LH28F008SC-V/SCH-V
LH28F008SC-V/SCH-V
描述
与LH28F008SC -V / SCH -V闪存
智能5技术是高密度，低成本，
非易失性的，阅读广泛/写存储解决方案
的应用范围。其对称受阻
架构，灵活的电压和增强循环
能力提供了高度灵活的组件
适用于居民闪存阵列， SIMM模组和内存
卡。其增强的暂停功能提供
为代码+数据存储的理想解决方案
应用程序。对于安全代码存储应用，
如网络，其中的代码是直接
执行出闪光或下载到DRAM中，该
LH28F008SC -V / SCH -V提供三种级别的
保护功能：具有V绝对保障
PP
在GND ，
选择硬件模块的锁定，或者灵活的软件
块锁定。这些替代方案为设计人员提供
其代码的安全性需求的最终控制权。
8 M位（ 1 MB ×8 ）智能5
闪存
增强的自动暂停选项
- 字节写暂停阅读
- 块擦除挂起到字节写
- 块擦除挂起阅读
增强的数据保护功能
绝对保护与V
PP
= GND
- 灵活的块锁定
- 块擦除/写字节期间，电源锁定
TRANSITIONS
SRAM兼容的写入接口
高密度对称封闭的体系结构
- 16个64千字节可擦除块
增强的循环能力
- 100 000块擦除周期
- 160万的块擦除周期/片
低功耗管理
- 深度掉电模式
- 自动省电模式，降低我
CC
在静态模式
自动字节写和块擦除
- 命令的用户界面
状态寄存器
ETOX
TM
V非易失性闪存技术
包
- 40引脚TSOP I型（ TSOP040 -P - 1020 ）
正常的弯曲/反弯
- 44引脚SOP （ SOP044 -P - 0600 ）
- 48球CSP （ FBGA048 -P - 0608 ）
ETOX是Intel Corporation的注册商标。
特点
智能5技术
– 5 V V
CC
- 5 V或12 V V
PP
高性能读取访问时间
LH28F008SC-V85/SCH-V85
- 85纳秒（ 5.0 ± 0.25 V） / 90纳秒（ 5.0 ± 0.5 V ）
LH28F008SC-V12/SCH-V12
- 120 ns的（ 5.0 ± 0.5 V ）
比较表
版本
LH28F008SC-V
LH28F008SCH-V
工作温度
0至+70
C
-25至+85
C
V
CC
DC特性
深掉电电流（MAX 。 ）
10 A
20 A
在没有确认元器件规格说明书中，夏普需要使用目录中的任何夏普元器件的设备可能出现的任何缺陷，数据手册概不负责，
等，在使用任何夏普元器件之前获取最新的元器件规格说明书夏普公司联系。
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LH28F008SC-V/SCH-V
引脚说明
符号
A
0
-A
19
TYPE
输入
名称和功能
地址输入：
在读写操作输入的地址。地址
在写周期期间被内部锁存。
数据输入/输出：
输入过程中崔写周期的数据和命令;输出
DQ
0
-DQ
7
输入/
产量
存储器阵列，状态寄存器和识别码中的数据读周期。数据引脚
浮到高阻抗，当芯片被取消或输出被禁止。数据
在写周期内锁定。
CHIP ENABLE ：
激活该设备的控制逻辑电路，输入缓冲器，解码器，和感
CE＃
输入
放大器。 CE＃ - 高释放器件降低功耗待机模式
的水平。
RESET /深度掉电：
使器件处于深度掉电模式和复位
内部的自动化。 RP ＃ - 高能够正常运行。当驱动为低电平， RP ＃抑制
写操作提供哪些在电源转换时的数据保护。从深层退出
RP ＃
输入
掉电将设备设置为读阵列模式。 RP ＃在V
HH
允许的设置
主锁位，使块锁定位的配置时，主锁位
设置的。 RP ＃ = V
HH
覆盖块锁定位，从而使块擦除和写入的字节
操作锁定的内存块。块擦除，字节写入或锁定位配置
随着V
IH
≤
RP ＃
≤
V
HH
产生虚假的结果，不应该尝试。
OE ＃
WE＃
输入
输入
OUTPUT ENABLE ：
在一个读周期中栅极的器件的输出。
写使能：
控制写入崔和阵列模块。地址和数据
锁定在WE＃脉冲的上升沿。
READY / BUSY ：
表示内部WSM的状态。当低，是WSM
执行内部操作（块擦除，字节写入或锁定位配置） 。
RY / BY ＃
产量
RY / BY ＃ - 高表明WSM等待新的命令，块擦除
暂停，并且字节的写入是不活动的，字节写被暂停，或在器件处于深
掉电模式。 RY / BY ＃始终是活动的，当芯片处于不浮动
取消或数据输出被禁止。
块擦除字节写入，锁定位配置电源：
为
V
PP
供应
删除阵列块，写字节，或配置锁定位。随着V
PP
≤
V
PPLK
，内存
内容不能被改变。块擦除，字节写，并用锁位配置
无效V
PP
（见
6.2.3节"DC CHARACTERISTICS" ）
产生虚假的结果
并且不应该尝试。
器件电源：
内部检测器件配置为5 V工作电压。
V
CC
供应
不浮动任何电源引脚。随着V
CC
≤
V
LKO
所有写尝试闪速存储器
被禁止。在无效的V器件业务
CC
电压（见
第6.2.3节"DC
CHARACTERISTICS" ）
产生虚假的结果，不应该尝试。
地面：
不要任何浮动接地引脚。
无连接：
铅是不是内部的连接;推荐给被浮动。
GND
NC
供应
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LH28F008SC-V/SCH-V
1引言
该数据表包含LH28F008SC -V / SCH -V
规格。部1提供的闪速存储器
概述。第2， 3 ，4和5描述的
记忆的组织和功能。第6节
涵盖电气规格。 LH28F008SC -V /
SCH -V闪存文件还
包括在引用的订购信息
第7节。
可擦除，可锁定和解锁在系统。该
存储器映射图中示出
Fig.1.
智能5技术提供V的选择
CC
和
V
PP
组合，如图
表1
满足
系统的性能和功耗的期望。 V
PP
在5 V省去了一个单独的12伏
变频器，而V
PP
= 12 V最大化块擦除
和字节写入性能。除了灵活
擦除和编程电压，专用V
PP
针
提供完整的数据保护时， V
PP
≤
V
PPLK
.
表1 V
CC
和V
PP
电压组合
提供的智能5技术
V
CC
电压
V
PP
电压
5 V, 12 V
5V
1.1
新功能
LH28F008SC -V / SCH -V智能5快闪记忆体
维护
向后兼容
同
该
LH28F008SA 。在关键的增强功能
LH28F008SA包括：
智能5技术
增强的挂起功能
在系统块锁定
这两款器件均兼容的引脚，状态
注册和软件指令集。这些
相似性使一个干净的升级从
LH28F008SA到LH28F008SC -V / SCH -V 。当
升级，要注意以下几点是很重要的
不同之处：
由于新功能的支持，这两个
设备具有不同的设备代码。这
允许软件优化。
V
PPLK
已降至6.5 V至1.5 V至
支持5 V块擦除，字节写和锁定位
配置操作。该开关设计
V
PP
关在读取操作期间应
确保在V
PP
电压转换到GND 。
要利用5智能技术，让
V
PP
连接到5V。
内部V
CC
和V
PP
检测电路自动
matically配置该设备优化的读
操作和写操作。
A命令的用户界面（ CUI）作为
系统处理器之间的接口
该装置的内部操作。一个有效的命令
顺序写入崔启动装置
自动化。内部写状态机（ WSM ）
自动执行的算法和时序
必要的块擦除，字节写和锁定位
配置操作。
块擦除操作会擦除设备中的一个
通常在1秒内（ 5 V V 64千字节的块
CC
,
12 V V
PP
）独立于其他块。每块
可独立擦除100万次（ 1.6
每个器件百万块擦除） 。块擦除
暂停模式允许系统软件暂停
块擦除从读取数据，或者将数据写入任何
其他区块。
内存写入数据的字节进行
通常在6微秒（ 5 V V增量
CC
, 12 V
V
PP
） 。字节写操作挂起模式使系统
1.2
产品概述
该LH28F008SC -V / SCH -V是高性能
8 M位智能5快闪记忆体组织为M- 1
的8位字节。数据的1M字节被布置在
16 64千字节的块，分别是
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