LH28F016SU
特点
16M （ 1M × 16 ， 2M × 8 ）快闪记忆体
56引脚TSOP
顶视图
用户可配置的x8或x16操作
用户可选的3.3 V或5 V V
CC
70 ns的最大访问时间
0.32 MB / sec写入数据传输率
每座100,000次擦写循环
32独立带锁块
5 V写/擦除操作（ 5 V V
PP
)
- 没有要求的DC / DC转换器
写/擦除
- 160 ns最大访问时间
(V
CC
= 2.7 V)
3/5
CE
1
NC
A
20
A
19
A
18
A
17
A
16
V
CC
A
15
A
14
A
13
A
12
CE
0
V
PP
RP
A
11
A
10
A
9
A
8
GND
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
WP
WE
OE
RY / BY
DQ
15
DQ
7
DQ
14
DQ
6
GND
DQ
13
DQ
5
DQ
12
DQ
4
V
CC
GND
DQ
11
DQ
3
DQ
10
DQ
2
V
CC
DQ
9
DQ
1
DQ
8
DQ
0
A
0
字节
NC
NC
最低2.7 V阅读能力
革命性的架构
- 流水线命令执行
- 写在擦除
- 命令的超集
夏普LH28F008SA
5 μA （典型值）I
CC
在CMOS待机
1 μA （典型值）深度掉电
0.55微米ETOX 先进设备，最先进的
闪存技术
56引脚， 1.2毫米× 14毫米× 20毫米
TSOP （ I型）封装
28F016SUT-1
图1. TSOP配置
1
LH28F016SU
16M （ 1M × 16 ， 2M × 8 ）快闪记忆体
56引脚TSOP
顶视图
介绍
夏普的LH28F016SU 16M闪存是一种revo-
lutionary架构，这使得真正的设计
移动，高性能，个人计算和的COM
通信产品。凭借创新的能力， 5 V
单电压操作和非常高的读/写per-
formance的LH28F016SU也是理想的选择
设计嵌入式大容量存储器的系统。
该LH28F016SU是一个非常高的密度，最高per-
formance固态非易失性读/写溶液
存储的应用程序。其对称受阻架构设计师用手工
与LH28F008SA 8M兼容tecture （100％
快闪记忆体） ，延长循环，低功耗3.3 V
操作中，非常快的写入和读出性能和
选择性块锁定提供了高度灵活的存储器
部件适合于高密度的存储卡，
常驻闪存阵列和PCMCIA -ATA闪存驱动器。
该LH28F016SU的双读出电压使
存储卡的设计，可以互换地被
读/写3.3 V和5.0 V系统。其X8 / X16
架构允许存储器的优化，以亲
处理器接口。灵活的模块锁定选项
能够在可执行的应用软件捆绑
一居民闪存阵列或存储卡。制成的
夏普的0.55微米ETOX 工艺技术，
LH28F016SU是最符合成本效益的，高密度
3.3伏闪存。
WP
WE
OE
RY / BY
DQ
15
DQ
7
DQ
14
DQ
6
GND
DQ
13
DQ
5
DQ
12
DQ
4
V
CC
GND
DQ
11
DQ
3
DQ
10
DQ
2
V
CC
DQ
9
DQ
1
DQ
8
DQ
0
A
0
字节
NC
NC
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
3/5
CE
1
NC
A
20
A
19
A
18
A
17
A
16
V
CC
A
15
A
14
A
13
A
12
CE
0
V
PP
RP
A
11
A
10
A
9
A
8
GND
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
描述
该LH28F016SU是一种高性能16M
（ 16777216位）的块可擦除的非易失性随机
存取存储器组织成任何1M × 16或2M × 8 。
该LH28F016SU包括32 64K （ 65,536 ）
块或32 32 KW （ 32,768 ）块。一种芯片
存储器映射如图4所示。
新架构的实施，许多
增强功能，可以提高器件工作
在更大的产品可靠性的特点和结果
和易用性。
其中的的显著增强
LH28F016SU ：
28F016SUT-17
图2. TSOP反向弯曲配置
5 V写/擦除操作（ 5 V V
PP
)
3.3 V低功耗能力（ 2.7 V V
CC
读）
提高写入性能
专用块写/擦除保护
A 3/5
输入引脚重新配置该设备内部的
优化的3.3 V或5.0 V的读/写操作。
该LH28F016SU将在一个56引脚，
1.2mm厚× 14毫米× 20毫米TSOP （I型）封装
年龄。这种外形和引脚允许非常高板
布局密度。
2
16M （ 1M × 16 ， 2M × 8 ）快闪记忆体
LH28F016SU
DQ
8
- DQ
15
DQ
0
- DQ
7
产量
卜FF器
产量
卜FF器
输入
卜FF器
输入
卜FF器
ID
注册
数据
队列
注册
I / O
逻辑
3/5
字节
企业社会责任
产量
多路复用器
页面
缓冲器
ESRS
CE
0
CE
1
OE
崔
WE
WP
RP
数据
比较
A
0
- A
20
输入
卜FF器
y解码器
门控/传感
64KB块30
64KB块31
64KB的块0
64KB块1
WSM
RY / BY
地址
队列
锁存器
...
X解码器
...
地址
计数器
...
计划/
抹去
电压
开关
V
PP
3/5
V
CC
GND
28F016SUT-2
图3. LH28F016SU框图（建筑演进包括页面缓冲器，
队列寄存器和扩展状态寄存器）
3
LH28F016SU
16M （ 1M × 16 ， 2M × 8 ）快闪记忆体
引脚说明
符号
TYPE
名称和功能
字节选择地址：
高字节和低字节之间进行选择时，设备处于X8
模式。此地址锁存X8数据写入。不使用x16模式（即在A
0
输入缓冲器被关断时，字节为高） 。
WORD -选择地址：
选择一个64K块中的字。一
6
-
A
15
SELECTS
1 1024行，而A
1
- A
5
选择512列16 。这些地址是
在数据锁存写入。
BLOCK -选择地址：
选择1的32擦除块。这些地址是
锁定在数据写入，擦除和锁定块操作。
低字节数据总线：
期间，CUI写周期的输入数据和命令。
在适当的阅读模式输出数组，缓冲区，标识或状态的数据。浮动
当芯片被取消选择或输出被禁止。
高字节的数据总线
：在X16数据写入操作的输入数据。输出
阵，缓冲或在适当的阅读模式标识符的数据;不使用状态
寄存器读。浮时的芯片将被取消选择或输出被禁止。
芯片使能输入
：启动设备的控制逻辑，输入缓冲器，解码器和
感测放大器。无论使用哪种CE
0
或CE
1
高，该装置被去选择和功率
任何当前的数据写入完成后，消费减少待机水平或
擦除操作。两个CE
0
，CE
1
必须为低来选择设备。所有时间
规格相同的两个信号。设备选择
OCC
URS与后者
CE的下降沿
0
或CE
1
。 CE的第一个上升沿
0
或CE
1
禁用该设备。
RESET / POWER- DOWN ：
随着RP
低时，该装置被复位时，所有目前操作是
中止和设备进入深度掉电模式。当电源
开机后， RP
引脚变为低电平，以返回设备默认设置就能
成形。当3/5
针被切换，或者是发生了电源转换时，或
在开/关，反相电源
必须保持低位，以保护数据免受噪音。
当从深度掉电， 400 ns的恢复时间返回
(V
CC
+ 5.0V ± 0.5V）是必需的，以允许这些电路对电。当RP
云
低时，任何当前或即将WSM操作（多个）被终止，并且该装置是
复位。所有的状态寄存器返回就绪（有清除所有状态标志） 。后
返回时，该装置是在读阵列模式。
OUTPUT ENABLE ：
通过输出缓冲器门电路装置的数据时低。该
输出浮动时，三态关闭OE
为高。
注意：
CE
X
覆盖OE
和OE
覆盖WE 。
写使能：
控制访问CUI ，页面缓冲器，数据队列寄存器
和地址队列闭锁。 WE为低电平有效，并锁存地址和数据
它的上升沿（命令或阵列） 。
READY / BUSY ：
表示内部WSM的状态。当低，则表示该
WSM正忙于进行操作。 RY / BY ＃高表明WSM就绪
新的操作（或WSM已完成了所有挂起的操作） ，或者是擦除
暂停或设备处于深度掉电模式。此输出始终处于活动状态
（即，没有漂到三态时关闭OE
或CE
0
，CE
1
高） ，但如果RY
/ BY
销禁用命令发出。
A
0
输入
A
1
- A
15
输入
A
16
- A
20
输入
DQ
0
- DQ
7
输入/输出
DQ
8
- DQ
15
输入/输出
CE
0
，CE
1
输入
RP
输入
OE
输入
WE
输入
RY
/ BY
漏极开路
产量
4
16M （ 1M × 16 ， 2M × 8 ）快闪记忆体
LH28F016SU
引脚说明（续）
符号
TYPE
名称和功能
写保护：
擦除块可以通过写入非易失锁定位被锁定
每个块。当WP为低电平时，这些锁定的区块所反映的块锁定状态
位（ BSR.6 ） ，免受意外的数据写入或擦除。当WP为高电平时，
所有的块可以写入或擦除不管锁定位的状态。在WP
输入缓冲器被禁止时， RP
转变为低（深度省电模式） 。
字节使能：
BYTE低的地方器件x8模式。所有数据被输入或输出
在DQ
0
- DQ
7
和DQ
8
- DQ
15
浮动。地址
0
在高和低之间选择
字节。 BYTE高处的设备在x16模式，并关闭了A
0
输入缓冲器。
地址
1
时，则变为最低阶地址。
3.3 / 5.0 VOLT选择：
3/5
高配置内部电路的3.3 V操作。 3/5
低配置内部电路的5.0 V操作。
注意事项：
阅读与3/5阵列
高在5.0 V系统可能会损坏
装置。有从3/5一个显著延迟
切换到有效数据。
擦/写电源：
擦除存储器阵列块或写
字/字节/页到闪存阵列。
器件电源（ 3.3 V± 0.3 V ， 5.0 V± 0.5 V） （ 2.7 V 3.6 V的阅读
操作）
：不要留下任何电源引脚悬空。
地面所有内部电路：
不要留下任何接地引脚悬空。
无连接：
无内部连接就不行了，铅可被驱动或悬空。
WP
输入
字节
输入
3/5
输入
V
PP
V
CC
GND
NC
供应
供应
供应
A命令的用户界面（ CUI）作为系
微处理器或间统接口
微控制器和所述内部存储器的操作。
内部算法自动化允许以字节/字
写和执行块擦除操作
使用一个双写命令序列与崔
以同样的方式作为LH28F008SA 8M闪存。
命令的超集已被添加到该
基本LH28F008SA命令集以实现更高
写性能，并提供了额外的功能。
这些新的命令和功能包括：
该LH28F016SU采用两页缓冲器
256字节（ 128字）每个允许页面数据写入。
这一功能可以提升系统写入性能
比以前的快闪存储器装置。
所有操作都通过写入序列开始
命令发送到设备。三个状态寄存器
（稍后详细描述）和一个RY
/ BY
输出引脚
提供所要求的进度信息
操作。
而LH28F008SA需要的操作的COM
完整的下一个操作可以请求之前，该
LH28F016SU允许下一次操作而排队
存储器执行当前操作。此消除
纳茨系统开销写了几个字节时，
行到数组或删除几个街区的同时
时间。该LH2F016SUR -10还可以执行写OP-
操作，以一个内存块，同时执行擦除
另一个块。
该LH28F016SU提供用户可选的模块
锁保护的代码或数据，如设备驱动程序，
PCMCIA卡信息， ROM -可执行文件O / S或
应用程序代码。每个块具有相关联的非
挥发性锁位，它确定的锁定状态
块。此外， LH28F016SU有一个主写
保护引脚（ WP
）这防止任何修改
存储器块，其锁定位被置位。
页面缓冲区写入闪存
命令队列功能
擦除过程中自动写入数据
内存块的软件锁定
在8位系统的两个字节连续写入
删除所有块解锁
在任一字节进行内存数据写入或
词通常增量在8微秒， 25 ％ improve-
彪在LH28F008SA 。块擦除操作
删除了32块中的一个典型0.7秒，
独立于其他块，其为约55％
改进的LH28F008SA 。
5
QQ：2881677436 复制
