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LH28F160S5-L/S5H-L
LH28F160S5-L/S5H-L
描述
与LH28F160S5 -L / S5H -L快闪记忆体
智能5技术是高密度,低成本,
非易失性的,阅读广泛/写存储解决方案
的应用范围,具有高的编程
性能是通过高度优化的实现
页面缓存操作。其对称受阻
架构,灵活的电压和增强循环
能力提供了高度灵活的组件
适用于居民闪存阵列, SIMM模组和
存储卡。其增强的挂起
功能为代码的理想解决方案+
数据存储应用。对于安全代码存储
的应用,如网络,其中的代码是
无论是直接执行出闪光或下载
到DRAM中, LH28F160S5 -L / S5H -L提供了三种
保护级别:采用V绝对保障
PP
at
接地,选择性硬件块锁定,或有弹性
软件块锁定。这些替代品给
其代码的安全性设计的最终控制权
需要。该LH28F160S5 -L / S5H -L均符合
到闪存的可扩展命令集( SCS)和
通用闪存接口( CFI)规范,
让通用和可升级的接口,使
最高的系统/设备的数据传输速率和
最大限度地减少设备和系统级实现
成本。
16 M位( 2 MB X 8/1 MB ×16 )智能5
闪存(快速编程)
高性能读取访问时间
LH28F160S5-L70
- 70纳秒( 5.0 ± 0.25 V) / 80纳秒( 5.0 ± 0.5 V )
LH28F160S5H-L70
- 70纳秒( 5.0 ± 0.25 V) / 90纳秒( 5.0 ± 0.5 V )
LH28F160S5-L10/S5H-L10
- 100 ns的( 5.0 ± 0.5 V )
增强的自动暂停选项
- 写暂停阅读
- 块擦除挂起写
- 块擦除挂起阅读
增强的数据保护功能
绝对保护与V
PP
= GND
- 灵活的块锁定
- 在电源转换擦除/写入锁定
SRAM兼容的写入接口
用户可配置x8或x16操作
高密度对称封闭的体系结构
- 三十二个64千字节可擦除块
增强的循环能力
- 100 000块擦除周期
- 320万的块擦除周期/片
低功耗管理
- 深度掉电模式
- 自动省电模式,降低我
CC
在静态模式
自动写入和擦除
- 命令的用户界面
状态寄存器
ETOX
TM
V非易失性闪存技术
- 56引脚TSOP I型( TSOP056 -P - 1420 )
正常的弯曲/反弯
- 56引脚SSOP ( SSOP056 -P - 0600 )
5
[LH28F160S5-L]
- 64球CSP ( FBGA064 -P - 0811 )
- 64引脚SDIP ( SDIP064 -P - 0750 )
5
ETOX是Intel Corporation的注册商标。
5
正在开发中
特点
智能5技术
– 5 V V
CC
– 5 V V
PP
高速写入性能
- 两个32字节的页缓冲区
- 2微秒/字节写入传输速率
??通用闪存接口( CFI )
- 通用&升级界面
可扩展指令集( SCS )
在没有确认元器件规格说明书中,夏普需要使用目录中的任何夏普元器件的设备可能出现的任何缺陷,数据手册概不负责,
等,在使用任何夏普元器件之前获取最新的元器件规格说明书夏普公司联系。
-1-
LH28F160S5-L/S5H-L
比较表
版本
LH28F160S5-L70/L10
LH28F160S5H-L70/L10
操作
温度
0至+ 70°C
- 40 + 85℃
存取时间
DC特性
在5.0 ± 0.5 V V
CC
深掉电电流(MAX 。 )
80纳秒/ 100纳秒
90纳秒/ 100纳秒
15 A
20 A
56引脚TSOP ( I) , 56引脚SSOP
5
,
64球CSP , 64引脚SDIP
5
56引脚的TSOP ( I)中, 64球的CSP ,
64引脚SDIP
5
5
正在开发中
引脚连接
56引脚TSOP ( I型)
NC
CE
1
#
NC
A
20
A
19
A
18
A
17
A
16
V
CC
A
15
A
14
A
13
A
12
CE
0
#
V
PP
RP #
A
11
A
10
A
9
A
8
GND
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
5
正在开发中
56引脚SSOP
5
[LH28F160S5-L]
WP #
WE#
OE #
STS
DQ
15
DQ
7
DQ
14
DQ
6
GND
DQ
13
DQ
5
DQ
12
DQ
4
V
CC
GND
DQ
11
DQ
3
DQ
10
DQ
2
V
CC
DQ
9
DQ
1
DQ
8
DQ
0
A
0
BYTE #
NC
NC
CE
0
#
A
12
A
13
A
14
A
15
NC
CE
1
#
NC
A
20
A
19
A
18
A
17
A
16
V
CC
GND
DQ
6
DQ
14
DQ
7
DQ
15
STS
OE #
WE#
WP #
DQ
13
DQ
5
DQ
12
DQ
4
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
顶视图
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
V
PP
RP #
A
11
A
10
A
9
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
GND
A
8
V
CC
DQ
9
DQ
1
DQ
8
DQ
0
A
0
BYTE #
NC
NC
DQ
2
DQ
10
DQ
3
DQ
11
GND
(TSOP056-P-1420)
(SSOP056-P-0600)
注意:
反向弯曲可根据要求提供。
-2-
LH28F160S5-L/S5H-L
引脚连接(续)
64球CSP
1
数控
B一
17
C A
15
D A
12
E
F
G
RP #
A
9
A
7
2
A
20
A
18
V
CC
CE
0
#
5
正在开发中
64引脚SDIP
5
3
NC
A
19
A
14
A
13
A
11
A
10
A
5
A
3
4
NC
CE
1
#
顶视图
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
5
WP #
WE#
DQ
6
NC
NC
DQ
9
NC
NC
6
OE #
DQ
15
DQ
5
DQ
12
DQ
3
DQ
10
DQ
0
BYTE #
7
STS
DQ
7
GND
V
CC
GND
V
CC
DQ
8
A
0
8
NC
DQ
14
DQ
13
DQ
4
DQ
11
DQ
2
DQ
1
NC
A
16
NC
NC
GND
A
2
A
1
V
PP
A
8
A
6
A
4
NC
(FBGA064-P-0811)
V
PP
RP #
A
11
A
10
A
9
A
8
GND
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
BYTE #
A
0
DQ
0
DQ
8
DQ
1
DQ
9
V
CC
DQ
2
DQ
10
DQ
3
DQ
11
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
CE
0
#
A
12
A
13
A
14
A
15
V
CC
A
16
A
17
A
18
A
19
A
20
NC
CE
1
#
NC
NC
NC
NC
WP #
WE#
OE #
STS
DQ
15
DQ
7
DQ
14
DQ
6
GND
DQ
13
DQ
5
DQ
12
DQ
4
V
CC
GND
(SDIP064-P-0750)
-3-
LH28F160S5-L/S5H-L
框图
DQ
0
-DQ
15
产量
卜FF器
输入
卜FF器
询问
只读存储器
产量
多路复用器
I / O逻辑
识别码
注册
数据
注册
页面
卜FF器
命令
用户
接口
V
CC
BYTE #
CE#
WE#
OE #
RP #
WP #
状态
注册
多路复用器
数据
比较
A
0
-A
20
输入
卜FF器
Y
解码器
门控
写状态
编程/擦除
高压开关
STS
V
PP
地址
LATCH
X
解码器
32
64千字节
V
CC
GND
地址
计数器
-4-
LH28F160S5-L/S5H-L
引脚说明
符号
TYPE
名称和功能
地址输入:
在读写操作输入的地址。地址
在写周期期间被内部锁存。
A
0 :
字节选择地址。不使用x16模式(可浮动) 。
A
1
-A
4 :
列地址。选择1个16位线。
A
5
-A
15 :
行地址。选择1 2 048字线。
A
16
-A
20
:块地址。
数据输入/输出:
DQ
0
-DQ
7 :
输入过程中崔写周期的数据和命令;在输出数据
存储器阵列,状态寄存器,查询和识别码读周期。数据引脚浮动
高阻抗当芯片被取消或输出被禁止。数据在内部
在写周期期间锁存。
DQ
8
-DQ
15 :
在x16模式下的崔写周期的输入数据;存储过程中输出数据
阵列读取x16模式下的周期;不使用状态寄存器,查询和识别码读
模式。数据引脚浮到高阻抗,当芯片被选中,输出
禁用或x8模式( BYTE # = V
IL
) 。数据在写周期期间内部锁存。
CHIP ENABLE :
激活装置的控制逻辑,输入缓冲器解码器和感
放大器。无论是CE
0
#或CE
1
# V
IH
取消选择该设备,并降低功耗
消费待机水平。两个CE
0
#和CE
1
#必须是V
IL
选择设备。
RESET /深度掉电:
使器件处于深度掉电模式和复位
内部的自动化。 RP # V
IH
能够正常运行。当驱动V
IL
, RP #抑制
写操作提供哪些在电源转换时的数据保护。从深层退出
掉电将设备设置为读阵列模式。
OUTPUT ENABLE :
在一个读周期中栅极的器件的输出。
写使能:
控制写入崔和阵列模块。地址和数据
锁定在WE#脉冲的上升沿。
STS ( RY / BY # ) :
表示内部WSM的状态。当级别配置
模式(缺省模式) ,它作为一个RY / BY#引脚。当低, WSM的执行
内部操作(块擦除,整片擦除, (多)字/字节写入或块锁定位
配置) 。 STS高Z表示WSM等待新的命令,块
擦除暂停和(多)字/字节写操作是无效的, (多)字/字节写操作
暂停或设备处于深度掉电模式。对于备用配置
STATUS引脚,请参见配置命令(表
3
第4.14节) 。
写入保护功能:
主控制模块锁定。当V
IL
,锁块不能
进行擦除和编程,而块锁定位不能被置位和复位。
字节使能:
BYTE # V
IL
设备放置在x8模式。所有的数据然后被输入或输出
在DQ
0-7
和DQ
8-15
浮动。 BYTE # V
IH
将器件置于x16模式,并且关闭
A
0
输入缓冲器。
块擦除整片擦除, ( MULTI )字/字节写入,块锁相
位配置电源:
擦除阵列块,写字节或
配置块锁定位。随着V
PP
V
PPLK
,存储器的内容不能被改变。块
擦除,整片擦除, (多)字/字节写和块锁位与配置
无效V
PP
(见
6.2.3节"DC CHARACTERISTICS" )
产生虚假的结果
并且不应该尝试。
器件电源:
内部检测器件配置为5 V工作电压。
不浮动任何电源引脚。随着V
CC
V
LKO
所有写尝试闪速存储器
被禁止。在无效的V器件业务
CC
电压(见
第6.2.3节"DC
CHARACTERISTICS" )
产生虚假的结果,不应该尝试。
地面:
不要任何浮动接地引脚。
无连接:
铅是不是内部的连接;推荐给被浮动。
A
0
-A
20
输入
DQ
0
-DQ
15
输入/
产量
CE
0
# ,CE
1
#
输入
RP #
OE #
WE#
输入
输入
输入
STS
开放
产量
WP #
BYTE #
输入
输入
V
PP
供应
V
CC
GND
NC
供应
供应
-5-
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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