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LF444QML
LF444QML四路低功耗JFET输入运算放大器
文献编号: SNOSAO9
LF444QML四路低功耗JFET输入运算放大器
2010年10月16日
LF444QML
四路低功耗JFET输入运算放大器
概述
该LF444四路低功耗运算放大器提供
许多相同的AC特性的行业标准
LM148的同时大大提高了DC特性
LM148 。放大器有相同的带宽,压摆率,并
增益( 10 kΩ的负载)为LM148 ,只有提请四分之一
在LM148的供电电流。此外,匹配良好的高
对LF444的电压JFET输入设备降低输入偏置
和由10000在LM148的因子偏移电流。该
LF444也具有非常低的等效输入噪声电压为
低功率的放大器。
该LF444的引脚与LM148允许一种重兼容
调解4次降低功耗在许多应用
系统蒸发散。该LF444 ,应尽可能使用低功耗
耗散和良好的电特性的主要
注意事项。
特点
一个LM148的四分之一电源电流:
250 μA /放大器
(最大)
低输入偏置电流: 100 pA的(最大)
高增益带宽: 1兆赫
高压摆率: 1 V / μs的
噪音低电压低功耗
低输入噪声电流
高输入阻抗: 10
12
Ω
高增益,V
O
= ± 10V ,R
L
= 10KΩ : 25K (分钟)
订购信息
NS型号
LF444MD/883
SMD零件编号
NS包装数
D14D
包装说明
14LD Sidebraze陶瓷DIP
接线图
双列直插式封装
20149502
顶视图
见NS包装数D14D
BI- FET
是美国国家半导体公司的注册商标。
2010美国国家半导体公司
201495
www.national.com
LF444QML
简化的原理图
四1/4
20149501
详细图解
四1/4
20149511
www.national.com
2
LF444QML
绝对最大额定值
(注
1)
电源电压
差分输入电压
输入电压范围(注
4)
输出短路持续时间(注
5)
功率耗散(注
2),
(注
3)
T
JMAX
θ
JA
(典型值)
工作温度范围
存储温度范围
ESD容差(注
6)
±18V
±30V
±15V
连续
900毫瓦
150°C
100°C/W
65°C
T
A
150°C
评级待定
55°C
T
A
125°C
质量一致性检验
MIL -STD -883方法5005 - A组
小组
1
2
3
4
5
6
7
8A
8B
9
10
11
12
13
14
描述
在静态测试
在静态测试
在静态测试
在动态测试
在动态测试
在动态测试
在功能测试
在功能测试
在功能测试
开关在试验
开关在试验
开关在试验
稳定时间
稳定时间
稳定时间
TEMP (℃)
+25
+125
-55
+25
+125
-55
+25
+125
-55
+25
+125
-55
+25
+125
-55
3
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LF444QML
LF444电气特性
DC参数
以下条件适用,除非另有规定。
符号
V
IO
I
IO
+I
IB
-I
IB
+A
VS
-A
VS
+V
O
-V
O
V
CM
CMRR
PSRR +
PSRR-
I
S
+I
OS
-I
OS
参数
输入失调电压
输入失调电流
输入偏置电流
输入偏置电流
大信号电压增益
大信号电压增益
输出电压摆幅
输出电压摆幅
输入共模电压
范围
共模抑制比
电源抑制比
电源抑制比
电源电流
输出短路电流
输出短路电流
V
I
= 1V
V
I
= -1V
-3.0
-3.0
3.0
3.0
R
S
= 10kΩ的,V
CM
= ±9V
V
S
= ± 15V到V
S
= ±6V
V
S
= ± 15V到V
S
= ±6V
V
S
= ±15V, V
CM
= 0V ,R
S
= 0,
R
L
= 0
笔记
-10
-14
-0.05
-10
-0.10
-20
-0.10
-20
(注
8)
(注
8)
25
15
25
15
12
-12
(注
7)
9
70
70
70
1.0
-20
-40
20
40
-9
最大
10
14
0.05
10
0.10
20
0.10
20
单位
mV
mV
nA
nA
nA
nA
nA
nA
V / MV
V / MV
V / MV
V / MV
V
V
V
dB
dB
dB
mA
mA
mA
mA
mA
SUB -
群体
1
2, 3
1
2
1
2
1
2
1
2, 3
1
2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1
2, 3
1
2, 3
条件
R
S
= 10K
R
L
= 10K
R
L
= 10K
R
L
= 10K
V
O
= 0到+ 10V,
R
L
= 10kΩ的,R
S
= 10K
V
O
= 0 -10V ,
R
L
= 10kΩ的,R
S
= 10K
R
L
= 10kΩ的,V
I
= +1V
R
L
= 10kΩ的,V
I
= -1V
注1 :
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件,该设备是
功能,但不保证特定的性能极限。关于规范保证和测试环境,请参阅电气特性。保证
规格仅适用于列出的测试条件。一些性能特性可能会降低,当设备没有下所列出的测试操作
条件。
注2 :
最大功耗必须在高温下会减小,由T决定
JMAX
(最大结温)
θ
JA
(包
结到环境的热阻)和T
A
(环境温度) 。在任何温度下的最大允许功耗为:P
DMAX
= (T
JMAX
- T
A
)/
θ
JA
还是在绝对最大额定值给出的数字,以较低者为准。
注3 :
马克斯。功耗是由包的特征来定义。附近操作最大的部分。功率耗散可能导致部分操作
外担保的限制。
注4 :
除非另有说明,绝对最大负输入电压等于负电源电压。
注5 :
任何放大器输出可短路然而到地下去,一个以上的不能同时短接的最大结
温度会超过。
注6 :
人体模型, 1.5 kΩ的串联100 pF的。
注7 :
参数测试复不走而已。受CMRR测试保证。
注8 :
数据记录在K = V / mV的。
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