LF444四路低功耗JFET输入运算放大器
1998年5月
LF444
四路低功耗JFET输入运算放大器
概述
该LF444四路低功耗运算放大器提供
许多相同的AC特性作为业界标
准LM148 ，同时大大提高了直流特性
的LM148 。放大器有相同的带宽，回转
率，增益（ 10 kΩ的负载）为LM148 ，只绘制
四分之一的LM148的电源电流。此外，该
良好匹配的高电压JFET输入LF444的设备
降低输入偏置，并通过一个因子偏移电流
万在LM148 。该LF444也具有非常低的
等效输入噪声电压为低功率的放大器。
该LF444的引脚与LM148允许一种重兼容
调解4次降低功耗在许多应用
系统蒸发散。该LF444 ，应尽可能使用低功率耗散
而不能使和良好的电特性的主要
注意事项。
特点
n
n
n
n
n
一个LM148的/电源电流： 200 μA /放大器（最大值）
低输入偏置电流： 50 pA的（最大）
高增益带宽： 1兆赫
高压摆率： 1 V / μs的
噪音低电压低功耗
14
n
低输入噪声电流
n
高输入阻抗： 10
12
n
高增益V
O
=
±
10V ，R
L
= 10k:
50K （分钟）
简化的原理图
四1/4
接线图
双列直插式封装
DS009156-2
DS009156-1
订购信息
LF444XYZ
X
表明电工级
Y
表明温度范围
“M”用于军事， “C”为商业
Z
指示包类型的“D” ， “M”或“N”的
顶视图
订单号LF444AMD ， LF444CM ，
LF444ACN ， LF444CN或LF444MD / 883
见NS包装数D14E ， M14A或N14A
BI- FET
和BI -FET II
是美国国家半导体公司的商标。
1999美国国家半导体公司
DS009156
www.national.com
AC电气特性
符号
参数
放大器对放大器
耦合
SR
GBW
e
n
压摆率
增益带宽积
等效输入噪声电压
（注5 ）
条件
民
LF444A
典型值
120
最大
民
LF444
典型值
120
1
1
35
最大
dB
V / μs的
兆赫
单位
V
S
=
±
15V ，T
A
= 25C
V
S
=
±
15V ，T
A
= 25C
T
A
= 25 ° C，R
S
= 100,
F = 1千赫
T
A
= 25 ° C，F = 1千赫
1
1
35
i
n
等效输入噪声电流
0.01
0.01
注1 ：
除非另有说明，绝对最大负输入电压等于负电源电压。
注2 ：
任何放大器输出可短路然而到地下去，一个以上的不能同时短接的最大结
温度会超过。
注3 ：
对于在升高的温度下操作，这些设备必须基于一个热电阻降额
θ
jA
.
注4 ：
该LF444A是在商业温度范围0°C可用
≤
T
A
≤
70 ° C和军用温度范围-55°C
≤
T
A
≤
125C 。该LF444是
在商用温度范围内提供只。的温度范围内由位置正好在设备号的包类型之前指定。 “C ”
表示商用温度范围和一个“M”表示的军用温度范围。军用温度范围是在“D”只封装。
注5 ：
除非另有规定，规范适用于在整个温度范围和V
S
=
±
20V的LF444A和V
S
=
±
15V的LF444 。 V
OS
,
I
B
和我
OS
在V测量
CM
= 0.
注6 ：
输入偏置电流是结的漏电流，从而大约增加一倍，每10°C增加的结温度T
j
。由于有限的亲
牵拉试验时，测得的输入偏置电流相关的结温。在正常操作中的结温上升到高于环境温
perature的内部功耗，P结果
D
. T
j
= T
A
+
θ
jA
P
D
哪里
θ
jA
是从结点到环境的热阻。使用的散热器的建议
如果输入偏置电流将被保持在最低限度。
注7 ：
电源电压抑制比被测量为两个供电幅度增加或者按照通常的做法从同时减小
±
15V到
±
5V的LF444和
±
20V至
±
5V的LF444A 。
注8 ：
请参阅RETS444X的LF444MD军用规格。
注9 ：
马克斯。功耗是由包的特征来定义。附近操作最大的部分。功率耗散可能导致部分外操作
保障范围。
注10 ：
人体模型， 1.5 kΩ的串联100 pF的。
注11 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明该设备是功能条件
tional ，但不保证特定的性能极限。电气特性规定了直流和交流的试验条件下，瓜尔电气规范
antee个别性能指标。这是假设该设备在工作额度内。规格不保证参数在没有极限
给定，然而，典型值是设备性能的一个很好的迹象。
典型性能特性
输入偏置电流
输入偏置电流
电源电流
DS009156-12
DS009156-13
DS009156-14
3
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LF444
www.ti.com
SNOSC04D - 1998年5月 - 修订2013年3月
LF444四路低功耗JFET输入运算放大器
检查样品：
LF444
1
特点
电源电流LM148的： 200
μA /放大器
（最大）
低输入偏置电流： 50 pA的（最大）
高增益带宽： 1兆赫
高压摆率： 1 V / μs的
低噪声电压低功耗35纳伏/ √Hz的
低输入噪声电流0.01 PA / √Hz的
高输入阻抗： 10
12
Ω
高增益： 50K （分钟）
描述
该LF444四路低功耗运算放大器
提供了许多相同的AC特性的
行业标准LM148 ，同时大大提高了
在LM148的直流特性。该放大器具有
同样的带宽，压摆率和增益（ 10 kΩ的负载）
作为LM148 ，只有提请四分之一的供应
当前的LM148的。此外，良好的匹配
该LF444高压JFET输入设备减少
输入偏置和失调电流通过的一个因素
万在LM148 。该LF444也有一个非常
低等效输入噪声电压为低功率
放大器。
该LF444的引脚与LM148允许兼容
立即4次降低功耗的
许多应用程序。该LF444应使用
无论低功耗和良好的电
特点是主要的考虑因素。
简化的原理图
接线图
23
图1.四1/4
图2. PDIP / SOIC封装
顶视图
见包装数NAK0014D ， D0014A或
NFF0014A
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
1
2
3
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
BI- FET是德州仪器的商标。
所有其他商标均为其各自所有者的财产。
版权所有 1998年至2013年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
LF444
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绝对最大额定值
(1) (2) (3)
LF444A
电源电压
差分输入电压
输入电压范围
(4)
输出短路CircuitDuration
(5)
LF444
±18V
±30V
±15V
连续
D， NFF
套餐
670毫瓦
115°C
85°C/W
SEE
(8)
±22V
±38V
±19V
连续
NAK包
功耗
(6) (7)
T
j
最大
θ
jA
（典型值）
工作温度范围
ESD容差
(9)
存储温度范围
焊接信息
双列直插式封装（焊接， 10秒）
小外形封装
气相（ 60秒）
红外（15秒）。
(1)
900毫瓦
150°C
100°C/W
LF444A/LF444
评级待定
65°C ≤
T
A
≤
150°C
260°C
215°C
220°C
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
(9)
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件
该设备是功能，但不保证特定的性能极限。电气特性规定了直流和交流电气
特定的测试条件下，确保特定的性能限制下的规格。这假定该设备是内
工作额定值。规格不保证针对未给定参数的限制，然而，典型值是一个很好的迹象
的器件的性能。
如果是用于军事/航空专用设备，请联系TI销售办事处/经销商咨询具体可用性和规格。
请参阅RETS444X的LF444MD军用规格。
除非另有说明，绝对最大负输入电压等于负电源电压。
任何放大器输出可短路到地下去，然而，多于一个不应同时短路的
最高结温会被超过。
对于在升高的温度下操作，这些设备必须基于一个热电阻降额
θ
jA
.
马克斯。功耗是由包的特征来定义。附近操作最大的部分。功耗可能会导致
部分之外运作，确保限制。
该LF444A是在商业温度范围0°C可用
≤
T
A
≤
70℃和军用温度范围
55°C ≤
T
A
≤
125°C 。该LF444是唯一的商业级温度范围内使用。的温度范围内，由位置指定刚
之前，在设备数量的封装类型。 “C ”表示商用温度范围和一个“M”表示的军事
温度范围。军用温度范围是在“ NAK ”只封装。
人体模型， 1.5 kΩ的串联100 pF的。
(1)
DC电气特性
符号
V
OS
参数
输入失调电压
条件
民
R
S
= 10K ，T
A
= 25°C
0°C
≤
T
A
≤
+70°C
55°C ≤
T
A
≤
+125°C
LF444A
典型值
2
最大
5
6.5
8
10
民
LF444
典型值
3
最大
10
12
单位
mV
mV
mV
ΔV
OS
/ΔT
I
OS
输入的平均TC偏移
电压
输入失调电流
R
S
= 10 kΩ
V
S
= ±15V
(1)
(2)
10
25
1.5
10
5
50
1.5
10
100
3
μV/°C
pA
nA
nA
pA
nA
nA
T
j
= 25°C
T
j
= 70°C
T
j
= 125°C
5
I
B
输入偏置电流
V
S
= ±15V
(1)
(2)
T
j
= 25°C
T
j
= 70°C
T
j
= 125°C
10
50
3
20
(1)
(2)
除非另有规定，规范适用于在整个温度范围和V
S
= ± 20V的LF444A和V
S
= ±15V
为LF444 。 V
OS
, I
B
和我
OS
在V测量
CM
= 0.
输入偏置电流是结的漏电流，从而大约增加一倍，每增加10℃的结温，
T
j
。由于产量有限的测试时间，测试其输入偏置电流相关的结温。在正常操作中
结温度上升到高于环境温度的内部功耗，磷的结果
D
. T
j
= T
A
+
θ
jA
P
D
哪里
θ
jA
为
从结点到环境的热阻。使用的散热器的建议，如果输入偏置电流将被保持在最低限度。
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DC电气特性
(1)
（续）
符号
R
IN
A
VOL
参数
输入阻抗
大信号电压增益
T
j
= 25°C
V
S
= ±15V, V
O
= ±10V
R
L
= 10 kΩ的，T
A
= 25°C
过温
V
O
V
CM
CMRR
PSRR
I
S
(3)
输出电压摆幅
输入共模
电压范围
共模
抑制比
电源电压
抑制比
电源电流
0.6
0.8
0.6
1.0
mA
SEE
(3)
80
100
70
90
dB
R
S
≤
10 kΩ
80
V
S
= ± 15V ，R
L
= 10 kΩ
25
±12
±16
±13
+18
17
100
70
15
±12
±11
±13
+14
12
95
V / MV
V
V
V
dB
50
条件
民
LF444A
典型值
10
12
100
25
最大
民
LF444
典型值
10
12
100
最大
Ω
V / MV
单位
电源电压抑制比被测量为两个供电幅度增加或同时减少根据
从± 15V常见的做法是± 5V的LF444和± 20V到± 5V的LF444A 。
(1)
AC电气特性
符号
参数
放大器对放大器
耦合
SR
GBW
e
n
i
n
(1)
压摆率
增益带宽积
等效输入噪声电压
等效输入噪声电流
条件
民
LF444A
典型值
120
最大
民
LF444
典型值
120
1
1
35
0.01
最大
单位
dB
V / μs的
兆赫
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
V
S
= ± 15V ，T
A
= 25°C
V
S
= ± 15V ，T
A
= 25°C
T
A
= 25 ° C，R
S
= 100Ω,
F = 1千赫
T
A
= 25 ° C，F = 1千赫
1
1
35
0.01
除非另有规定，规范适用于在整个温度范围和V
S
= ± 20V的LF444A和V
S
= ±15V
为LF444 。 V
OS
, I
B
和我
OS
在V测量
CM
= 0.
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典型性能特性
输入偏置电流
输入偏置电流
网络连接gure 3 。
图4中。
正共模
输入电压限制
电源电流
图5中。
负共模
输入电压限制
图6 。
正电流限制
图7 。
网络连接gure 8 。
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典型性能特性（续）
负电流限制
输出电压摆幅
图9 。
输出电压摆幅
网络连接gure 10 。
增益带宽
图11 。
波德图
图12 。
压摆率
图13 。
图14 。
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