【LF411QMLLF411QML低失调，低漂移JFET输入运算放大器文献编号： SNOSAO6B】,IC型号LF411QML,LF411QML PDF资料,LF411QML经销商,ic,电子元器件-51电子网

LF411QML

LF411QML低失调，低漂移JFET输入运算放大器

文献编号： SNOSAO6B

LF411QML低失调，低漂移JFET输入运算放大器

2011年6月30日

LF411QML

低失调，低漂移JFET输入运算放大器

概述

该装置是一种低成本，高速度， JFET输入运算

放大器具有非常低的输入偏置电压和保

输入偏移电压漂移。它要求低电源电流还

保持一个大的增益带宽积和快速压摆率。

此外，匹配良好的高压JFET输入设备

提供极低的输入偏置电流和偏置电流。该

LF411QML引脚与标准LM741允许 - 兼容

荷兰国际集团的设计师立即全面提升perfor-

曼斯现有设计。

此放大器可以在应用，如高速下使用

集成，快速的D / A转换器，采样保持电路和

许多其他电路需要低输入失调电压和漂移，

低输入偏置电流，高输入阻抗，高转换率

和宽的带宽。

特点

■

可用辐射担保

■

—

ELDRS免费

内部校准的失调电压：

输入失调电压漂移：

低输入偏置电流：

低输入噪声电流：

宽增益带宽：

高压摆率：

低电源电流：

高输入阻抗：

低总谐波失真：

A

V

= 10, R

L

= 10K,

V

O

= 20V

P-P

， BW = 20Hz的 - 20KHz的

低1 / f噪声转角：

快速建立时间为0.01 ％：

100拉德（SI ）

0.5毫伏（典型值）

10 μV/°C

50 PA

0.01 PA /

√

Hz

3兆赫

10V/μs

1.8毫安

10

12

Ω

<0.0

2%

50赫兹

2 μs

订购信息

NS型号

LF411MH/883

LF411MWG/883

LF411MWG-MLS

50拉德（SI ）

（注

9)

LF411MWGRLQMLV

100拉德（SI ）

（注

10)

5962R1122201VZA

ELDRS免费

SMD零件编号

NS包装数

H08C

WG10A

包装说明

8引脚T0-99灿

10LD陶瓷SOIC

WG10A

10LD陶瓷SOIC

连接图

金属罐包装

10LD陶瓷SOIC封装

20149244

顶视图

见NS包装数WG10A

20149205

注意：

4脚连接情况。

顶视图

见NS包装数H08A

BI- FET II 是美国国家半导体公司的商标。

2011美国国家半导体公司

201492

www.national.com

LF411QML

简化的原理图

20149206

详细图解

20149234

www.national.com

2

LF411QML

绝对最大额定值

（注

1)

电源电压

差分输入电压

输入电压范围（注

4)

输出短路持续时间

功率耗散（注

2),

（注

3)

H封装

WG套餐

T

JMAX

H封装

WG套餐

热阻

θ

JA

H封装静止空气

H封装500LF /最小空气流量

WG包装静止空气

WG包装500LF /最小空气流量

θ

JC

H封装

WG套餐

工作温度范围

存储温度范围

引线温度（焊接， 10秒）

包装重量（典型）

H封装

WG套餐

ESD容差（注

5)

±18V

±30V

±15V

连续

670mW

150°C

162°C/W

65°C/W

170°C/W

120°C/W

20°C/W

26°C/W

55°C

≤

T

A

≤

125°C

65°C

≤

T

A

≤

150°C

260°C

待定

220mg

750V

质量一致性检验

MIL -STD -883方法5005 - A组

小组

1

2

3

4

5

6

7

8A

8B

9

10

11

12

13

14

描述

在静态测试

在动态测试

在功能测试

开关在试验

稳定时间

温度°C

+25

+125

-55

+25

+125

-55

+25

+125

-55

+25

+125

-55

+25

+125

-55

3

www.national.com

LF411QML

LF411 883电气特性

DC参数

以下条件适用，除非另有规定。

DC ：

V

CC

= ±15V, V

CM

= 0V ，R

S

= 0

参数

输入失调电压

条件

R

S

= 10K

笔记

民

-2.0

-3.7

-3.3

I

IO

±I

IB

V

CM

CMRR

+ PSRR

-PSRR

I

S

-I

OS

+I

OS

+V

IO调

-V

IO调

+A

VS

-A

VS

V

O

+

V

O

-

输入失调电流

（注

8)

输入偏置电流

（注

8)

输入共模电压

范围

共模抑制比

电源电压抑制比

电源电流

输出短路电流

输入失调电压调整

大信号电压增益

V

O

= 0 10V ，R

L

= 2K

V

O

= 0 10V ，R

L

= 2K

大信号电压增益

V

O

= 0 -10V ，R

L

= 2K

V

O

= 0 -10V ，R

L

= 2K

输出电压摆幅

R

L

= 10KΩ ， + V

I

= 11V,

-V

I

= -11V ，R

S

= 10K

R

L

= 10KΩ ， + V

I

= -11V,

-V

I

= 11V ，R

S

= 10K

-12

V

4, 5, 6

（注

7)

（注

7)

（注

7)

（注

7)

25

15

25

15

12

+V

I

= -11V, -V

I

= 11V,

R

S

= 10K

+V

I

= 11V, -V

I

= -11V,

R

S

= 10K

13

6.0

-50

-60

8.0

-8.0

R

S

≤

10KΩ ，V

CM

= ±9V

+V

CC

= 6V, -V

CC

= -15V

+V

CC

= 15V, -V

CC

= -6V

（注

6)

-0.1

-25

-0.2

-50

±9.0

70

3.4

50

60

-13

-6.0

最大

2.0

3.7

3.3

0.1

25

0.2

50

单位

mV

nA

V

dB

mA

mV

V / MV

V

SUB -

群体

1

2

3

1

2

1

2

1, 2, 3

1

2, 3

1

2, 3

1

4

5, 6

4

5, 6

4, 5, 6

符号

V

IO

AC参数

以下条件适用，除非另有规定。

AC ： V

CC

= ±15V, V

CM

= 0V ，R

S

= 0

符号

SR +

SR-

GBW

压摆率

增益带宽积

参数

条件

V

O

= -5V至5V

V

O

= 5V至-5V

笔记

民

8.0

2.7

最大

单位

V / μs的

兆赫

SUB -

群体

7

www.national.com

4