LH28F320S3TD-L10
LH28F320S3TD-L10
描述
该LH28F320S3TD -L10双工作闪存
使用智能3技术是一种高密度，低成本，
非易失性的，阅读广泛/写存储解决方案
的应用范围，具有高的编程
性能是通过高度优化的实现
页面缓存操作。其对称受阻
架构，灵活的电压和增强循环
能力提供了高度灵活的组件
适用于居民闪存阵列， SIMM模组和
存储卡。其增强的暂停功能
提供一种用于代码+数据存储的理想解决方案
应用程序。对于安全代码存储应用，
如网络，其中的代码是直接
执行出闪光或下载到DRAM中，该
LH28F320S3TD -L10提供了三个层次的
保护功能：具有V绝对保障
PP
在GND ，
选择硬件模块的锁定，或者灵活
软件块锁定。这些替代品给
其代码的安全性设计的最终控制权
需要。 LH28F320S3TD -L10是符合的
闪存可扩展指令集（ SCS）和
通用闪存接口（ CFI）规范，
让通用和可升级的接口，使
最高的系统/设备的数据传输速率和
最大限度地减少设备和系统级实现
成本。
32 M位（ 2 MB X 8/1 MB ×16× 2行）
3智能双工作闪存
可扩展指令集（ SCS ）
高性能读取访问时间
- 100 ns的（ 3.3 ± 0.3 V ） / 120纳秒（2.7 3.6 V ）
增强的自动暂停选项
- 写暂停阅读
- 块擦除挂起写
- 块擦除挂起阅读
增强的数据保护功能
绝对保护与V
PP
= GND
- 灵活的块锁定
- 在电源转换擦除/写入锁定
SRAM兼容的写入接口
用户可配置x8或x16操作
高密度对称封闭的体系结构
- 六十四的64K字节可擦除块
增强的循环能力
- 100 000块擦除周期
- 320万的块擦除周期/银行
低功耗管理
- 深度掉电模式
- 自动省电模式，减少电流Icc
在静态模式
自动写入和擦除
- 命令的用户界面
状态寄存器
ETOX
TM
V非易失性闪存技术
包
- 56引脚TSOP I型（ TSOP056 -P - 1420 ）
正常的弯曲
ETOX是Intel Corporation的注册商标。
特点
智能3双功技术
- 2.7 V或3.3 V V
CC
- 2.7 V ， 3.3 V或5 V V
PP
- 能够进行擦除，写入和读取
对于每个独立的银行（不可能
从两家银行同时进行读取） 。
高速写入性能
- 两个32字节的页缓冲器/银行
- 2.7微秒/字节写入传输速率
??通用闪存接口（ CFI ）
- 通用&升级界面
在没有确认元器件规格说明书中，夏普需要使用目录中的任何夏普元器件的设备可能出现的任何缺陷，数据手册概不负责，
等，在使用任何夏普元器件之前获取最新的元器件规格说明书夏普公司联系。
-1-
LH28F320S3TD-L10
引脚说明
符号
TYPE
名称和功能
地址输入：
在读写操作输入的地址。地址
在写周期期间被内部锁存。
A
0
：字节选择地址。不使用x16模式（可浮动） 。
A
1
-A
4
：列地址。选择1个16位线。
A
5
-A
15
：行地址。选择1 2 048字线。
A
16
-A
20
：块地址。
数据输入/输出：
DQ
0
-DQ
7
：在崔写周期的输入数据和命令;在输出数据
存储器阵列，状态寄存器，查询和识别码读周期。数据引脚浮动
高阻抗当芯片被取消或输出被禁止。数据在内部
在写周期期间锁存。
DQ
8
-DQ
15
：在x16模式下的崔写周期的输入数据;在输出数据
存储器阵列读取x16模式下的周期;不使用状态寄存器，查询和标识符
代码读取模式。数据引脚浮到高阻抗，当芯片被选中，输出
被禁用，或在x8模式（ BYTE ＃ = V
IL
） 。数据在写周期期间内部锁存。
银行ENABLE ：
激活该设备的控制逻辑电路，输入缓冲器，解码器，和感
放大器。当BE
0
＃和BE
1L
＃ "low" ， BANK0处于主动。当BE
0
＃和BE
1H
＃是
"low" ， BANK1处于主动。 BE
0
＃和BE
1L
＃ ， BE
1H
＃必须不低的同时。
RESET /深度掉电：
使器件处于深度掉电模式和复位
内部的自动化。 RP ＃ V
IH
能够正常运行。当驱动V
IL
， RP ＃抑制
写操作提供哪些在电源转换时的数据保护。从深层退出
掉电将设备设置为读阵列模式。
OUTPUT ENABLE ：
在一个读周期中栅极的器件的输出。
写使能：
控制写入崔和阵列模块。地址和数据
锁定在WE＃脉冲的上升沿。
STS （ RY / BY ＃ ） ：
表示内部WSM的状态。当级别配置
模式（缺省模式） ，它作为一个RY / BY＃引脚。当低， WSM的执行
内部操作（块擦除，擦除银行， （多）字/字节写入或块锁定位
配置） 。 STS高Z表示WSM等待新的命令，块
便于悬挂，和（多）字/字节写操作是无效的， （多）字/字节写操作
暂停或设备处于深度掉电模式。对于备用配置
STATUS引脚，请参见配置命令（表
3
和
第4.14节） 。
写入保护功能：
主控制模块锁定。当V
IL
，锁块不能
进行擦除和编程，而块锁定位不能被置位和复位。
字节使能：
BYTE ＃ V
IL
设备放置在x8模式。所有的数据然后被输入或输出
在DQ
0-7
和DQ
8-15
浮动。 BYTE ＃ V
IH
将器件置于x16模式，并且关闭
A
0
输入缓冲器。
块擦除银行ERASE （ MULTI ）字/字节写入，块锁定位
配置电源：
擦除阵列块，写字节或
配置块锁定位。随着V
PP
≤
V
PPLK
，存储器的内容不能被改变。块
擦除，擦除银行，字/字节写和块锁定位配置与无效V
PP
（见
6.2.3节"DC CHARACTERISTICS" ）
产生虚假的结果和应
不会尝试。
器件电源：
内部检测器件配置为2.7 V或3.3 V
操作。从一个电压转换到另一个，斜V
CC
下至GND ，然后斜
V
CC
到新的电压。不浮动任何电源引脚。随着V
CC
≤
V
LKO
所有尝试写
到快闪存储器被抑制。在无效的V器件业务
CC
电压（见
部分
6.2.3 "DC CHARACTERISTICS" ）
产生虚假的结果，不应该尝试。
地面：
不要任何浮动接地引脚。
无连接：
铅是不是内部的连接;推荐给被浮动。
A
0
-A
20
输入
DQ
0
-DQ
15
输入/
产量
BE
0
#,
BE
1L
＃ ， BE
1H
#
输入
RP ＃
OE ＃
WE＃
输入
输入
输入
STS
开放
漏
产量
WP ＃
BYTE ＃
输入
输入
V
PP
供应
V
CC
供应
GND
NC
供应
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LH28F320S3TD-L10
1引言
该数据表包含LH28F320S3TD -L10
规格。部1提供的闪速存储器
概述。第2， 3 ，4和5描述了存储器
组织和功能。第6套
电气规格。该LH28F320S3TD -L10
闪存的文件还包括订购
这是在第7节中引用的资料。
块擦除操作会擦除设备中的一个
通常在0.41秒64千字节块（ 3.3 V
V
CC
, 5 V V
PP
）独立于其他块。每
块可独立擦除100万次
（每家银行320万的块擦除） 。块擦除
暂停模式允许系统软件暂停
块擦除从读取数据，或者将数据写入任何
其他区块。
一个字/字节写在字节为单位进行
一般在12.95微秒（ 3.3 V V
CC
, 5 V V
PP
). A
多字/字节写操作高速写入
2.7微秒的性能/字节（ 3.3 V V
CC
, 5 V V
PP
).
（多）字/字节写操作挂起模式使
系统可以从读出的数据，或将数据写入到任何其它
快闪存储器阵列的位置。
个别块锁定使用位的组合
和WP ＃ ， 64块锁位每行，以锁定
和解锁块。块锁定位闸块擦除，
银行擦除和（多）字/字节写操作。
块锁定位配置操作（设置座
锁定位和清除块锁定位指令）集
和清除块锁定位。
状态寄存器指示时， WSM的块
擦除，擦除银行， （多）字/字节写入或块
锁位配置操作完成。
在STS输出提供了一个额外的指标
通过提供两种硬件信号WSM活动
的状态（相对于软件轮询）和状态
屏蔽（中断背景块屏蔽
擦除，例如） 。使用STS状态轮询
既减少了CPU开销和系统电源
消费。 STS引脚可以被配置为
使用配置命令的不同状态。
在STS引脚默认为RY / BY ＃操作。当
低， STS表示WSM正在执行
块擦除，擦除银行， （多）字/字节写或
块锁定位配置。 STS高Z表示
该WSM是准备好一个新的指令，块
擦除暂停和（多）字/字节写的
1.1
产品概述
该LH28F320S3TD -L10是一个高性能的
32位智能3双工作闪存
组织为2 MB ×8 / 1 MB ×16× 2行。该
4 MB的数据被布置在64 64K的字节
块，可单独擦除，可锁定，
而在解锁系统。存储器映射是
所示
图。 1 。
智能3技术提供V的选择
CC
和
V
PP
组合，如图
表1
满足
系统的性能和功耗的期望。 V
PP
在2.7伏， 3.3伏和5伏省去了一
独立的12 V转换器。除了灵活
擦除和编程电压，专用V
PP
针
提供完整的数据保护时， V
PP
≤
V
PPLK
.
表1 V
CC
和V
PP
电压组合
通过提供智能3技术
V
CC
电压
V
PP
电压
2.7 V
2.7 V, 3.3 V, 5 V
3.3 V
3.3 V, 5 V
内部V
CC
和V
PP
检测电路自动
matically配置该设备优化的读
操作和写操作。
A命令的用户界面（ CUI）作为
系统处理器和内部之间的接口
该装置的操作。一个有效的命令序列
写到崔启动设备的自动化。一
内部写状态机（ WSM ）自动
执行必要的算法和定时
块擦除，擦除银行， （多）字/字节写和
块锁定位配置操作。
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