乐山无线电公司, LTD 。
LGSOT12CLT1G
电气参数
符号
V
RM
V
BR
V
CL
I
RM
I
PPM
参数
对峙电压
击穿
电压
夹紧
电压
泄漏
当前
PEAK
脉冲电流
电气特性
最大
评级
对峙
产品编号
电压
@ V
RM
V
RM
V
LGSOT04CLT1G
LGSOT05CLT1G
LGSOT08CLT1G
LGSOT12CLT1G
LGSOT15CLT1G
最低
击穿
电压
1mA
V
BR
V
5.0
6.0
8.5
13.3
16.7
最大
夹紧
电压
1A
1)
最大
脉冲峰值
当前
泄漏
当前
最大
电容
0V , 1MHz的
C
pF
300
220
190
90
60
5A
1)
tp=8/20us
I
PPM
I
RM
A
20.0
20.0
5.0
1.0
1.0
V
CL
V
8.5
9.8
13.4
19.0
24
V
10.5
12.5
15.0
28.0
39.0
A
17
17
15
12
10
4.0
5.0
8.0
12.0
15.0
1 ) 0.8 / 20波形使用。 (见fig2 。 )
典型特征
Fig1 。峰值脉冲功率
VS脉冲时间
2/7
乐山无线电公司, LTD 。
LGSOT12CLT1G
应用说明
静电放电(ESD )是失败的电子系统中的一个主要原因。瞬态电压
抑制器( TVS)是用于ESD保护的理想选择。它们能够夹住进入瞬变的
到足够低的水平,使得损坏被保护
防止半导体。
表面贴装TVS阵列提供了最小的引线电感的最佳选择。他们作为并行
保护元件,连接在信号线之间的接地。作为短暂升高运作上述
该装置的电压时, TVS阵列变为低阻抗路径转向瞬态电流到地。
该
LGSOT12CLT1G
阵列是ESD敏感的半导体元件的理想的基板伊维尔基尼保护。
这种微小的SOT23封装使设计灵活性,高密度电路板的设计,其中的空间
节约是十分宝贵的。这使得能够缩短路由,并有助于硬化againt静电。
4/7