LF412
绝对最大额定值
（注2 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
（注11 ）
LF412A
电源电压
差分输入电压
输入电压范围
（注3）
输出短路
持续时间（注4 ）
连续
H封装
功耗
连续
N包装
LF412
（注12 ）
T
j
最大
θ
jA
（典型值）
工作温度。范围
储存温度。
范围
铅温度。
（焊接， 10秒）
H封装
（注5 ）
150C
152C/W
（注6 ）
N包装
670毫瓦
115C
115C/W
（注6 ）
65C≤T
A
≤150C
65C≤T
A
≤150C
±
22V
±
38V
±
19V
±
18V
±
30V
±
15V
260C
1700V
260C
1700V
ESD容差
（注13 ）
DC电气特性
（注7 ）
符号
V
OS
V
OS
/T
I
OS
参数
输入失调电压
输入的平均TC
失调电压
输入失调电流
V
S
=
±
15V
（注7,9）
I
B
输入偏置电流
V
S
=
±
15V
（注7,9）
R
IN
A
VOL
输入阻抗
大信号电压
收益
V
O
V
CM
CMRR
PSRR
I
S
输出电压摆幅
输入共模
电压范围
共模
抑制比
电源电压
抑制比
电源电流
V
O
= 0V ，R
L
=
∞
3.6
5.6
3.6
6.5
mA
（注10 ）
80
100
70
100
dB
R
S
≤10k
80
T
j
=25C
V
S
=
±
15V, V
O
=
±
10V,
R
L
= 2K ，T
A
=25C
过温
V
S
=
±
15V ，R
L
=10k
25
200
15
200
V / MV
V
V
V
dB
50
T
j
=25C
T
j
=70C
T
j
=125C
T
j
=25C
T
j
=70C
T
j
=125C
10
12
条件
民
R
S
= 10 kΩ的，T
A
=25C
R
S
= 10 kΩ的（注8 ）
LF412A
典型值
0.5
7
25
最大
1.0
10
100
2
25
50
200
4
50
民
LF412
典型值
1.0
7
25
最大
3.0
20
100
2
25
50
200
4
50
10
25
12
单位
mV
μV/°C
pA
nA
nA
pA
nA
nA
V / MV
200
200
±
12
±
16
±
13.5
+19.5
16.5
100
±
12
±
11
70
±
13.5
+14.5
11.5
100
注2 ：
“绝对最大额定值”，表示以后可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件，该设备是
功能，但不保证特定的性能极限。
AC电气特性
（注7 ）
符号
参数
放大器放大器
耦合
SR
GBW
压摆率
增益带宽积
条件
民
T
A
= 25 ° C，F = 1 Hz至20 kHz的
（输入参考）
V
S
=
±
15V ，T
A
=25C
V
S
=
±
15V ，T
A
=25C
10
3
15
4
8
2.7
15
4
V / μs的
兆赫
LF412A
典型值
120
最大
民
LF412
典型值
120
最大
dB
单位
3
www.national.com
LF412
AC电气特性
（注7 ）
符号
THD
参数
总谐波DIST
（续）
LF412A
民
典型值
≤0.02
最大
民
LF412
典型值
≤0.02
最大
%
单位
条件
A
V
=+10, R
L
=10k,
V
O
= 20 Vp-p的，
BW = 20 Hz至20 kHz的
T
A
= 25 ° C，R
S
=100,
F = 1千赫
T
A
= 25 ° C，F = 1千赫
e
n
i
n
等效输入噪声
电压
等效输入噪声
当前
25
0.01
25
0.01
注3 ：
除非另有说明，绝对最大负输入电压等于负电源电压。
注4 ：
任何放大器输出可与地短接indefintely ，然而，多于一个不应同时短路的最大结
温度会超过。
注5 ：
对于在升高的温度下操作，这些设备必须基于一个热电阻降额
θ
jA
.
注6 ：
这些设备在商业温度范围内提供0C≤T
A
≤70C
和军用温度范围-55C≤T
A
≤125C.
该
温度范围由位置正好在设备号的包类型之前指定。 “C ”代表商业级温度范围和“M”
指示军用温度范围。军用温度范围为“H ”只封装。在所有情况下的最高工作温度限制
通过内部结温度T
j
马克斯。
注7 ：
除另有规定外，该规范适用于在整个温度范围和V
S
=
±
20V的LF412A和V
S
=
±
15V的LF412 。 V
OS
,
I
B
和我
OS
在V测量
CM
=0.
注8 ：
该LF412A是经过100％测试，以本规范。该LF412是样品测试在每个放大器的基础，以确保放大器的至少85％满足这一
特定连接的阳离子。
注9 ：
输入偏置电流是结的漏电流，从而大约增加一倍，每10°C增加的结温度T
j
。由于有限的
生产测试时，测得的输入偏置电流相关的结温。在正常操作中的结温上升到周围以上
温度的内部功耗，P结果
D
. T
j
=T
A
+θ
jA
P
D
哪里
θ
jA
是从结点到环境的热阻。使用的散热器的是
建议如果输入偏置电流将被保持在最低限度。
注10 ：
电源电压抑制比被测量为两个供电幅度增加或者按照通常的做法同时减小。 V
S
=
±
6V至
±
15V.
注11 ：
请参阅RETS412X的LF412MH和LF412MJ军用规格。
注12 ：
马克斯。功耗是由包的特征来定义。附近操作最大的部分。功率耗散可能导致部分操作
外担保的限制。
注13 ：
人体模型， 1.5 kΩ的串联100 pF的。
典型性能特性
输入偏置电流
输入偏置电流
00565610
00565611
www.national.com
4
LF412低失调，低漂移双JFET输入运算放大器
2010年1月28日
LF412
低失调，低漂移双JFET输入运算
扩音器
概述
这些器件是低成本，高速度， JFET输入操作
tional放大器具有极低的输入失调电压和瓜尔
及担输入偏移电压漂移。他们需要低价供应
目前还保持着较大的增益带宽积和快速
摆率。此外，匹配良好的高压JFET输入
器件提供极低的输入偏置电流和偏置电流。该
LF412双引脚兼容LM1558 ，让DE-
签名者立即升级的整体性能
现有的设计。
这些放大器的可能的应用，如高使用
高速集成，快速的D / A转换器，采样保持税务局局长
cuits和许多其他电路需要低输入失调电压
和漂移，低输入偏置电流，高输入阻抗，高
压摆率和宽的带宽。
特点
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
内部校准的失调电压： 1 mV的（最大）
输入失调电压漂移： 10
μV/°C
（最大）
低输入偏置电流： 50 pA的
低输入噪声电流：
宽增益带宽： 3兆赫（分钟）
高压摆率： 10V / μs的（分）
低电源电流1.8毫安/放大器
高输入阻抗： 10
12
Ω
低总谐波失真
≤
0.02%
低1 / f噪声转角： 50赫兹
快速稳定时间至0.01％ ： 2
μs
典型连接
连接图
金属罐包装
565642
565641
订购信息
X
Y
LF412XYZ
表明电工级
表明温度范围
“M”
军事
“C”
对于商业
表示封装类型
“H”
或“N”的
订单号LF412MH ， LF412CH
见NS包装数H08A
或LF412MH / 883
（注
1)
见NS包装数H08C
双列直插式封装
Z
565644
订单号LF412ACN ， LF412CN
或LF412MJ / 883
（注
1)
见NS包装数J08A或N08E
BI- FET II 是美国国家半导体公司的商标。
2010美国国家半导体公司
5656
www.national.com
LF412
绝对最大额定值
（注
2)
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
（注
11)
电源电压
差分输入电压
输入电压范围
“ （注
3)
输出短路
持续时间（注
4)
LF412A
±22V
±38V
±19V
连续
LF412
±18V
±30V
±15V
连续
H封装
功耗
“ （注
12)
T
j
最大
（注
5)
150°C
152°C/W
N包装
670毫瓦
115°C
115°C/W
θ
jA
（典型值）
工作温度。范围
（注
6)
（注
6)
储存温度。
65°C
≤
T
A
≤
150° 65°C
≤
T
A
≤
150°
C
C
范围
铅温度。
（焊接， 10秒）
260°C
260°C
ESD容差
1700V
1700V
“ （注
13)
DC电气特性
（注
7)
符号
V
OS
ΔV
OS
/ΔT
I
OS
参数
输入失调电压
输入的平均TC
失调电压
输入失调电流
V
S
=±15V
（注
7 ，注9 ）
I
B
输入偏置电流
V
S
=±15V
（注
7 ，注9 ）
R
IN
A
VOL
输入阻抗
大信号电压
收益
V
O
V
CM
CMRR
PSRR
I
S
输出电压摆幅
输入共模
电压范围
共模
抑制比
电源电压
抑制比
电源电流
（注
10)
V
O
= 0V ，R
L
=
∞
80
100
3.6
5.6
70
100
3.6
6.5
dB
mA
R
S
≤
10k
80
T
j
=25°C
V
S
=±15V, V
O
=±10V,
R
L
= 2K ，T
A
=25°C
过温
V
S
= ± 15V ，R
L
=10k
25
±12
±16
200
±13.5
+19.5
16.5
100
70
15
±12
±11
200
±13.5
+14.5
11.5
100
V / MV
V
V
V
dB
50
T
j
=25°C
T
j
=70°C
T
j
=125°C
T
j
=25°C
T
j
=70°C
T
j
=125°C
10
12
200
25
50
25
100
2
25
200
4
50
10
12
200
50
25
100
2
25
200
4
50
pA
nA
nA
pA
nA
nA
Ω
V / MV
条件
民
R
S
= 10 kΩ的，T
A
=25°C
R
S
=10 kΩ
（注
8)
LF412A
典型值
0.5
7
最大
1.0
10
民
LF412
典型值
1.0
7
最大
3.0
20
mV
μV/°C
单位
注2 ：
“绝对最大额定值”，表示以后可能会损坏设备的限制。工作额定值表明该设备条件
是功能，但不保证特定的性能极限。
AC电气特性
（注
7)
符号
参数
放大器放大器
耦合
SR
GBW
压摆率
增益带宽积
条件
民
T
A
= 25 ° C，F = 1 Hz至20 kHz的
（输入参考）
V
S
= ± 15V ，T
A
=25°C
V
S
= ± 15V ，T
A
=25°C
10
3
15
4
8
2.7
15
4
V / μs的
兆赫
LF412A
典型值
120
最大
民
LF412
典型值
120
最大
dB
单位
3
www.national.com
LF412
符号
THD
参数
总谐波DIST
条件
民
A
V
=+10, R
L
=10k,
V
O
= 20 Vp-p的，
BW = 20 Hz至20 kHz的
T
A
= 25 ° C，R
S
=100Ω,
F = 1千赫
T
A
= 25 ° C，F = 1千赫
LF412A
典型值
最大
民
LF412
典型值
最大
单位
%
≤
0.02
≤
0.02
e
n
i
n
等效输入噪声
电压
等效输入噪声
当前
25
0.01
25
0.01
注3 ：
除非另有说明，绝对最大负输入电压等于负电源电压。
注4 ：
任何放大器输出可与地短接indefintely ，然而，多于一个不应同时短路的最大结
温度会超过。
注5 ：
对于在升高的温度下操作，这些设备必须基于一个热电阻降额
θ
jA
.
注6 ：
这些设备在商业温度范围0°C可
≤
T
A
≤
70 ° C和军用温度范围-55°C
≤
T
A
≤
125°C 。该
温度范围由位置正好在设备号的包类型之前指定。 “C ”表示商用温度范围和
“M”表示的军用温度范围。军用温度范围为“H ”只封装。在所有情况下的最高工作温度是
受限于内部结温度T
j
马克斯。
注7 ：
除另有规定外，该规范适用于在整个温度范围和V
S
= ± 20V的LF412A和V
S
= ± 15V的LF412 。
V
OS
, I
B
和我
OS
在V测量
CM
=0.
注8 ：
该LF412A是经过100％测试，以本规范。该LF412是样品测试在每个放大器的基础，以确保放大器的至少85％满足这一
特定连接的阳离子。
注9 ：
输入偏置电流是结的漏电流，从而大约增加一倍，每10°C增加的结温度T
j
。由于有限的
生产测试时，测得的输入偏置电流相关的结温。在正常操作中的结温上升到周围以上
温度的内部功耗，P结果
D
. T
j
=T
A
+θ
jA
P
D
哪里
θ
jA
是从结点到环境的热阻。使用的散热器的是
建议如果输入偏置电流将被保持在最低限度。
注10 ：
电源电压抑制比被测量为两个供电幅度增加或者按照通常的做法同时减小。
V
S
= ± 6V至±15V 。
注11 ：
请参阅RETS412X的LF412MH和LF412MJ军用规格。
注12 ：
马克斯。功耗是由包的特征来定义。附近操作最大的部分。功率耗散可能导致部分操作
外担保的限制。
注13 ：
人体模型， 1.5 kΩ的串联100 pF的。
典型性能特性
输入偏置电流
输入偏置电流
565610
565611
www.national.com
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