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LF442双路低功耗JFET输入运算放大器
1999年4月
LF442
双路低功耗JFET输入运算放大器
概述
该LF442双低功率运算放大器提供
许多相同的AC特性作为业界标
准LM1458同时大大提高DC特性
的LM1458 。该放大器具有相同的带宽,
压摆率和增益( 10 kΩ的负载)为LM1458 ,只
画的十分之一的LM1458的供电电流。此外
的的良好匹配的高压JFET输入设备
LF442减少输入偏置,并通过一个因子偏移电流
万以上的LM1458 。精心布局DE-组合
签署和内部微调的保证极低的输入失调
电压和电压漂移。该LF442也具有非常低的
等效输入噪声电压为低功率的放大器。
该LF442的引脚与LM1458允许的兼容
眼前的10倍降低功耗在许多应用程序
阳离子。该LF442应该使用其中的低功率耗散
而不能使和良好的电特性是主要的CON-
siderations 。
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
一个LM1458的1/10电源电流: 400 μA (最大值)
低输入偏置电流: 50 pA的(最大)
低输入偏移电压: 1毫伏(最大)
低输入失调电压漂移: 10 μV / ℃(最大值)
高增益带宽: 1兆赫
高压摆率: 1 V / μs的
噪音低电压低功耗:
低输入噪声电流:
高输入阻抗: 10
12
高增益V
O
=
±
10V ,R
L
= 10K : 50K (分钟)
典型连接
连接图
金属罐包装
DS009155-2
4脚连接情况
DS009155-1
订购信息
LF442XYZ
X
表明电工级
Y
表明温度范围
“M”为军事
“C”为商业
Z
表示封装类型
“H”或“N”的
顶视图
订单号LF442AMH或LF442MH
或LF442MH / 883
见NS包装数H08A
双列直插式封装
DS009155-4
顶视图
订单号LF442ACN或LF442CN
见NS包装数N08E
BI- FET II
是美国国家半导体公司的商标。
1999美国国家半导体公司
DS009155
www.national.com
绝对最大额定值
(注1 )
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压
差分输入电压
输入电压范围
(注2 )
输出短路
持续时间(注3)
T
j
最大
LF442A
±
22V
±
38V
±
19V
连续
H封装
150C
LF442
±
18V
±
30V
±
15V
连续
N包装
115C
θ
JA
(典型值)
(注4 )
(注5 )
θ
JC
(典型值)
工作温度
范围
存储
温度范围
焊接温度
(焊接, 10秒)
ESD容差
H封装
65C/W
165C/W
21C/W
(注5 )
N包装
114C/W
152C/W
(注5 )
65C≤T
A
≤150C
65C≤T
A
≤150C
260C
260C
评级待定
DC电气特性
符号
V
OS
V
OS
/T
I
OS
参数
输入失调电压
输入的平均TC
失调电压
输入失调电流
V
S
=
±
15V
(注7,8)
I
B
输入偏置电流
V
S
=
±
15V
(注7,8)
R
IN
A
VOL
输入阻抗
大信号电压
收益
V
O
V
CM
CMRR
PSRR
I
S
输出电压摆幅
输入共模
电压范围
共模
抑制比
电源电压
抑制比
电源电流
(注9 )
R
S
10 k
(注7 )
LF442A
典型值
0.5
7
T
j
= 25C
T
j
= 70C
T
j
= 125C
T
j
= 25C
T
j
= 70C
T
j
= 125C
5
最大
1.0
10
25
1.5
10
10
50
3
20
10
50
25
12
条件
R
S
= 10 kΩ的,T
A
= 25C
过温
R
S
= 10 k
LF442
典型值
1.0
7
5
50
1.5
10
100
3
10
25
15
12
单位
最大
5.0
7.5
mV
mV
μV/°C
pA
nA
nA
pA
nA
nA
V / MV
V / MV
V
V
V
dB
dB
500
A
T
j
= 25C
V
S
=
±
15V, V
O
=
±
10V,
R
L
= 10 kΩ的,T
A
= 25C
过温
V
S
=
±
15V ,R
L
= 10 k
200
200
200
200
±
12
±
16
80
80
±
13
+18
17
100
100
300
400
±
12
±
11
70
70
±
13
+14
12
95
90
400
AC电气特性
符号
参数
放大器放大器
耦合
SR
GBW
e
n
i
n
压摆率
增益带宽积
等效输入噪声
电压
等效输入噪声
当前
www.national.com
(注7 )
LF442A
典型值
120
0.8
0.8
1
1
35
0.01
0.6
0.6
最大
LF442
典型值
120
1
1
35
0.01
最大
dB
V / μs的
兆赫
单位
条件
T
A
= 25 , F = 1 Hz至20 kHz的
(输入参考)
V
S
=
±
15V ,T
A
= 25C
V
S
=
±
15V ,T
A
= 25C
T
A
= 25 ° C,R
S
= 100,
F = 1千赫
T
A
= 25 ° C,F = 1千赫
2
AC电气特性
(注7 ) (续)
注1 :
“绝对最大额定值”,表示以后可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件,该设备是
功能,但不保证特定的性能极限。
注2 :
除非另有说明,绝对最大负输入电压等于负电源电压。
注3 :
任何放大器输出可短路然而到地下去,一个以上的不能同时短接的最大结
温度会超过。
注4 :
给定的值是400线性英尺/分钟的空气流量。
注5 :
给出的值是在静态空气中。
注6 :
这些设备在商业温度范围0°C可
T
A
70 ° C和军用温度范围-55°C
T
A
125C 。在温
温度范围内通过的位置正好在设备号的包类型之前指定。 “C ”代表商业级温度范围和“M ”则定义
凯茨的军用温度范围。军用温度范围为“H ”只封装。
注7 :
除另有规定外,该规范适用于在整个温度范围和V
S
=
±
20V的LF442A和V
S
=
±
15V的LF442 。
V
OS
, I
B
和我
OS
在V测量
CM
= 0.
注8 :
输入偏置电流是结的漏电流,从而大约增加一倍,每10°C增加的结温度T
j
。由于有限的亲
牵拉试验时,测得的输入偏置电流相关的结温。在正常操作中的结温上升到高于环境温
perature的内部功耗,P结果
D
. T
j
= T
A
+
θ
jA
P
D
哪里
θ
jA
是从结点到环境的热阻。使用的散热器的建议
如果输入偏置电流将被保持在最低限度。
注9 :
电源电压抑制比被测量为两个供电幅度增加或者按照通常的做法从同时减小
±
15V到
±
5V的LF442和
±
20V至
±
5V的LF442A 。
注10 :
请参阅RETS442X的LF442MH军用规格。
典型性能特性
输入偏置电流
输入偏置电流
电源电流
DS009155-17
DS009155-18
DS009155-19
正共模
输入电压限制
负共模
输入电压限制
正电流限制
DS009155-22
DS009155-20
DS009155-21
3
www.national.com
典型性能特性
负电流限制
(续)
输出电压摆幅
输出电压摆幅
DS009155-23
DS009155-24
DS009155-25
增益带宽
波德图
压摆率
DS009155-26
DS009155-27
DS009155-28
失真与频率
不失真输出电压
摇摆
开环频率
响应
DS009155-29
DS009155-30
DS009155-31
www.national.com
4
典型性能特性
共模抑制
(续)
电源抑制
等效输入噪声
电压
DS009155-32
DS009155-33
DS009155-34
开环电压增益
输出阻抗
逆变器建立时间
DS009155-35
DS009155-36
DS009155-37
脉冲响应
R
L
= 10 kΩ的,C
L
= 10 pF的
小信号同相
小信号反相
DS009155-7
DS009155-8
5
www.national.com
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    联系人:杨小姐
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