【日期六月11， 199816M （ X8 ）快闪记忆体LH28F016SCN-L12】,IC型号LH28F016SCN-L12,LH28F016SCN-L12 PDF资料,LH28F016SCN-L12经销商,ic,电子元器件-51电子网

日期

六月11， 1998

16M （ X8 ）快闪记忆体

LH28F016SCN-L12

LHF16C10

qHandle

本文精心为它包含的材料受国际保护

版权法。禁止任何复制，充满该材料或部分，而不

快递公司的书面许可。

q当

利用本文所涵盖的产品，请遵守这里写的条件

并在下面的段落中列出的事项。在任何情况下，本公司

有责任从失败造成的任何损坏要严格遵守这些条件，

预防措施。

（ 1 ）所涉及的产品中，设计和制造用于以下

的应用领域。当使用本文中所涵盖的所列设备产品

在第（ 2 ），即使是以下应用领域，一定要遵守

在段落中给出的注意事项（ 2 ）。不要使用产品所列设备

在第（ 3 ）。

·办公室

电子

仪表

和测量设备

机

工具

视听

设备

主页

器具

通讯

设备比干线等

（2）利用覆盖这里为以下设备的产品的那些打算

它要求高可靠性，应首先联系销售代表

公司再接受集成到设计负责故障安全

操作时，冗余和其它适当的措施，以确保可靠性和

的设备和整个系统的安全性。

控制

和用于飞机，火车，汽车和其他安全装置

交通运输设备

主机

电脑

·交通

控制系统

·气体

泄漏探测器和自动切断装置

救援

和安全设备

其他

安全设备和安全设备等。

（ 3 ）不要使用本文中所涵盖的产品用于以下设备它要求

极高的性能的功能性，可靠性，或准确性方面。

航空

设备

通信

设备干线

控制

设备为核电行业

·医疗

设备相关的生活配套等

（4）请直接与有关上述的解释的所有查询和注释

三段销售代表的公司。

qPlease

所有直接有关本文中涉及到的销售代表产品查询

该公司的。

修订版1.8

LHF16C10

页面

1.0简介

................................................... 3

1.1新功能............................................... 3 .......

1.2产品概述............................................... 3

2.0操作原理

............................. 7

2.1数据保护............................................... 8 ....

3.0总线操作............................................... ..

3.1阅读................................................ ................... 8

3.2输出禁止............................................... 8 .....

3.3待机................................................ ............... 8

3.4深度掉电............................................. 8

3.5读取识别码操作......................... 9

3.6写................................................ .................... 9

4.0命令定义

.................................... 9

4.1读阵列命令....................................... 12

4.2读取识别码命令...................... 12

4.3读状态寄存器命令....................... 12

4.4清除状态寄存器命令....................... 12

4.5块擦除命令...................................... 12

4.6字节写入命令........................................ 13

4.7块擦除挂起命令....................... 13

4.8字节写操作挂起命令......................... 14

4.9组块和主锁定位命令....... 14

4.10清除块锁定位命令..................... 15

7.0其他信息

.............................40

7.1订购信息.......................................... 40

6.0电气特性........................ 25

6.1绝对最大额定值............................... 25

6.2工作条件......................................... 25

6.2.1电容.............................................. ... 25

6.2.2 AC输入/输出测试条件.................. 26

6.2.3直流特性........................................ 27

6.2.4交流特性 - 只读操作0.29

6.2.5交流特性 - 写操作.......... 32

6.2.6替代CE＃ -Controlled写................ 35

6.2.7复位操作......................................... 38

6.2.8块擦除，字节写和锁定位

配置性能........................... 39

页面

5.0设计注意事项

..............................23

5.1三线输出控制................................. 23

5.2 RY / BY ＃和块擦除，字节写和锁定位

配置轮询........................................... 23

5.3电源去耦.................................. 23

5.4 V

跟踪印刷电路板.................. 23

5.5 V

, V

， RP ＃切换效果................................. 24

5.6电/断电保护................................ 24

5.7功耗.............................................. 24

修订版1.8

LHF16C10

LH28F016SCN-L12

16M位（ 2MB ×8 ）

SMARTVOLTAGE FLASH MEMORY

SmartVoltage技术

2.7V （只读）， 3.3V或5V V

3.3V ， 5V或12V V

高性能

120纳秒读取时间

工作温度

0 ° C至+ 70°C

增强的自动暂停选项

字节写操作挂起阅读

块擦除挂起到字节写

块擦除挂起阅读

增强的数据保护功能

绝对保护与V

= GND

灵活的块锁定

块擦除/写字节锁定

电源转换期间

行业标准包装

44引脚PSOP

SRAM兼容写接口

高密度对称阻止

架构

三十二个64K字节可擦除块

扩展循环能力

100000块擦除周期

3.2亿块擦除周期/片

低功耗管理

深度掉电模式

自动节能模式

降低我

在静态模式

自动字节写和块擦除

命令的用户界面

状态寄存器

ETOX

TM *

V非易失性闪存

技术

CMOS工艺

（ P型硅衬底）

没有设计或额定作为辐射

硬化

SHARP的LH28F016SCN -L12闪存与SmartVoltage技术是一种高密度，低成本，非易失性，

读/写用于广泛的应用中的存储解决方案。其对称封闭的架构，灵活的电压

和扩展循环提供适合居住闪存阵列， SIMM模组和内存高度灵活的组件

卡。其增强的暂停功能，提供了代码+数据存储应用的理想解决方案。为

安全代码存储应用，如网络，其中代码被直接执行的总分闪光或

下载到DRAM中， LH28F016SCN -L12提供了三个级别的保护：采用V绝对保障

GND ，选择硬件模块的锁定，或者灵活的软件模块锁定。这些替代方案为设计人员提供

其代码的安全性需求的最终控制权。

该LH28F016SCN - L12是夏普的0.4微米ETOX制造

V工艺技术。它进来

行业标准封装： 44引脚PSOP ，非常适合电路板受限的应用。基于该28F008SA

建筑， LH28F016SCN -L12能够为要求苛刻的设计的先进设备，最先进的快速和容易升级。

* ETOX是Intel Corporation的注册商标。

修订版1.8

LHF16C10

1引言

这

数据表

包含

LH28F016SCN-L12

规格。部1提供的闪速存储器

概述。第2， 3 ，4和5描述的

记忆的组织和功能。第6节

涵盖电气规格。 LH28F016SCN -L12

闪存的文件还包括

应用笔记和设计工具，是

在第7节中引用。

SmartVoltage技术提供V的选择

和V

组合，如表1所示，满足

系统的性能和功耗的期望。 2.7V

消耗的大约五分之一的功率

5V V

。但是， 5V V

提供最高的读取

性能。 V

在3.3V和5V ，无需

为一个单独的转换器12V ，而V

=12V

最大化块擦除和字节写入性能。

除了灵活的擦除和编程电压，

专用V

销给了完整的数据保护

当V

≤V

PPLK

表1. V

和V

电压组合

提供的SmartVoltage技术

电压

2.7V

(1)

3.3V

3.3V, 5V, 12V

5V, 12V

注意：

1，块擦除，字节写和锁定位配置

与V操作

不支持<3.0V 。

国内

和V

检测电路

自动配置该设备优化

读取和写入操作。

A命令的用户界面（ CUI）作为

系统处理器和内部之间的接口

该装置的操作。一个有效的命令序列

写到崔启动设备的自动化。一

内部写状态机（ WSM ）自动

执行必要的算法和定时

块擦除，字节写和锁定位配置

操作。

块擦除操作会擦除设备中的一个

64K字节的范围内为0.3s （ 5V V典型块

, 12V

）独立于其他块。每个块可以是

独立擦除10万次（ 320万

每个设备块擦除）。块擦除挂起模式

允许系统软件暂停块擦除到

读或从任何其它块中写入数据。

写入存储器的数据以字节为单位进行

通常在6微秒（ 5V V

, 12V V

）。字节写

挂起模式使系统能够读取的数据或

从任何其他闪存阵列执行代码

位置。

1.1新功能

该LH28F016SCN - L12 SmartVoltage闪存

保持与夏普的向后兼容性

28F008SA 。在28F008SA主要增强功能

包括：

SmartVoltage

技术

增强

暂停功能

在系统

块锁定

这两款器件均兼容的引脚，状态

注册和软件指令集。这些

相似性使一个干净的升级从

28F008SA到LH28F016SCN - L12 。在升级时，

要注意以下几点差异是很重要的：

由于

新功能的支持，这两个设备

具有不同的设备代码。这允许

软件优化。

PPLK

已经降低，从6.5V到1.5V至

支持3.3V和5V的块擦除，字节写和

锁位的配置操作。在V

电压

转换到GND ，建议设计

该交换机V

关闭读取操作期间。

要

采取SmartVoltage技术优势，

让V

连接到3.3V或5V 。

1.2产品概述

该LH28F016SCN -L12是一个高性能的

16M位SmartVoltage闪存作为举办

2M字节的8位。数据的2M字节被布置在

32 64K字节的块，分别是

可擦除，可锁定和解锁在系统。该

存储器映射如图3所示。

修订版1.8