LF442双路低功耗JFET输入运算放大器
1999年4月
LF442
双路低功耗JFET输入运算放大器
概述
该LF442双低功率运算放大器提供
许多相同的AC特性作为业界标
准LM1458同时大大提高DC特性
的LM1458 。该放大器具有相同的带宽，
压摆率和增益（ 10 kΩ的负载）为LM1458 ，只
画的十分之一的LM1458的供电电流。此外
的的良好匹配的高压JFET输入设备
LF442减少输入偏置，并通过一个因子偏移电流
万以上的LM1458 。精心布局DE-组合
签署和内部微调的保证极低的输入失调
电压和电压漂移。该LF442也具有非常低的
等效输入噪声电压为低功率的放大器。
该LF442的引脚与LM1458允许的兼容
眼前的10倍降低功耗在许多应用程序
阳离子。该LF442应该使用其中的低功率耗散
而不能使和良好的电特性是主要的CON-
siderations 。
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
一个LM1458的1/10电源电流： 400 μA （最大值）
低输入偏置电流： 50 pA的（最大）
低输入偏移电压： 1毫伏（最大）
低输入失调电压漂移： 10 μV / ℃（最大值）
高增益带宽： 1兆赫
高压摆率： 1 V / μs的
噪音低电压低功耗：
低输入噪声电流：
高输入阻抗： 10
12
高增益V
O
=
±
10V ，R
L
= 10K ： 50K （分钟）
典型连接
连接图
金属罐包装
DS009155-2
4脚连接情况
DS009155-1
订购信息
LF442XYZ
X
表明电工级
Y
表明温度范围
“M”为军事
“C”为商业
Z
表示封装类型
“H”或“N”的
顶视图
订单号LF442AMH或LF442MH
或LF442MH / 883
见NS包装数H08A
双列直插式封装
DS009155-4
顶视图
订单号LF442ACN或LF442CN
见NS包装数N08E
BI- FET II
是美国国家半导体公司的商标。
1999美国国家半导体公司
DS009155
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AC电气特性
（注7 ） （续）
注1 ：
“绝对最大额定值”，表示以后可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件，该设备是
功能，但不保证特定的性能极限。
注2 ：
除非另有说明，绝对最大负输入电压等于负电源电压。
注3 ：
任何放大器输出可短路然而到地下去，一个以上的不能同时短接的最大结
温度会超过。
注4 ：
给定的值是400线性英尺/分钟的空气流量。
注5 ：
给出的值是在静态空气中。
注6 ：
这些设备在商业温度范围0°C可
≤
T
A
≤
70 ° C和军用温度范围-55°C
≤
T
A
≤
125C 。在温
温度范围内通过的位置正好在设备号的包类型之前指定。 “C ”代表商业级温度范围和“M ”则定义
凯茨的军用温度范围。军用温度范围为“H ”只封装。
注7 ：
除另有规定外，该规范适用于在整个温度范围和V
S
=
±
20V的LF442A和V
S
=
±
15V的LF442 。
V
OS
, I
B
和我
OS
在V测量
CM
= 0.
注8 ：
输入偏置电流是结的漏电流，从而大约增加一倍，每10°C增加的结温度T
j
。由于有限的亲
牵拉试验时，测得的输入偏置电流相关的结温。在正常操作中的结温上升到高于环境温
perature的内部功耗，P结果
D
. T
j
= T
A
+
θ
jA
P
D
哪里
θ
jA
是从结点到环境的热阻。使用的散热器的建议
如果输入偏置电流将被保持在最低限度。
注9 ：
电源电压抑制比被测量为两个供电幅度增加或者按照通常的做法从同时减小
±
15V到
±
5V的LF442和
±
20V至
±
5V的LF442A 。
注10 ：
请参阅RETS442X的LF442MH军用规格。
典型性能特性
输入偏置电流
输入偏置电流
电源电流
DS009155-17
DS009155-18
DS009155-19
正共模
输入电压限制
负共模
输入电压限制
正电流限制
DS009155-22
DS009155-20
DS009155-21
3
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LF442QML双路低功耗JFET输入运算放大器
2010年12月16日
LF442QML
双路低功耗JFET输入运算放大器
概述
该LF442双低功率运算放大器提供
许多相同的AC特性的行业标准
LM1458同时大大提高了DC特性
LM1458 。放大器有相同的带宽，回转速率，
和增益（ 10 kΩ的负载）为LM1458 ，只有平1
第十LM1458的电源电流。此外，井
匹配的高电压JFET输入LF442的设备减少
输入偏置和失调电流通过10000多因素
该LM1458 。精心布局的设计和IN的组合
ternal修整保证极低的输入失调电压和
电压漂移。该LF442也有一个非常低的等效输入
噪声电压为低功率的放大器。
该LF442的引脚与LM1458允许一种重兼容
调解10次降低功耗在许多应用
系统蒸发散。该LF442应该使用其中的低功耗
和良好的电特性是主要加以考虑
系统蒸发散。
特点
■
■
■
■
■
■
■
■
■
一个LM1458的1/10供电电流：
400 μA
（最大）
低输入偏置电流： 50 pA的（典型值）
低输入失调电压为1 mV （典型值）
低输入失调电压漂移： 7
μV/°C
（典型值）
高增益带宽： 1 MHz（典型值）
高压摆率： 1 V / μs（典型值）
（典型值）
噪音低电压低功耗：
低输入噪声电流：
（典型值）
高输入阻抗： 10
12
Ω
订购信息
NS Paart号码
LF442MH/883
SMD零件编号
5962-9763301QGA
NS包装数
H08C
包装说明
8引脚T0-99金属罐
典型连接
接线图
金属罐包装
20149402
4脚连接情况
20149401
顶视图
见NS包装数H08C
BI- FET II 是美国国家半导体公司的商标。
2010美国国家半导体公司
201494
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LF442QML
LF442电气特性
DC参数
以下条件适用，除非另有规定。
符号
I
CC
V
IO
±I
IB
I
IO
CMRR
参数
电源电流
输入失调电压
输入偏置电流
输入失调电流
共模抑制比
V
CM
= ± 11V ，R
S
= 10K
V
S+
= + 15V至+ 6V ，
V
S-
= -15V
V
S-
= -15V至-6V ，
V
S+
= +15V
V
O
= 0V至+ 10V ，
R
L
= 10K
V
O
= 0V至-10V ，
R
L
= 10K
V
I
= ± 11V ，R
L
= 10K
V
I
= ± 11V ，R
L
= 10K
（注
6)
11
（注
7)
（注
7)
-0.05
-10
70
70
70
25
15
25
15
12
-12
-11
R
S
= 10K
-5.0
-7.5
V
S
= ±15V, V
CM
= 0V ，R
S
= 0
笔记
民
最大
500
5.0
7.5
0.1
20
0.05
10
单位
A
mV
mV
nA
nA
nA
nA
dB
dB
dB
V / MV
V / MV
V / MV
V / MV
V
V
V
SUB -
群体
1, 2, 3
1
2, 3
1
2
1
2
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
4
5, 6
4
5, 6
4, 5, 6
4, 5, 6
4, 5, 6
条件
PSRR
电源抑制比
+A
VS
-A
VS
V
O+
V
O-
V
CM
大信号电压增益
大信号电压增益
输出电压摆幅
输出电压摆幅
输入共模电压
范围
AC参数
以下条件适用，除非另有规定。
符号
SR
+
压摆率
参数
V
S
= ±15V, V
CM
= 0V ，R
S
= 0
笔记
民
0.6
最大
单位
V / μs的
SUB -
群体
7
条件
V
O
= -5V到+ 5V ，A
V
= 1,
R
L
=为2kΩ ，C
L
- 100pF的
V
O
= + 5V至-5V ，
SR
-
GBW
压摆率
增益频带宽度
A
V
= 1, R
L
= 2K,
C
L
- 100pF的
V
I
= 50mV的， = 20KHz的
0.6
0.6
V / μs的
兆赫
7
7
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件，该设备是
功能，但不保证特定的性能极限。关于规范保证和测试环境，请参阅电气特性。保证
规格仅适用于列出的测试条件。一些性能特性可能会降低，当设备没有下所列出的测试操作
条件。
注2 ：
最大功耗必须在高温下会减小，由T决定
JMAX
（最大结温）
θ
JA
（包
结到环境的热阻）和T
A
（环境温度） 。在任何温度下的最大允许功耗为：P
DMAX
= (T
JMAX
- T
A
)/
θ
JA
还是在绝对最大额定值给出的数字，以较低者为准。
注3 ：
除非另有说明，绝对最大负输入电压等于负电源电压。
注4 ：
任何放大器输出可短路然而到地下去，一个以上的不能同时短接的最大结
温度会超过。
注5 ：
人体模型， 100pF电容通过1.5KΩ出院
注6 ：
测试的参数去，不走只有通过CMRR测试保证..
注7 ：
V / mV的单位中列相当于K的数据记录。
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4
QQ：2880707522 复制
