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LF412低失调，低漂移双JFET输入运算放大器

2000年8月

LF412

低失调，低漂移双JFET输入运算

扩音器

概述

这些器件是低成本，高速度， JFET输入操作

tional放大器具有极低的输入失调电压和瓜尔

及担输入偏移电压漂移。他们需要低价供应

目前还保持着较大的增益带宽积和快速

摆率。此外，匹配良好的高压JFET输入

器件提供极低的输入偏置电流和偏置电流。该

LF412双与LM1558引脚兼容，使

设计者能够立即升级的整体性能

现有的设计。

这些放大器的可能的应用，如高使用

高速集成，快速的D / A转换器，采样和保持

电路和许多其他电路需要低输入失调

电压和漂移，低输入偏置电流，高输入阻抗

ANCE ，高压摆率和宽带宽。

特点

内部校准的失调电压： 1 mV的（最大）

输入失调电压漂移： 10 μV / ℃（最大值）

低输入偏置电流： 50 pA的

低输入噪声电流：

宽增益带宽： 3兆赫（分钟）

高压摆率： 10V / μs的（分）

低电源电流1.8毫安/放大器

高输入阻抗： 10

低总谐波失真

≤0.02%

低1 / f噪声转角： 50赫兹

快速稳定时间为0.01％： 2微秒

典型连接

连接图

金属罐包装

00565642

00565641

订购信息

LF412XYZ

表明电工级

表明温度范围

“M”为军事

“C”为商业

表示封装类型

“H”或“N”的

订单号LF412MH ， LF412CH

或LF412MH / 883

（注1 ）

见NS包装数H08A

双列直插式封装

00565644

订单号LF412ACN ， LF412CN

或LF412MJ / 883

（注1 ）

见NS包装数J08A或N08E

BI- FET II

是美国国家半导体公司的商标。

2004美国国家半导体公司

DS005656

www.national.com

LF412

简化的原理图

1/2双

00565643

注1 ：

可用每JM38510 / 11905

详细图解

00565632

www.national.com

LF412

绝对最大额定值

（注2 ）

如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，

请向美国国家半导体销售办事处/

经销商咨询具体可用性和规格。

（注11 ）

LF412A

电源电压

差分输入电压

输入电压范围

（注3）

输出短路

持续时间（注4 ）

连续

H封装

功耗

连续

N包装

LF412

（注12 ）

最大

（典型值）

工作温度。范围

储存温度。

范围

铅温度。

（焊接， 10秒）

H封装

（注5 ）

150C

152C/W

（注6 ）

N包装

670毫瓦

115C

115C/W

（注6 ）

65C≤T

≤150C

65C≤T

≤150C

22V

38V

19V

18V

30V

15V

260C

1700V

260C

1700V

ESD容差

（注13 ）

DC电气特性

（注7 ）

符号

参数

输入失调电压

输入的平均TC

失调电压

输入失调电流

15V

（注7,9）

输入偏置电流

15V

（注7,9）

VOL

输入阻抗

大信号电压

收益

CMRR

PSRR

输出电压摆幅

输入共模

电压范围

共模

抑制比

电源电压

抑制比

电源电流

= 0V ，R

∞

3.6

5.6

3.6

6.5

（注10 ）

100

≤10k

=25C

15V, V

10V,

= 2K ，T

=25C

过温

15V ，R

=10k

200

V / MV

=25C

=70C

=125C

=25C

=70C

=125C

条件

民

= 10 kΩ的，T

=25C

= 10 kΩ的（注8 ）

LF412A

典型值

0.5

最大

1.0

100

200

民

LF412

典型值

1.0

最大

3.0

100

200

单位

μV/°C

V / MV

200

13.5

+19.5

16.5

100

13.5

+14.5

11.5

100

注2 ：

“绝对最大额定值”，表示以后可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件，该设备是

功能，但不保证特定的性能极限。

AC电气特性

（注7 ）

符号

参数

放大器放大器

耦合

GBW

压摆率

增益带宽积

条件

民

= 25 ° C，F = 1 Hz至20 kHz的

（输入参考）

15V ，T

=25C

15V ，T

=25C

2.7

V / μs的

兆赫

LF412A

典型值

120

最大

民

LF412

典型值

120

最大

单位

www.national.com

LF412

AC电气特性

（注7 ）

符号

THD

参数

总谐波DIST

（续）

LF412A

民

典型值

≤0.02

最大

民

LF412

典型值

≤0.02

最大

单位

条件

=+10, R

=10k,

= 20 Vp-p的，

BW = 20 Hz至20 kHz的

= 25 ° C，R

=100,

F = 1千赫

= 25 ° C，F = 1千赫

等效输入噪声

电压

等效输入噪声

当前

0.01

注3 ：

除非另有说明，绝对最大负输入电压等于负电源电压。

注4 ：

任何放大器输出可与地短接indefintely ，然而，多于一个不应同时短路的最大结

温度会超过。

注5 ：

对于在升高的温度下操作，这些设备必须基于一个热电阻降额

注6 ：

这些设备在商业温度范围内提供0C≤T

≤70C

和军用温度范围-55C≤T

≤125C.

该

温度范围由位置正好在设备号的包类型之前指定。 “C ”代表商业级温度范围和“M”

指示军用温度范围。军用温度范围为“H ”只封装。在所有情况下的最高工作温度限制

通过内部结温度T

马克斯。

注7 ：

除另有规定外，该规范适用于在整个温度范围和V

20V的LF412A和V

15V的LF412 。 V

和我

在V测量

=0.

注8 ：

该LF412A是经过100％测试，以本规范。该LF412是样品测试在每个放大器的基础，以确保放大器的至少85％满足这一

特定连接的阳离子。

注9 ：

输入偏置电流是结的漏电流，从而大约增加一倍，每10°C增加的结温度T

。由于有限的

生产测试时，测得的输入偏置电流相关的结温。在正常操作中的结温上升到周围以上

温度的内部功耗，P结果

. T

+θ

哪里

是从结点到环境的热阻。使用的散热器的是

建议如果输入偏置电流将被保持在最低限度。

注10 ：

电源电压抑制比被测量为两个供电幅度增加或者按照通常的做法同时减小。 V

6V至

15V.

注11 ：

请参阅RETS412X的LF412MH和LF412MJ军用规格。

注12 ：

马克斯。功耗是由包的特征来定义。附近操作最大的部分。功率耗散可能导致部分操作

外担保的限制。

注13 ：

人体模型， 1.5 kΩ的串联100 pF的。

典型性能特性

输入偏置电流

00565610

00565611

www.national.com

LF412

典型性能特性

电源电流

（续）

正共模

输入电压限制

00565612

00565613

负共模

输入电压限制

正电流限制

00565615

00565614

负电流限制

输出电压摆幅

00565616

00565617