LH28F160BG-TL/BGH-TL
LH28F160BG-TL/BGH-TL
描述
与LH28F160BG - TL / BGH -TL闪存
智能3技术是高密度，低成本，
非易失性的，阅读广泛/写存储解决方案
的应用范围。该LH28F160BG - TL /
BGH -TL可以在V操作
CC
和V
PP
= 2.7 V.
他们的低电压工作能力，实现
更长的电池寿命和西服的手机
应用程序。他们的引导，参数和主封锁
架构，灵活的电压和增强循环
能力提供了高度灵活的组件
适合于便携式终端和个人
计算机。其增强的暂停功能
提供一种用于代码+数据存储的理想解决方案
应用程序。对于安全代码存储应用，
如网络，其中的代码是直接
执行出闪光或下载到DRAM中，该
LH28F160BG -TL / BGH -TL提供两个水平的
保护功能：具有V绝对保障
PP
在GND ，
选择硬件引导块锁定。这些
替代方案为设计人员提供的最终控制自己
电码防伪的需要。
16 M位（ 1 MB ×16 ）智能3
闪存
增强的自动暂停选项
- 字写暂停阅读
- 块擦除挂起到字写
- 块擦除挂起阅读
SRAM兼容的写入接口
优化的阵列架构堵
- 两个4K的字引导块
- 六4 K-字参数块
- 三十一32 K-字主要模块
- 顶部或底部启动位置
增强的循环能力
- 100 000块擦除周期
低功耗管理
- 深度掉电模式
- 自动省电模式，降低我
CC
在静态模式
自动字写入和块擦除
- 命令的用户界面
状态寄存器
ETOX
TM
V非易失性闪存技术
包
- 48引脚TSOP I型（ TSOP048 -P - 1220）
正常的弯曲/反弯
- 60球CSP （ FBGA060 / 048 -P - 0811 ）
ETOX是Intel Corporation的注册商标。
比较表
版本
LH28F160BG-TL
LH28F160BGH-TL
LH28F160BV-TL
位配置
1 MB ×16
1 MB ×16
2 MB X 8/1 MB ×16
2 MB X 8/1 MB ×16
工作温度
0至+ 70°C
-25至+ 85°C
0至+ 70°C
-40至+ 85°C
LH28F160BVH-TL
请参阅LH28F160BV - TL / BVH -TL的数据表。
在没有确认元器件规格说明书中，夏普需要使用目录中的任何夏普元器件的设备可能出现的任何缺陷，数据手册概不负责，
等，在使用任何夏普元器件之前获取最新的元器件规格说明书夏普公司联系。
P
智能3技术
= 2.7 3.6 V V
CC
- 2.7至3.6 V或12 V V
PP
高性能读取访问时间
LH28F160BG-TL10/BGH-TL10
- 100纳秒（2.7 3.6 V ）
LH28F160BG-TL12/BGH-TL12
- 120纳秒（2.7 3.6 V ）
R
E
L
特点
IM
-1-
IN
A
R
Y
LH28F160BG-TL/BGH-TL
引脚说明
符号
A
0
-A
19
TYPE
输入
名称和功能
地址输入：
在读写操作输入的地址。地址
在写周期期间被内部锁存。
数据输入/输出：
输入过程中崔写周期的数据和命令;输出
存储阵列中的数据，状态寄存器和识别码读周期。数据引脚浮
高阻抗的芯片时，取消或输出被禁止。数据
在写周期内锁定。
CHIP ENABLE ：
激活该设备的控制逻辑电路，输入缓冲器，解码器和感
放大器。 CE＃ - 高释放器件降低功耗待机模式
的水平。
RESET /深度掉电：
使器件处于深度掉电模式和复位
RP ＃
输入
写操作提供哪些在电源转换时的数据保护。从深层退出
掉电将设备设置为读阵列模式。块擦除或字写在V
IH
＆ LT ;
OUTPUT ENABLE ：
在一个读周期中栅极的器件的输出。
写使能：
控制写入崔和阵列模块。地址和数据
锁定在WE＃脉冲的上升沿。
块不能被擦除和编程。
写入保护功能：
主控制引导块锁定。当V
IL
，锁定开机
READY / BUSY ：
表示内部WSM的状态。当低，是WSM
RY / BY ＃
产量
表明WSM等待新的命令，块擦除挂起，
字写是不活动的，字写被暂停，或在器件处于深度掉电
模式。
块擦除和写入WORD电源：
擦除阵列块或
V
PP
供应
写的话。随着V
PP
≤
V
PPLK
，存储器的内容不能被改变。块擦除和
字写一个无效的V
PP
（见
6.2.3节"DC CHARACTERISTICS" ）
生产
虚假的结果，不应该尝试。
器件电源：
2.7至3.6 V.不浮动任何电源引脚。随着V
CC
≤
V
LKO
所有试图写入到闪存被禁止。在无效的设备操作
V
CC
电压（见
6.2.3节"DC CHARACTERISTICS" ）
产生虚假的结果
并且不应该尝试。
地面：
不要任何浮动接地引脚。
无连接：
铅是不是内部的连接;推荐给被浮动。
DQ
0
-DQ
15
输入/
产量
OE ＃
WE＃
WP ＃
输入
输入
输入
P
GND
NC
R
V
CC
供应
供应
E
L
IM
执行内部操作（块擦除或字写入）。 RY / BY ＃ - 高阻抗
-4-
IN
A
RP ＃ < V
HH
产生虚假的结果，不应该尝试。
R
内部的自动化。 RP ＃ - 高能够正常运行。当驱动为低电平， RP ＃抑制
Y
CE＃
输入
LH28F160BG-TL/BGH-TL
1引言
该数据表包含LH28F160BG - TL / BGH -TL
规格。部1提供的闪速存储器
概述。部分2 ，3，4和5描述的
记忆的组织和功能。第6节
涵盖电气规格。 LH28F160BG - TL /
BGH -TL闪存文件还
包括在引用的订购信息
第7节。
A命令的用户界面（ CUI）作为
系统处理器之间的接口
该装置的内部操作。一个有效的命令
顺序写入崔启动装置
自动化。内部写状态机（ WSM ）
自动执行的算法和时序
必要的块擦除和写入字
操作。
块擦除操作会擦除设备中的一个
通常在1.2秒32 K-字块（ 3.0 V
V
CC
和V
PP
） ，独立于其他块。每
块可独立擦除100万次。
块擦除挂起模式允许系统软件
暂停块擦除从读取数据，或写
数据的任何其他块。
写入存储器的数据字进行
该设备的32K的字块为单位
通常在55微秒， 4 K-字块通常
在60微秒（ 3.0 V V
CC
和V
PP
） 。字写
挂起模式使系统能够读取的数据的
自或写入数据到任何其他快闪存储器阵列
位置。
引导块位于顶部或所述
地址映射的底部，以便
适应不同的微处理器的保护
引导代码的位置。在硬件上锁启动
模块提供了完整的代码安全
需要进行系统初始化内核代码。
锁定引导块和解锁是
通过WP ＃和/或RP ＃控制（参见
第4.9节
为
详细说明） 。块擦除或字写的引导块
不得开展WP ＃为低， RP ＃到
V
IH
.
状态寄存器指示时， WSM的块
擦除或字写操作完成。
该RY / BY ＃输出提供了一个额外指标
通过提供两种硬件信号WSM活动
1.1
新功能
请注意以下重要区别：
V
PPLK
已经被降低到1.5伏，以支持
2.7 V块擦除和字写操作。
该开关V的设计
PP
关在读
操作应确保在V
PP
电压转换到GND 。
要利用智能3技术，让
V
PP
连接至2.7 V或12 V.
1.2
产品概述
V
PP
在电压为2.7 V ，无需一个单独的12伏
变频器，而V
PP
= 12 V最大化块擦除
和字写性能。除了灵活
擦除和编程电压，专用V
PP
针
提供完整的数据保护时， V
PP
≤
V
PPLK
.
P
该LH28F160BG - TL / BGH -TL是高性能
16 M位智能3快闪记忆体编排
16位1 024 K-字。数据1 024 K-字
被安排在两个4K的字引导块， 6 4的k
字参数块和31 32 K-字
这是单独擦除IN-主要模块
系统。存储器映射中示出
图。 1 。
R
E
L
IM
-5-
IN
A
2.7 V V
CC
和V
PP
写/擦除操作
增强的挂起功能
引导块架构
R
LH28F160BG - TL / BGH -TL重点改进
3智能闪光的记忆是：
Y
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