将数据写入到任何其他块。
写入存储器的数据字进行
该设备的32K的字块为单位
通常在8.4微秒（ 5 V V
CC
, 12 V V
PP
), 4 k-
字内17微秒（ 5 V V典型块
CC
, 12 V
V
PP
） 。字写操作挂起模式使
1.2
产品概述
该LH28F800BG -L / BGH -L是高性能
8 M位SmartVoltage闪速存储器组织成
16位的512 K-字。数据的512 K-字是
安排在两个4 K-字引导块， 6 4 K-字
参数块和15 32的K-字主要模块
这是单独擦在系统。该
存储器映射图中示出
图。 1 。
SmartVoltage技术提供V的选择
CC
和V
PP
组合，如图
表1
to
满足系统的性能和功耗的期望。
2.7 V V
CC
消耗大约五分之一
5 V V电源
CC
和3.3 V V
CC
消耗
大约四分之一的5 V V电源
CC
.
-5-
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