LF444四路低功耗JFET输入运算放大器
1998年5月
LF444
四路低功耗JFET输入运算放大器
概述
该LF444四路低功耗运算放大器提供
许多相同的AC特性作为业界标
准LM148 ，同时大大提高了直流特性
的LM148 。放大器有相同的带宽，回转
率，增益（ 10 kΩ的负载）为LM148 ，只绘制
四分之一的LM148的电源电流。此外，该
良好匹配的高电压JFET输入LF444的设备
降低输入偏置，并通过一个因子偏移电流
万在LM148 。该LF444也具有非常低的
等效输入噪声电压为低功率的放大器。
该LF444的引脚与LM148允许一种重兼容
调解4次降低功耗在许多应用
系统蒸发散。该LF444 ，应尽可能使用低功率耗散
而不能使和良好的电特性的主要
注意事项。
特点
n
n
n
n
n
一个LM148的/电源电流： 200 μA /放大器（最大值）
低输入偏置电流： 50 pA的（最大）
高增益带宽： 1兆赫
高压摆率： 1 V / μs的
噪音低电压低功耗
14
n
低输入噪声电流
n
高输入阻抗： 10
12
n
高增益V
O
=
±
10V ，R
L
= 10k:
50K （分钟）
简化的原理图
四1/4
接线图
双列直插式封装
DS009156-2
DS009156-1
订购信息
LF444XYZ
X
表明电工级
Y
表明温度范围
“M”用于军事， “C”为商业
Z
指示包类型的“D” ， “M”或“N”的
顶视图
订单号LF444AMD ， LF444CM ，
LF444ACN ， LF444CN或LF444MD / 883
见NS包装数D14E ， M14A或N14A
BI- FET
和BI -FET II
是美国国家半导体公司的商标。
1999美国国家半导体公司
DS009156
www.national.com
AC电气特性
符号
参数
放大器对放大器
耦合
SR
GBW
e
n
压摆率
增益带宽积
等效输入噪声电压
（注5 ）
条件
民
LF444A
典型值
120
最大
民
LF444
典型值
120
1
1
35
最大
dB
V / μs的
兆赫
单位
V
S
=
±
15V ，T
A
= 25C
V
S
=
±
15V ，T
A
= 25C
T
A
= 25 ° C，R
S
= 100,
F = 1千赫
T
A
= 25 ° C，F = 1千赫
1
1
35
i
n
等效输入噪声电流
0.01
0.01
注1 ：
除非另有说明，绝对最大负输入电压等于负电源电压。
注2 ：
任何放大器输出可短路然而到地下去，一个以上的不能同时短接的最大结
温度会超过。
注3 ：
对于在升高的温度下操作，这些设备必须基于一个热电阻降额
θ
jA
.
注4 ：
该LF444A是在商业温度范围0°C可用
≤
T
A
≤
70 ° C和军用温度范围-55°C
≤
T
A
≤
125C 。该LF444是
在商用温度范围内提供只。的温度范围内由位置正好在设备号的包类型之前指定。 “C ”
表示商用温度范围和一个“M”表示的军用温度范围。军用温度范围是在“D”只封装。
注5 ：
除非另有规定，规范适用于在整个温度范围和V
S
=
±
20V的LF444A和V
S
=
±
15V的LF444 。 V
OS
,
I
B
和我
OS
在V测量
CM
= 0.
注6 ：
输入偏置电流是结的漏电流，从而大约增加一倍，每10°C增加的结温度T
j
。由于有限的亲
牵拉试验时，测得的输入偏置电流相关的结温。在正常操作中的结温上升到高于环境温
perature的内部功耗，P结果
D
. T
j
= T
A
+
θ
jA
P
D
哪里
θ
jA
是从结点到环境的热阻。使用的散热器的建议
如果输入偏置电流将被保持在最低限度。
注7 ：
电源电压抑制比被测量为两个供电幅度增加或者按照通常的做法从同时减小
±
15V到
±
5V的LF444和
±
20V至
±
5V的LF444A 。
注8 ：
请参阅RETS444X的LF444MD军用规格。
注9 ：
马克斯。功耗是由包的特征来定义。附近操作最大的部分。功率耗散可能导致部分外操作
保障范围。
注10 ：
人体模型， 1.5 kΩ的串联100 pF的。
注11 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明该设备是功能条件
tional ，但不保证特定的性能极限。电气特性规定了直流和交流的试验条件下，瓜尔电气规范
antee个别性能指标。这是假设该设备在工作额度内。规格不保证参数在没有极限
给定，然而，典型值是设备性能的一个很好的迹象。
典型性能特性
输入偏置电流
输入偏置电流
电源电流
DS009156-12
DS009156-13
DS009156-14
3
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