LF411低失调，低漂移JFET输入运算放大器
1998年4月
LF411
低失调，低漂移JFET输入运算放大器
概述
这些器件是低成本，高速度， JFET输入操作
tional放大器具有极低的输入失调电压和瓜尔
及担输入偏移电压漂移。他们需要低电源电流
租还保持较大的增益带宽积和快速
摆率。此外，匹配良好的高压JFET输入
器件提供极低的输入偏置电流和偏置电流。该
LF411的管脚与标准LM741允许兼容
设计者能够立即升级的整体性能
现有的设计。
这些放大器的可能的应用，如高使用
高速集成，快速的D / A转换器，采样保持税务局局长
cuits和许多其他电路需要低输入失调电压
年龄和漂移，低输入偏置电流，高输入阻抗，
高压摆率和宽带宽。
特点
内部校准的失调电压： 0.5 mV的（最大）
输入失调电压漂移： 10 μV / ℃（最大值）
低输入偏置电流： 50 pA的
低输入噪声电流：
宽增益带宽： 3兆赫（分钟）
高压摆率： 10V / μs的（分）
低电源电流： 1.8毫安
高输入阻抗： 10
12
低总谐波失真
V
= 10,
R
L
= 10K ，V
O
= 20 Vp-p的， BW = 20 Hz至20 kHz的：
＆ LT ;
0.02%
n
低1 / f噪声转角： 50赫兹
n
快速稳定时间为0.01％ ： 2微秒
n
n
n
n
n
n
n
n
n
典型连接
连接图
金属罐包装
DS005655-5
注意：
4脚连接情况。
DS005655-1
顶视图
订单号LF411ACH
或LF411MH / 883
（注1 ）
见NS包装数H08A
双列直插式封装
订购信息
LF411XYZ
X
表明电工级
Y
表明温度范围
“M”为军事
“C”为商业
Z
表示封装类型
“H”或“N”的
DS005655-7
顶视图
订单号LF411ACN ，
LF411CN或LF411MJ / 883
（注1 ）
见NS包装数N08E或J08A
BI- FET II
是美国国家半导体公司的商标。
1999美国国家半导体公司
DS005655
www.national.com
绝对最大额定值
（注2 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压
差分输入电压
输入电压范围
（注3）
输出短路
长短
功耗
（注11 ）
LF411A
±
22V
±
38V
LF411
±
18V
±
30V
T
j
最大
θ
j
A
±
19V
连续
H封装
670毫瓦
±
15V
连续
N包装
670毫瓦
（注6 ）
θ
j
C
工作温度。
范围
储存温度。
范围
铅温度。
（焊接，
10秒）
ESD容差
H封装
150C
162C / W（静止空气中）
65°C / W（ 400 LF /分钟
空气流动）
20C/W
（注5 ）
65C≤T
A
≤150C
260C
N包装
115C
120C/W
（注5 ）
65C≤T
A
≤150C
260C
评级待定。
DC电气特性
符号
V
OS
V
OS
/T
I
OS
参数
输入失调电压
输入的平均TC
失调电压
输入失调电流
V
S
=
±
15V
（注6,8）
I
B
输入偏置电流
V
S
=
±
15V
（注6,8）
R
IN
A
VOL
输入阻抗
大信号电压
收益
V
O
V
CM
CMRR
PSRR
I
S
输出电压摆幅
输入共模
电压范围
共模
抑制比
电源电压
抑制比
电源电流
（注9 ）
R
S
≤10k
T
j
= 25C
条件
民
R
S
= 10 kΩ的，T
A
= 25C
R
S
= 10 kΩ的（注7 ）
T
j
= 25C
T
j
= 70C
T
j
= 125C
T
j
= 25C
T
j
= 70C
T
j
= 125C
LF411A
典型值
0.3
7
25
最大
0.5
10
100
2
25
50
200
4
50
10
50
25
12
LF411
民
典型值
0.8
7
25
最大
2.0
20
（注7 ）
100
2
25
50
200
4
50
10
25
15
12
单位
mV
μV/°C
pA
nA
nA
pA
nA
nA
V / MV
V / MV
V
V
V
dB
dB
3.4
mA
V
S
=
±
15V, V
O
=
±
10V,
R
L
= 2K ，T
A
= 25C
过温
V
S
=
±
15V ，R
L
= 10k
200
200
200
200
±
12
±
16
80
80
±
13.5
+19.5
16.5
100
100
1.8
2.8
±
12
±
11
70
70
±
13.5
+14.5
11.5
100
100
1.8
AC电气特性
符号
SR
GBW
e
n
i
n
压摆率
增益带宽积
等效输入噪声电压
等效输入噪声电流
参数
（注6 ）
条件
民
LF411A
典型值
15
4
25
0.01
最大
民
8
2.7
10
3
LF411
典型值
15
4
25
0.01
最大
V / μs的
兆赫
单位
V
S
=
±
15V ，T
A
= 25C
V
S
=
±
15V ，T
A
= 25C
T
A
= 25 ° C，R
S
= 100,
F = 1千赫
T
A
= 25 ° C，F = 1千赫
注2 ：
“绝对最大额定值”，表示以后可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件，该设备是
功能，但不保证特定的性能极限。
注3 ：
除非另有说明，绝对最大负输入电压等于负电源电压。
3
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AC电气特性
（注6 ） （续）
注4 ：
对于在升高的温度下操作，这些设备必须基于一个热电阻降额
θ
j
A.
注5 ：
这些设备在商业温度范围内提供0C≤T
A
≤70C
和军用温度范围-55C≤T
A
≤125C.
温度
范围由位置正好在设备号的包类型之前指定。 “C ”表示商用温度范围和一个“M”表示的
军用温度范围。军用温度范围为“H ”只封装。
注6 ：
除另有规定外，该规范适用于在整个温度范围和V
S
=
±
20V的LF411A和V
S
=
±
15V的LF411 。 V
OS
,
I
B
和我
OS
在V测量
CM
= 0.
注7 ：
该LF411A是经过100％测试，以本规范。该LF411是样品进行测试，以确保至少90 ％的单元满足该规范。
注8 ：
输入偏置电流是结的漏电流，从而大约增加一倍，每10°C增加的结温度T
j
。由于有限的亲
牵拉试验时，测得的输入偏置电流相关的结温。在正常操作中的结温上升到高于环境温
perature的内部功耗，P结果
D
. T
j
= T
A
+θ
jA
P
D
哪里
θ
jA
是从结点到环境的热阻。使用的散热器的建议
如果输入偏置电流将被保持在最低限度。
注9 ：
电源电压抑制比被测量为两个供电幅度增加或者按照通常的做法同时下降，从
±
15V到
±
5V的LF411和
±
20V至
±
5V的LF411A 。
注10 ：
RETS 411X的LF411MH和LF411MJ军用规格。
注11 ：
马克斯。功耗是由包的特征来定义。附近操作最大的部分。功率耗散可能导致部分操作输出
方保证限制。
典型性能特性
输入偏置电流
输入偏置电流
电源电流
DS005655-11
DS005655-12
DS005655-13
正共模
输入电压限制
负共模
输入电压限制
正电流限制
DS005655-16
DS005655-14
DS005655-15
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4
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