LH28F008SA
8M （ 1M × 8 ）快闪记忆体
44引脚SOP
V
PP
RP
A
11
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
NC
NC
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
GND
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
V
CC
CE
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
A
19
NC
NC
NC
NC
WE
OE
RY / BY
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
V
CC
顶视图
该LH28F008SA在40引脚TSOP提供（标
准）封装。引脚分配简化电路板布局
在闪速存储器集成多个器件时
阵列或子系统。该设备采用一体化
命令的用户界面和状态机simpli-
田间块擦除和字节写操作。该LH28F008SA
内存映射由16个单独擦除
64K块。
SHARP的LH28F008SA采用了先进的CMOS
电路需要低功耗系统
和抗干扰能力。其85 ns的存取时间为
当磁相比，性能优越
存储介质。深省电模式可降低功耗
消耗1 μW通过V典型
CC
在por-关键
表计算，手持仪表等
低功耗应用。该PWD功率控制输入
还提供了系统中的绝对数据保护
电/掉电。
描述
该LH28F008SA是一个高性能的8M
在1M组织（ 8,388,608位）内存（ 1,048,576
每个8位字节）。十六64K （ 65,536字节）的块
包括在LH28F008SA 。存储器映射是
在本说明书中的图4所示。块擦除
操作擦除的存储器中的16块1
在一般为1.6秒时，独立于剩余的
块。每个块可独立擦除和
写十万个循环。擦除挂起模式可以让系
统软件暂停块擦除读取数据或
从LH28F008SA的任何其它块的执行代码。
该LH28F008SA是在40引脚TSOP提供
（薄小外形封装，1.2毫米厚）封装。
引脚排列如图本规范的图1 。
该命令的用户界面作为跨
微处理器或微控制器之间的脸
该LH28F008SA的内部操作。
字节写和块擦除自动化允许字节
使用执行写入和块擦除操作
一个双写命令序列与命令用户
界面。内部写状态机（ WSM ）
自动执行的算法和时序必要请
埃森的字节写和块擦除操作，
包括验证，从而unburdening微
处理器或微控制器。内存写入数据
通常在9微秒字节为单位进行的，一
改进目前的闪存产品的80％ 。
I
PP
字节写和块擦除电流10毫安典型
CAL 30 mA（最大值） 。 V
PP
字节写和块擦除
电压为11.4 V至12.5 V.
状态寄存器指示WSM状态
而当WSM成功完成所需要的
字节写和块擦除操作。
28F008SA-16
图2. 44引脚SOP配置
介绍
夏普的LH28F008SA 8M Flash文件内存
最高密度的非易失性读/写溶液
固态存储。该LH28F008SA的扩展
骑自行车，对称受阻架构，快速访问
时间，写自动化和低功耗亲
韦迪更可靠，低功耗，重量轻和
性能更高的替代传统的旋转磁盘
技术。该LH28F008SA带来了新的功能，
到便携式计算。应用和操作系
统软件存储在驻留闪存阵列
提供即时的快速执行就地保护和
通过在系统软件和灰从过时
更新。常驻软件还扩展系统BAT-
tery生活，通过减少磁盘驱动器增加relaibility
访问。
对于高密度的数据采集应用，
LH28F008SA提供一个更具成本效益和可靠的
替代SRAM和电池。传统的高
密度的嵌入式应用，如telecommuni-
阳离子，可以利用的LH28F008SA的
非易失性，阻塞和最小系统要求一码
ments灵活的固件和软件的模块化
设计。
2
LH28F008SA
8M （ 1M × 8 ）快闪记忆体
引脚说明
符号
TYPE
名称和功能
地址输入：
对于内存地址。地址在内部锁存
一个写周期。
数据输入/输出：
中的命令的用户界面的输入数据和命令
写周期;存储阵列中的数据输出。状态寄存器和标识读
周期。数据引脚是高电平有效和浮动三态时关闭芯片被取消
或者输出被禁止。数据在写周期期间内部锁存。
CHIP ENABLE ：
激活该设备的控制逻辑的输入缓存器，解码器，和
感测放大器。 CE
为低电平有效： CE
高取消选择的存储设备和
降低功耗的待机水平。
的PowerDown ：
将器件置于深深的省电模式。 PWD是低电平有效; PWD
高大的城门正常运行。 PWD也锁定了块擦除或写入的字节
操作时，低电平有效，在电源转换提供数据保护。
OUTPUT ENABLE ：
通过数据缓冲器在一个栅极上的设备的输出
读周期。 OE
为有效低电平。
写使能：
控制写入命令的用户界面和阵列模块。
WE为低电平有效。地址和数据锁存的上升沿
WE脉冲。
就绪/忙
：表示内部写状态机的状态。当较低，
表明WSM正在执行块擦除或字节写操作。 RY
/ BY
高表明WSM等待新的命令，块擦除或暂停
该设备在深省电模式。 RY
/ BY
始终是活动的，不漂浮
为三态时关闭芯片取消或数据输出被禁止。
块擦除/写入字节电源：
用于擦除该阵列的块或
写入每个块的字节数。
注意：
随着V
PP
＆ LT ; V
PPLMAX
，存储器的内容不能被改变。
器件电源：
(5 V ±10%, 5 V ±5%)
A
0
- A
19
输入
DQ
0
- DQ
7
输入/输出
CE
输入
PWD
输入
OE
输入
WE
输入
RY
/ BY
产量
V
PP
V
CC
GND
供应
供应
地
4
8M （ 1M × 8 ）快闪记忆体
LH28F008SA
该RY
/ BY
输出给出了一个附加的指示器
WSM活动，为硬件提供显能力
最终的状态（相对于软件轮询）和状态掩蔽
ING （中断背景擦除掩蔽，为
例子）。用RY状态轮询
/ BY
既减少
CPU开销和系统的功耗。当
低， RY
/ BY
表示WSM正在执行块
擦除或字节写操作。 RY
/ BY
高表明，
在WSM等待新的命令，块擦除
暂停或设备处于深度掉电模式。
最大存取时间为85纳秒（T
加
）上的COM
商用温度范围（ 0℃ + 70℃ ）和过V
CC
电源电压范围（ 4.5 V至5.5 V和4.75 V至
5.25 V ） 。我
CC
有功电流（CMOS读）为20mA典型
CAL 35 mA（最大值）为8 MHz。
当CE
和PWD引脚在V
CC
中，我
CC
CMOS待机模式下被启用。
深层掉电模式被启用的时候PWD
脚为GND ，降低功耗和亲
人们提供写保护。我
CC
目前在深度掉电
为0.20 μA典型。从需要400 ns的复位时间
高PWD切换到输出有效阅读
企图。等效地，该装置具有一个唤醒时间
1微秒的PWD高，直到写入命令用户
接口是由LH28F008SA识别。随着PWD
在GND时， WSM复位和状态寄存器
清除。
存储器映射
FFFFF
F0000
EFFFF
E0000
DFFFF
D0000
CFFFF
C0000
BFFFF
B0000
AFFFF
A0000
9FFFF
90000
8FFFF
80000
7FFFF
70000
6FFFF
60000
5FFFF
50000
4FFFF
40000
3FFFF
30000
2FFFF
20000
1FFFF
10000
0FFFF
00000
64KB的块
64KB的块
64KB的块
64KB的块
64KB的块
64KB的块
64KB的块
64KB的块
64KB的块
64KB的块
64KB的块
64KB的块
64KB的块
64KB的块
64KB的块
64KB的块
操作原理
该LH28F008SA包括片上写的自动化
管理写入和擦除功能。写状态
该机可进行100 ％的TTL电平控制输入;固定
在块擦除和写入的字节电源;和
与SRAM类似的界面最小的处理器开销
计时。
初始设备上电后，或由深回国后
省电模式（见总线的运行） ，该
LH28F008SA用作只读存储器。而不对
外部存储器控制引脚LATION允许阵列中读取，
待机和输出禁止操作。这两种状态
注册和智能识别符，也可以访问
通过命令的用户界面时， V
PP
= V
PPL
.
同样的操作子集，也可当
高电压被施加于V
PP
引脚。此外，高
在V电压
PP
使成功的块擦除和
该装置的字节写入。与相关联的所有功能
改变存储器的内容 - 写字节，块擦除，
状态和智能识别 - 通过该访问
命令的用户界面，并通过验证
状态寄存器。
28F008SA-4
图4.存储器映射
命令使用标准microproces-写
SOR的写时序。命令的用户界面内容
作为输入到WSM ，它控制块
擦除和字节写入电路。写周期也互
应受锁存器所需的字节写入地址和数据或
块擦除操作。使用相应的命令
写入寄存器，标准微处理器读
时序输出数组的数据，访问智能identi-
费里的代码，或输出字节写入和块擦除状态
进行验证。
5
LH28F008SA
8M （ 1M × 8 ）快闪记忆体
44引脚SOP
V
PP
RP
A
11
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
NC
NC
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
GND
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
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V
CC
CE
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
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A
18
A
19
NC
NC
NC
NC
WE
OE
RY / BY
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
V
CC
顶视图
该LH28F008SA在40引脚TSOP提供（标
准）封装。引脚分配简化电路板布局
在闪速存储器集成多个器件时
阵列或子系统。该设备采用一体化
命令的用户界面和状态机simpli-
田间块擦除和字节写操作。该LH28F008SA
内存映射由16个单独擦除
64K块。
SHARP的LH28F008SA采用了先进的CMOS
电路需要低功耗系统
和抗干扰能力。其85 ns的存取时间为
当磁相比，性能优越
存储介质。深省电模式可降低功耗
消耗1 μW通过V典型
CC
在por-关键
表计算，手持仪表等
低功耗应用。该PWD功率控制输入
还提供了系统中的绝对数据保护
电/掉电。
描述
该LH28F008SA是一个高性能的8M
在1M组织（ 8,388,608位）内存（ 1,048,576
每个8位字节）。十六64K （ 65,536字节）的块
包括在LH28F008SA 。存储器映射是
在本说明书中的图4所示。块擦除
操作擦除的存储器中的16块1
在一般为1.6秒时，独立于剩余的
块。每个块可独立擦除和
写十万个循环。擦除挂起模式可以让系
统软件暂停块擦除读取数据或
从LH28F008SA的任何其它块的执行代码。
该LH28F008SA是在40引脚TSOP提供
（薄小外形封装，1.2毫米厚）封装。
引脚排列如图本规范的图1 。
该命令的用户界面作为跨
微处理器或微控制器之间的脸
该LH28F008SA的内部操作。
字节写和块擦除自动化允许字节
使用执行写入和块擦除操作
一个双写命令序列与命令用户
界面。内部写状态机（ WSM ）
自动执行的算法和时序必要请
埃森的字节写和块擦除操作，
包括验证，从而unburdening微
处理器或微控制器。内存写入数据
通常在9微秒字节为单位进行的，一
改进目前的闪存产品的80％ 。
I
PP
字节写和块擦除电流10毫安典型
CAL 30 mA（最大值） 。 V
PP
字节写和块擦除
电压为11.4 V至12.5 V.
状态寄存器指示WSM状态
而当WSM成功完成所需要的
字节写和块擦除操作。
28F008SA-16
图2. 44引脚SOP配置
介绍
夏普的LH28F008SA 8M Flash文件内存
最高密度的非易失性读/写溶液
固态存储。该LH28F008SA的扩展
骑自行车，对称受阻架构，快速访问
时间，写自动化和低功耗亲
韦迪更可靠，低功耗，重量轻和
性能更高的替代传统的旋转磁盘
技术。该LH28F008SA带来了新的功能，
到便携式计算。应用和操作系
统软件存储在驻留闪存阵列
提供即时的快速执行就地保护和
通过在系统软件和灰从过时
更新。常驻软件还扩展系统BAT-
tery生活，通过减少磁盘驱动器增加relaibility
访问。
对于高密度的数据采集应用，
LH28F008SA提供一个更具成本效益和可靠的
替代SRAM和电池。传统的高
密度的嵌入式应用，如telecommuni-
阳离子，可以利用的LH28F008SA的
非易失性，阻塞和最小系统要求一码
ments灵活的固件和软件的模块化
设计。
2
LH28F008SA
8M （ 1M × 8 ）快闪记忆体
引脚说明
符号
TYPE
名称和功能
地址输入：
对于内存地址。地址在内部锁存
一个写周期。
数据输入/输出：
中的命令的用户界面的输入数据和命令
写周期;存储阵列中的数据输出。状态寄存器和标识读
周期。数据引脚是高电平有效和浮动三态时关闭芯片被取消
或者输出被禁止。数据在写周期期间内部锁存。
CHIP ENABLE ：
激活该设备的控制逻辑的输入缓存器，解码器，和
感测放大器。 CE
为低电平有效： CE
高取消选择的存储设备和
降低功耗的待机水平。
的PowerDown ：
将器件置于深深的省电模式。 PWD是低电平有效; PWD
高大的城门正常运行。 PWD也锁定了块擦除或写入的字节
操作时，低电平有效，在电源转换提供数据保护。
OUTPUT ENABLE ：
通过数据缓冲器在一个栅极上的设备的输出
读周期。 OE
为有效低电平。
写使能：
控制写入命令的用户界面和阵列模块。
WE为低电平有效。地址和数据锁存的上升沿
WE脉冲。
就绪/忙
：表示内部写状态机的状态。当较低，
表明WSM正在执行块擦除或字节写操作。 RY
/ BY
高表明WSM等待新的命令，块擦除或暂停
该设备在深省电模式。 RY
/ BY
始终是活动的，不漂浮
为三态时关闭芯片取消或数据输出被禁止。
块擦除/写入字节电源：
用于擦除该阵列的块或
写入每个块的字节数。
注意：
随着V
PP
＆ LT ; V
PPLMAX
，存储器的内容不能被改变。
器件电源：
(5 V ±10%, 5 V ±5%)
A
0
- A
19
输入
DQ
0
- DQ
7
输入/输出
CE
输入
PWD
输入
OE
输入
WE
输入
RY
/ BY
产量
V
PP
V
CC
GND
供应
供应
地
4
8M （ 1M × 8 ）快闪记忆体
LH28F008SA
该RY
/ BY
输出给出了一个附加的指示器
WSM活动，为硬件提供显能力
最终的状态（相对于软件轮询）和状态掩蔽
ING （中断背景擦除掩蔽，为
例子）。用RY状态轮询
/ BY
既减少
CPU开销和系统的功耗。当
低， RY
/ BY
表示WSM正在执行块
擦除或字节写操作。 RY
/ BY
高表明，
在WSM等待新的命令，块擦除
暂停或设备处于深度掉电模式。
最大存取时间为85纳秒（T
加
）上的COM
商用温度范围（ 0℃ + 70℃ ）和过V
CC
电源电压范围（ 4.5 V至5.5 V和4.75 V至
5.25 V ） 。我
CC
有功电流（CMOS读）为20mA典型
CAL 35 mA（最大值）为8 MHz。
当CE
和PWD引脚在V
CC
中，我
CC
CMOS待机模式下被启用。
深层掉电模式被启用的时候PWD
脚为GND ，降低功耗和亲
人们提供写保护。我
CC
目前在深度掉电
为0.20 μA典型。从需要400 ns的复位时间
高PWD切换到输出有效阅读
企图。等效地，该装置具有一个唤醒时间
1微秒的PWD高，直到写入命令用户
接口是由LH28F008SA识别。随着PWD
在GND时， WSM复位和状态寄存器
清除。
存储器映射
FFFFF
F0000
EFFFF
E0000
DFFFF
D0000
CFFFF
C0000
BFFFF
B0000
AFFFF
A0000
9FFFF
90000
8FFFF
80000
7FFFF
70000
6FFFF
60000
5FFFF
50000
4FFFF
40000
3FFFF
30000
2FFFF
20000
1FFFF
10000
0FFFF
00000
64KB的块
64KB的块
64KB的块
64KB的块
64KB的块
64KB的块
64KB的块
64KB的块
64KB的块
64KB的块
64KB的块
64KB的块
64KB的块
64KB的块
64KB的块
64KB的块
操作原理
该LH28F008SA包括片上写的自动化
管理写入和擦除功能。写状态
该机可进行100 ％的TTL电平控制输入;固定
在块擦除和写入的字节电源;和
与SRAM类似的界面最小的处理器开销
计时。
初始设备上电后，或由深回国后
省电模式（见总线的运行） ，该
LH28F008SA用作只读存储器。而不对
外部存储器控制引脚LATION允许阵列中读取，
待机和输出禁止操作。这两种状态
注册和智能识别符，也可以访问
通过命令的用户界面时， V
PP
= V
PPL
.
同样的操作子集，也可当
高电压被施加于V
PP
引脚。此外，高
在V电压
PP
使成功的块擦除和
该装置的字节写入。与相关联的所有功能
改变存储器的内容 - 写字节，块擦除，
状态和智能识别 - 通过该访问
命令的用户界面，并通过验证
状态寄存器。
28F008SA-4
图4.存储器映射
命令使用标准microproces-写
SOR的写时序。命令的用户界面内容
作为输入到WSM ，它控制块
擦除和字节写入电路。写周期也互
应受锁存器所需的字节写入地址和数据或
块擦除操作。使用相应的命令
写入寄存器，标准微处理器读
时序输出数组的数据，访问智能identi-
费里的代码，或输出字节写入和块擦除状态
进行验证。
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