LF155 / LF156 / LF256 / LF257 / LF355 / LF356 / LF357 JFET输入运算放大器
2001年12月
LF155/LF156/LF256/LF257/LF355/LF356/LF357
JFET输入运算放大器
概述
这是第一个单片JFET输入运算扩增
fiers要结合良好匹配，在高压JFET的
同一芯片与标准双极晶体管（ BI- FET的
技
术） 。这些放大器具有低输入偏置和失调
电流/低失调电压和失调电压漂移，加上
与失调调整不降低漂移或
共模抑制。该设备也被设计为
高压摆率，宽带宽，极快速建立时间，
低电压和电流噪声和低1 / f噪声的角落。
n
对数放大器
n
光电放大器
n
采样和保持电路
共同特点
n
低输入偏置电流： 30PA
n
低输入失调电流： 3PA
n
高输入阻抗： 10
12
n
低输入噪声电流：
n
高共模抑制比：
n
大DC电压增益： 106分贝
百分贝
特点
优势
n
取代昂贵的混合动力和模块FET运算放大器
n
坚固耐用的JFET的允许吹免手续费比较
与MOSFET的输入设备
n
非常适合采用低噪声的应用或高或
低源阻抗 - 非常低1 / f转折
n
失调调整不会降低漂移或共模
排斥反应，因为在大多数单片放大器
n
新的输出级允许使用较大的容性负载
（ 5000 pF）的不稳定性问题
n
内部补偿和大的差分输入电压
能力
不常见的产品特点
LF155/
LF355
j
极
LF156/
LF256/
LF356
1.5
LF257/
LF357
(A
V
=5)
1.5
单位
4
s
快速建立
时间为
0.01%
j
快速转换
5
2.5
20
12
5
12
50
20
12
V / μs的
兆赫
率
j
宽增益
应用
n
n
n
n
精密高速积分
快D / A和A / D转换器
高阻抗缓冲器
宽带，低噪声，低漂移放大器
带宽
j
低输入
噪音
电压
简化的原理图
00564601
*
3pF的在LF357系列。
BI- FET
， BI- FET II
是美国国家半导体公司的商标。
2001美国国家半导体公司
DS005646
www.national.com
LF155/LF156/LF256/LF257/LF355/LF356/LF357
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空专用设备，请向美国国家半导体销售办事处/经销商
可用性和规格。
LF155/6
电源电压
差分输入电压
输入电压范围（注2 ）
输出短路持续时间
T
JMAX
H-包
N-二PACKAGE
M-包
在T功耗
A
= 25 （注
1, 8)
H-包装（静止空气中）
H-包（ 400 LF /最小空气流量）
N-二PACKAGE
M-包
热电阻（典型值）
θ
JA
H-包装（静止空气中）
H-包（ 400 LF /最小空气流量）
N-二PACKAGE
M-包
（典型值）
θ
JC
H-包
存储温度范围
焊接信息（铅温度。 ）
金属罐包装
焊接（10秒）
双列直插式封装
焊接（10秒）
小外形封装
气相（ 60秒）
红外（15秒）。
215C
220C
215C
220C
260C
260C
260C
300C
300C
300C
23C/W
-65 ° C至+ 150°C
23C/W
-65 ° C至+ 150°C
23C/W
-65 ° C至+ 150°C
160C/W
65C/W
160C/W
65C/W
130C/W
195C/W
160C/W
65C/W
130C/W
195C/W
560毫瓦
1200毫瓦
400毫瓦
1000毫瓦
670毫瓦
380毫瓦
400毫瓦
1000毫瓦
670毫瓦
380毫瓦
150C
115C
100C
100C
115C
100C
100C
LF256/7/LF356B
LF355/6/7
±
22V
±
40V
±
20V
连续
±
22V
±
40V
±
20V
连续
±
18V
±
30V
±
16V
连续
见AN- 450“表面贴装方法及其对产品可靠性的影响”的其他方法
焊接表面贴装器件。
ESD容差
（ 100 pF的通过1.5kΩ上排）
1000V
1000V
1000V
DC电气特性
（注3）
符号
V
OS
V
OS
/T
ΔTC / ΔV
OS
I
OS
参数
输入失调电压
输入的平均TC
失调电压
变化的平均TC
随着V
OS
调整
输入失调电流
条件
民
R
S
=50, T
A
=25C
过温
R
S
=50
R
S
= 50Ω ， （注4 ）
T
J
= 25 ， （注3,5）
T
J
≤T
高
5
0.5
3
20
20
LF155/6
典型值
3
最大最小
5
7
5
0.5
3
20
1
LF256/7
LF356B
典型值
3
最大最小
5
6.5
5
0.5
3
50
2
LF355/6/7
典型值
3
最大
10
13
mV
mV
μV/°C
μV/°C
每毫伏
pA
nA
单位
www.national.com
2
LF155/LF156/LF256/LF257/LF355/LF356/LF357
DC电气特性
（注3）
符号
I
B
R
IN
A
VOL
参数
输入偏置电流
输入阻抗
大信号电压
收益
输出电压摆幅
输入共模
电压范围
共模
抑制比
电源电压
抑制比
（注6 ）
（续）
LF256/7
LF356B
最大最小
100
50
10
12
50
25
200
50
25
10
12
200
25
15
典型值
30
最大最小
100
5
10
12
200
条件
民
T
J
= 25 ， （注3,5）
T
J
≤T
高
T
J
=25C
V
S
=
±
15V ，T
A
=25C
V
O
=
±
10V ，R
L
=2k
过温
LF155/6
典型值
30
LF355/6/7
典型值
30
最大
200
8
单位
pA
nA
V / MV
V / MV
V
O
V
CM
CMRR
PSRR
V
S
=
±
15V ，R
L
=10k
V
S
=
±
15V ，R
L
=2k
V
S
=
±
15V
±
12
±
10
±
11
85
85
±
13
±
12
+15.1
12
100
100
±
12
±
10
±
11
85
85
±
13
±
12
±
15.1
12
100
100
±
12
±
10
+10
80
80
±
13
±
12
+15.1
12
100
100
V
V
V
V
dB
dB
DC电气特性
T
A
= T
J
= 25 ° C，V
S
=
±
15V
参数
供应
当前
LF155
典型值
2
最大
4
LF355
典型值
2
最大
4
LF156/256/257/356B
典型值
5
最大
7
LF356
典型值
5
最大
10
LF357
典型值
5
最大
10
单位
mA
AC电气特性
T
A
= T
J
= 25 ° C，V
S
=
±
15V
LF155/355
符号
SR
参数
压摆率
条件
典型值
LF155 / 6 ：
A
V
=1,
LF357 ：一
V
=5
GBW
t
s
e
n
增益带宽积
建立时间0.01％
等效输入噪声
电压
（注7 ）
R
S
=100
F = 100赫兹
F = 1000赫兹
i
n
等效输入电流
噪音
输入电容
F = 100赫兹
F = 1000赫兹
25
20
0.01
0.01
3
15
12
0.01
0.01
3
15
12
0.01
0.01
3
pF
2.5
4
5
1.5
5
LF156/256/
356B
民
7.5
LF156/256/356/
LF356B
典型值
12
50
20
1.5
LF257/357
单位
典型值
V / μs的
V / μs的
兆赫
s
C
IN
电气特性备注
注1 ：
最大功耗为这些设备必须在高温下会减小，由T决定
JMAX
,
θ
JA
和环境温度，
T
A
。在任何温度下的最大可用功率消耗为P
D
=(T
JMAX
T
A
)/θ
JA
或在25℃ P
DMAX
，以较低者为准。
注2 ：
除非另有说明，绝对最大负输入电压等于负电源电压。
注3 ：
除非另有说明，这些试验的条件适用：
3
www.national.com
LF155/LF156/LF256/LF257/LF355/LF356/LF357
电气特性备注
LF155/156
电源电压，V
S
T
A
T
高
（续）
LF256/257
LF356B
LF355/6/7
V
S
=
±
15V
0C
≤
T
A
≤
+70C
+70C
±
15V
≤
V
S
≤
±
20V
55C
≤
T
A
≤
+125C
+125C
±
15V
≤
V
S
≤
±
20V
25C
≤
T
A
≤
+85C
+85C
±
15V
≤
V
S
±
20V
0C
≤
T
A
≤
+70C
+70C
和V
OS
, I
B
我
OS
在V测量
CM
= 0.
注4 ：
经调整的输入偏置电压的变化进行调整的每个毫伏从其原始的温度系数只有少量（ 0.5μV / C通常）
未经调整值。共模抑制比和开环电压增益也不受偏移调整。
注5 ：
输入偏置电流是结的漏电流，从而大约增加一倍，每10°C增加的结温度T
J
。由于有限的
生产测试时，测得的输入偏置电流相关的结温。在正常操作中的结温上升到周围以上
温度的内部功耗，钯的结果。牛逼
J
= T
A
+
θ
JA
钯哪里
θ
JA
是从结点到环境的热阻。使用的散热器的是
建议如果输入偏置电流将被保持在最低限度。
注6 ：
电源电压抑制被测量为两个供电幅度增大或同时减小，按照通常的做法。
注7 ：
建立时间在这里被定义为使用2 kΩ的电阻为LF155 / 6的单位增益反相器连接。它是（所需的误差电压时的电压
于在放大器的反相输入端子）沉降到在其从一个10V的阶跃输入被施加到逆变器的时间最终值的0.01％。对于LF357 ，A
V
= 5,
从输出到输入的反馈电阻为2kΩ和输出步骤是10V （见稳定时间测试电路） 。
注8 ：
马克斯。功耗是由包的特征来定义。附近操作最大的部分。功率耗散可能导致部分外操作
保障范围。
典型的直流性能特点
指定的。
输入偏置电流
曲线对于LF155和LF156 ，除非另有
输入偏置电流
00564637
00564638
输入偏置电流
电压摆幅
00564639
00564640
www.national.com
4
LF155/LF156/LF256/LF257/LF355/LF356/LF357
典型的直流性能特点
指定的。 （续）
电源电流
曲线对于LF155和LF156 ，除非另有
电源电流
00564641
00564642
负电流限制
正电流限制
00564643
00564644
正共模
输入电压限制
负共模
输入电压限制
00564645
00564646
5
www.national.com
LF155 / LF156 / LF256 / LF257 / LF355 / LF356 / LF357 JFET输入运算放大器
2001年12月
LF155/LF156/LF256/LF257/LF355/LF356/LF357
JFET输入运算放大器
概述
这是第一个单片JFET输入运算扩增
fiers要结合良好匹配，在高压JFET的
同一芯片与标准双极晶体管（ BI- FET的
技
术） 。这些放大器具有低输入偏置和失调
电流/低失调电压和失调电压漂移，加上
与失调调整不降低漂移或
共模抑制。该设备也被设计为
高压摆率，宽带宽，极快速建立时间，
低电压和电流噪声和低1 / f噪声的角落。
n
对数放大器
n
光电放大器
n
采样和保持电路
共同特点
n
低输入偏置电流： 30PA
n
低输入失调电流： 3PA
n
高输入阻抗： 10
12
n
低输入噪声电流：
n
高共模抑制比：
n
大DC电压增益： 106分贝
百分贝
特点
优势
n
取代昂贵的混合动力和模块FET运算放大器
n
坚固耐用的JFET的允许吹免手续费比较
与MOSFET的输入设备
n
非常适合采用低噪声的应用或高或
低源阻抗 - 非常低1 / f转折
n
失调调整不会降低漂移或共模
排斥反应，因为在大多数单片放大器
n
新的输出级允许使用较大的容性负载
（ 5000 pF）的不稳定性问题
n
内部补偿和大的差分输入电压
能力
不常见的产品特点
LF155/
LF355
j
极
LF156/
LF256/
LF356
1.5
LF257/
LF357
(A
V
=5)
1.5
单位
4
s
快速建立
时间为
0.01%
j
快速转换
5
2.5
20
12
5
12
50
20
12
V / μs的
兆赫
率
j
宽增益
应用
n
n
n
n
精密高速积分
快D / A和A / D转换器
高阻抗缓冲器
宽带，低噪声，低漂移放大器
带宽
j
低输入
噪音
电压
简化的原理图
00564601
*
3pF的在LF357系列。
BI- FET
， BI- FET II
是美国国家半导体公司的商标。
2001美国国家半导体公司
DS005646
www.national.com
LF155/LF156/LF256/LF257/LF355/LF356/LF357
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空专用设备，请向美国国家半导体销售办事处/经销商
可用性和规格。
LF155/6
电源电压
差分输入电压
输入电压范围（注2 ）
输出短路持续时间
T
JMAX
H-包
N-二PACKAGE
M-包
在T功耗
A
= 25 （注
1, 8)
H-包装（静止空气中）
H-包（ 400 LF /最小空气流量）
N-二PACKAGE
M-包
热电阻（典型值）
θ
JA
H-包装（静止空气中）
H-包（ 400 LF /最小空气流量）
N-二PACKAGE
M-包
（典型值）
θ
JC
H-包
存储温度范围
焊接信息（铅温度。 ）
金属罐包装
焊接（10秒）
双列直插式封装
焊接（10秒）
小外形封装
气相（ 60秒）
红外（15秒）。
215C
220C
215C
220C
260C
260C
260C
300C
300C
300C
23C/W
-65 ° C至+ 150°C
23C/W
-65 ° C至+ 150°C
23C/W
-65 ° C至+ 150°C
160C/W
65C/W
160C/W
65C/W
130C/W
195C/W
160C/W
65C/W
130C/W
195C/W
560毫瓦
1200毫瓦
400毫瓦
1000毫瓦
670毫瓦
380毫瓦
400毫瓦
1000毫瓦
670毫瓦
380毫瓦
150C
115C
100C
100C
115C
100C
100C
LF256/7/LF356B
LF355/6/7
±
22V
±
40V
±
20V
连续
±
22V
±
40V
±
20V
连续
±
18V
±
30V
±
16V
连续
见AN- 450“表面贴装方法及其对产品可靠性的影响”的其他方法
焊接表面贴装器件。
ESD容差
（ 100 pF的通过1.5kΩ上排）
1000V
1000V
1000V
DC电气特性
（注3）
符号
V
OS
V
OS
/T
ΔTC / ΔV
OS
I
OS
参数
输入失调电压
输入的平均TC
失调电压
变化的平均TC
随着V
OS
调整
输入失调电流
条件
民
R
S
=50, T
A
=25C
过温
R
S
=50
R
S
= 50Ω ， （注4 ）
T
J
= 25 ， （注3,5）
T
J
≤T
高
5
0.5
3
20
20
LF155/6
典型值
3
最大最小
5
7
5
0.5
3
20
1
LF256/7
LF356B
典型值
3
最大最小
5
6.5
5
0.5
3
50
2
LF355/6/7
典型值
3
最大
10
13
mV
mV
μV/°C
μV/°C
每毫伏
pA
nA
单位
www.national.com
2
LF155/LF156/LF256/LF257/LF355/LF356/LF357
DC电气特性
（注3）
符号
I
B
R
IN
A
VOL
参数
输入偏置电流
输入阻抗
大信号电压
收益
输出电压摆幅
输入共模
电压范围
共模
抑制比
电源电压
抑制比
（注6 ）
（续）
LF256/7
LF356B
最大最小
100
50
10
12
50
25
200
50
25
10
12
200
25
15
典型值
30
最大最小
100
5
10
12
200
条件
民
T
J
= 25 ， （注3,5）
T
J
≤T
高
T
J
=25C
V
S
=
±
15V ，T
A
=25C
V
O
=
±
10V ，R
L
=2k
过温
LF155/6
典型值
30
LF355/6/7
典型值
30
最大
200
8
单位
pA
nA
V / MV
V / MV
V
O
V
CM
CMRR
PSRR
V
S
=
±
15V ，R
L
=10k
V
S
=
±
15V ，R
L
=2k
V
S
=
±
15V
±
12
±
10
±
11
85
85
±
13
±
12
+15.1
12
100
100
±
12
±
10
±
11
85
85
±
13
±
12
±
15.1
12
100
100
±
12
±
10
+10
80
80
±
13
±
12
+15.1
12
100
100
V
V
V
V
dB
dB
DC电气特性
T
A
= T
J
= 25 ° C，V
S
=
±
15V
参数
供应
当前
LF155
典型值
2
最大
4
LF355
典型值
2
最大
4
LF156/256/257/356B
典型值
5
最大
7
LF356
典型值
5
最大
10
LF357
典型值
5
最大
10
单位
mA
AC电气特性
T
A
= T
J
= 25 ° C，V
S
=
±
15V
LF155/355
符号
SR
参数
压摆率
条件
典型值
LF155 / 6 ：
A
V
=1,
LF357 ：一
V
=5
GBW
t
s
e
n
增益带宽积
建立时间0.01％
等效输入噪声
电压
（注7 ）
R
S
=100
F = 100赫兹
F = 1000赫兹
i
n
等效输入电流
噪音
输入电容
F = 100赫兹
F = 1000赫兹
25
20
0.01
0.01
3
15
12
0.01
0.01
3
15
12
0.01
0.01
3
pF
2.5
4
5
1.5
5
LF156/256/
356B
民
7.5
LF156/256/356/
LF356B
典型值
12
50
20
1.5
LF257/357
单位
典型值
V / μs的
V / μs的
兆赫
s
C
IN
电气特性备注
注1 ：
最大功耗为这些设备必须在高温下会减小，由T决定
JMAX
,
θ
JA
和环境温度，
T
A
。在任何温度下的最大可用功率消耗为P
D
=(T
JMAX
T
A
)/θ
JA
或在25℃ P
DMAX
，以较低者为准。
注2 ：
除非另有说明，绝对最大负输入电压等于负电源电压。
注3 ：
除非另有说明，这些试验的条件适用：
3
www.national.com
LF155/LF156/LF256/LF257/LF355/LF356/LF357
电气特性备注
LF155/156
电源电压，V
S
T
A
T
高
（续）
LF256/257
LF356B
LF355/6/7
V
S
=
±
15V
0C
≤
T
A
≤
+70C
+70C
±
15V
≤
V
S
≤
±
20V
55C
≤
T
A
≤
+125C
+125C
±
15V
≤
V
S
≤
±
20V
25C
≤
T
A
≤
+85C
+85C
±
15V
≤
V
S
±
20V
0C
≤
T
A
≤
+70C
+70C
和V
OS
, I
B
我
OS
在V测量
CM
= 0.
注4 ：
经调整的输入偏置电压的变化进行调整的每个毫伏从其原始的温度系数只有少量（ 0.5μV / C通常）
未经调整值。共模抑制比和开环电压增益也不受偏移调整。
注5 ：
输入偏置电流是结的漏电流，从而大约增加一倍，每10°C增加的结温度T
J
。由于有限的
生产测试时，测得的输入偏置电流相关的结温。在正常操作中的结温上升到周围以上
温度的内部功耗，钯的结果。牛逼
J
= T
A
+
θ
JA
钯哪里
θ
JA
是从结点到环境的热阻。使用的散热器的是
建议如果输入偏置电流将被保持在最低限度。
注6 ：
电源电压抑制被测量为两个供电幅度增大或同时减小，按照通常的做法。
注7 ：
建立时间在这里被定义为使用2 kΩ的电阻为LF155 / 6的单位增益反相器连接。它是（所需的误差电压时的电压
于在放大器的反相输入端子）沉降到在其从一个10V的阶跃输入被施加到逆变器的时间最终值的0.01％。对于LF357 ，A
V
= 5,
从输出到输入的反馈电阻为2kΩ和输出步骤是10V （见稳定时间测试电路） 。
注8 ：
马克斯。功耗是由包的特征来定义。附近操作最大的部分。功率耗散可能导致部分外操作
保障范围。
典型的直流性能特点
指定的。
输入偏置电流
曲线对于LF155和LF156 ，除非另有
输入偏置电流
00564637
00564638
输入偏置电流
电压摆幅
00564639
00564640
www.national.com
4
LF155/LF156/LF256/LF257/LF355/LF356/LF357
典型的直流性能特点
指定的。 （续）
电源电流
曲线对于LF155和LF156 ，除非另有
电源电流
00564641
00564642
负电流限制
正电流限制
00564643
00564644
正共模
输入电压限制
负共模
输入电压限制
00564645
00564646
5
www.national.com
LF155 / LF156 / LF256 / LF257 / LF355 / LF356 / LF357 JFET输入运算放大器
2001年12月
LF155/LF156/LF256/LF257/LF355/LF356/LF357
JFET输入运算放大器
概述
这是第一个单片JFET输入运算扩增
fiers要结合良好匹配，在高压JFET的
同一芯片与标准双极晶体管（ BI- FET的
技
术） 。这些放大器具有低输入偏置和失调
电流/低失调电压和失调电压漂移，加上
与失调调整不降低漂移或
共模抑制。该设备也被设计为
高压摆率，宽带宽，极快速建立时间，
低电压和电流噪声和低1 / f噪声的角落。
n
对数放大器
n
光电放大器
n
采样和保持电路
共同特点
n
低输入偏置电流： 30PA
n
低输入失调电流： 3PA
n
高输入阻抗： 10
12
n
低输入噪声电流：
n
高共模抑制比：
n
大DC电压增益： 106分贝
百分贝
特点
优势
n
取代昂贵的混合动力和模块FET运算放大器
n
坚固耐用的JFET的允许吹免手续费比较
与MOSFET的输入设备
n
非常适合采用低噪声的应用或高或
低源阻抗 - 非常低1 / f转折
n
失调调整不会降低漂移或共模
排斥反应，因为在大多数单片放大器
n
新的输出级允许使用较大的容性负载
（ 5000 pF）的不稳定性问题
n
内部补偿和大的差分输入电压
能力
不常见的产品特点
LF155/
LF355
j
极
LF156/
LF256/
LF356
1.5
LF257/
LF357
(A
V
=5)
1.5
单位
4
s
快速建立
时间为
0.01%
j
快速转换
5
2.5
20
12
5
12
50
20
12
V / μs的
兆赫
率
j
宽增益
应用
n
n
n
n
精密高速积分
快D / A和A / D转换器
高阻抗缓冲器
宽带，低噪声，低漂移放大器
带宽
j
低输入
噪音
电压
简化的原理图
00564601
*
3pF的在LF357系列。
BI- FET
， BI- FET II
是美国国家半导体公司的商标。
2001美国国家半导体公司
DS005646
www.national.com
LF155/LF156/LF256/LF257/LF355/LF356/LF357
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空专用设备，请向美国国家半导体销售办事处/经销商
可用性和规格。
LF155/6
电源电压
差分输入电压
输入电压范围（注2 ）
输出短路持续时间
T
JMAX
H-包
N-二PACKAGE
M-包
在T功耗
A
= 25 （注
1, 8)
H-包装（静止空气中）
H-包（ 400 LF /最小空气流量）
N-二PACKAGE
M-包
热电阻（典型值）
θ
JA
H-包装（静止空气中）
H-包（ 400 LF /最小空气流量）
N-二PACKAGE
M-包
（典型值）
θ
JC
H-包
存储温度范围
焊接信息（铅温度。 ）
金属罐包装
焊接（10秒）
双列直插式封装
焊接（10秒）
小外形封装
气相（ 60秒）
红外（15秒）。
215C
220C
215C
220C
260C
260C
260C
300C
300C
300C
23C/W
-65 ° C至+ 150°C
23C/W
-65 ° C至+ 150°C
23C/W
-65 ° C至+ 150°C
160C/W
65C/W
160C/W
65C/W
130C/W
195C/W
160C/W
65C/W
130C/W
195C/W
560毫瓦
1200毫瓦
400毫瓦
1000毫瓦
670毫瓦
380毫瓦
400毫瓦
1000毫瓦
670毫瓦
380毫瓦
150C
115C
100C
100C
115C
100C
100C
LF256/7/LF356B
LF355/6/7
±
22V
±
40V
±
20V
连续
±
22V
±
40V
±
20V
连续
±
18V
±
30V
±
16V
连续
见AN- 450“表面贴装方法及其对产品可靠性的影响”的其他方法
焊接表面贴装器件。
ESD容差
（ 100 pF的通过1.5kΩ上排）
1000V
1000V
1000V
DC电气特性
（注3）
符号
V
OS
V
OS
/T
ΔTC / ΔV
OS
I
OS
参数
输入失调电压
输入的平均TC
失调电压
变化的平均TC
随着V
OS
调整
输入失调电流
条件
民
R
S
=50, T
A
=25C
过温
R
S
=50
R
S
= 50Ω ， （注4 ）
T
J
= 25 ， （注3,5）
T
J
≤T
高
5
0.5
3
20
20
LF155/6
典型值
3
最大最小
5
7
5
0.5
3
20
1
LF256/7
LF356B
典型值
3
最大最小
5
6.5
5
0.5
3
50
2
LF355/6/7
典型值
3
最大
10
13
mV
mV
μV/°C
μV/°C
每毫伏
pA
nA
单位
www.national.com
2
LF155/LF156/LF256/LF257/LF355/LF356/LF357
DC电气特性
（注3）
符号
I
B
R
IN
A
VOL
参数
输入偏置电流
输入阻抗
大信号电压
收益
输出电压摆幅
输入共模
电压范围
共模
抑制比
电源电压
抑制比
（注6 ）
（续）
LF256/7
LF356B
最大最小
100
50
10
12
50
25
200
50
25
10
12
200
25
15
典型值
30
最大最小
100
5
10
12
200
条件
民
T
J
= 25 ， （注3,5）
T
J
≤T
高
T
J
=25C
V
S
=
±
15V ，T
A
=25C
V
O
=
±
10V ，R
L
=2k
过温
LF155/6
典型值
30
LF355/6/7
典型值
30
最大
200
8
单位
pA
nA
V / MV
V / MV
V
O
V
CM
CMRR
PSRR
V
S
=
±
15V ，R
L
=10k
V
S
=
±
15V ，R
L
=2k
V
S
=
±
15V
±
12
±
10
±
11
85
85
±
13
±
12
+15.1
12
100
100
±
12
±
10
±
11
85
85
±
13
±
12
±
15.1
12
100
100
±
12
±
10
+10
80
80
±
13
±
12
+15.1
12
100
100
V
V
V
V
dB
dB
DC电气特性
T
A
= T
J
= 25 ° C，V
S
=
±
15V
参数
供应
当前
LF155
典型值
2
最大
4
LF355
典型值
2
最大
4
LF156/256/257/356B
典型值
5
最大
7
LF356
典型值
5
最大
10
LF357
典型值
5
最大
10
单位
mA
AC电气特性
T
A
= T
J
= 25 ° C，V
S
=
±
15V
LF155/355
符号
SR
参数
压摆率
条件
典型值
LF155 / 6 ：
A
V
=1,
LF357 ：一
V
=5
GBW
t
s
e
n
增益带宽积
建立时间0.01％
等效输入噪声
电压
（注7 ）
R
S
=100
F = 100赫兹
F = 1000赫兹
i
n
等效输入电流
噪音
输入电容
F = 100赫兹
F = 1000赫兹
25
20
0.01
0.01
3
15
12
0.01
0.01
3
15
12
0.01
0.01
3
pF
2.5
4
5
1.5
5
LF156/256/
356B
民
7.5
LF156/256/356/
LF356B
典型值
12
50
20
1.5
LF257/357
单位
典型值
V / μs的
V / μs的
兆赫
s
C
IN
电气特性备注
注1 ：
最大功耗为这些设备必须在高温下会减小，由T决定
JMAX
,
θ
JA
和环境温度，
T
A
。在任何温度下的最大可用功率消耗为P
D
=(T
JMAX
T
A
)/θ
JA
或在25℃ P
DMAX
，以较低者为准。
注2 ：
除非另有说明，绝对最大负输入电压等于负电源电压。
注3 ：
除非另有说明，这些试验的条件适用：
3
www.national.com
LF155/LF156/LF256/LF257/LF355/LF356/LF357
电气特性备注
LF155/156
电源电压，V
S
T
A
T
高
（续）
LF256/257
LF356B
LF355/6/7
V
S
=
±
15V
0C
≤
T
A
≤
+70C
+70C
±
15V
≤
V
S
≤
±
20V
55C
≤
T
A
≤
+125C
+125C
±
15V
≤
V
S
≤
±
20V
25C
≤
T
A
≤
+85C
+85C
±
15V
≤
V
S
±
20V
0C
≤
T
A
≤
+70C
+70C
和V
OS
, I
B
我
OS
在V测量
CM
= 0.
注4 ：
经调整的输入偏置电压的变化进行调整的每个毫伏从其原始的温度系数只有少量（ 0.5μV / C通常）
未经调整值。共模抑制比和开环电压增益也不受偏移调整。
注5 ：
输入偏置电流是结的漏电流，从而大约增加一倍，每10°C增加的结温度T
J
。由于有限的
生产测试时，测得的输入偏置电流相关的结温。在正常操作中的结温上升到周围以上
温度的内部功耗，钯的结果。牛逼
J
= T
A
+
θ
JA
钯哪里
θ
JA
是从结点到环境的热阻。使用的散热器的是
建议如果输入偏置电流将被保持在最低限度。
注6 ：
电源电压抑制被测量为两个供电幅度增大或同时减小，按照通常的做法。
注7 ：
建立时间在这里被定义为使用2 kΩ的电阻为LF155 / 6的单位增益反相器连接。它是（所需的误差电压时的电压
于在放大器的反相输入端子）沉降到在其从一个10V的阶跃输入被施加到逆变器的时间最终值的0.01％。对于LF357 ，A
V
= 5,
从输出到输入的反馈电阻为2kΩ和输出步骤是10V （见稳定时间测试电路） 。
注8 ：
马克斯。功耗是由包的特征来定义。附近操作最大的部分。功率耗散可能导致部分外操作
保障范围。
典型的直流性能特点
指定的。
输入偏置电流
曲线对于LF155和LF156 ，除非另有
输入偏置电流
00564637
00564638
输入偏置电流
电压摆幅
00564639
00564640
www.national.com
4
LF155/LF156/LF256/LF257/LF355/LF356/LF357
典型的直流性能特点
指定的。 （续）
电源电流
曲线对于LF155和LF156 ，除非另有
电源电流
00564641
00564642
负电流限制
正电流限制
00564643
00564644
正共模
输入电压限制
负共模
输入电压限制
00564645
00564646
5
www.national.com
LF155 ， LF156 ， LF355 ， LF356 ， LF357
www.ti.com
SNOSBH0C - 2000年5月 - 修订2013年3月
LF155 / LF156 / LF256 / LF257 / LF355 / LF356 / LF357 JFET输入运算放大器
检查样品：
LF155 ， LF156 ， LF355 ， LF356 ， LF357
1
特点
23
描述
这些是第一个单片JFET输入运算
放大器把良好的匹配，高电压
同一芯片与标准双极于JFET的
晶体管（ BI -FET 技术） 。这些放大器
具有低输入偏置和失调电流/低失调
电压和失调电压漂移，加上偏移
调整不降低漂移或共模
排斥反应。这些器件的设计也适合高转换
率，宽带宽，极快速建立时间，低
电压和电流噪声和低1 / f噪声的角落。
优势
取代昂贵的混合动力和模块FET运算
安培
坚固耐用的JFET的允许吹出免手续费
与MOSFET的输入设备相比，
出色的低噪声应用的使用
或高或低源阻抗非常
低1 / f转折
失调调整不会降低或者漂移
共模抑制，因为在大多数
单片放大器
新的输出级允许使用大
容性负载（5,000 pF）的不稳定性
问题
内部补偿和大的差分
输入电压能力
共同特点
低输入偏置电流： 30PA
低输入失调电流： 3PA
高输入阻抗： 10
12
Ω
低输入噪声电流： 0.01 PA / √Hz的
高共模抑制比： 100分贝
大DC电压增益： 106分贝
表1.不寻常特性
LF155/
LF355
速度极快
建立时间0.01％
快速压摆率
宽的增益带宽
低输入噪声
电压
4
5
2.5
20
LF156/
LF256/
LF356
1.5
12
5
12
LF257/
LF357
(A
V
=5)
1.5
50
20
12
单位
应用
精密高速积分
快D / A和A / D转换器
高阻抗缓冲器
宽带，低噪声，低漂移放大器
对数放大器
光电放大器
采样和保持电路
μs
V / μs的
兆赫
内华达州/
√Hz的
1
2
3
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
BI- FET是德州仪器的商标。
所有其他商标均为其各自所有者的财产。
版权所有 2000至13年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
LF155 ， LF156 ， LF355 ， LF356 ， LF357
SNOSBH0C - 2000年5月 - 修订2013年3月
www.ti.com
简化的原理图
* 3pF的在LF357系列。
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
2
提交文档反馈
版权所有 2000至13年，德州仪器
产品文件夹链接：
LF155 LF156 LF355 LF356 LF357
LF155 ， LF156 ， LF355 ， LF356 ， LF357
www.ti.com
SNOSBH0C - 2000年5月 - 修订2013年3月
绝对最大额定值
(1) (2)
LF155/6
电源电压
差分输入电压
输入电压范围
T
JMAX
LMC套餐
P包
包
在T功耗
A
= 25°C
LMC包装（静止空气中）
LMC包（ 400 LF /最小空气流量）
P包
包
热电阻（典型值）
θ
JA
LMC包装（静止空气中）
LMC包（ 400 LF /最小空气流量）
P包
包
（典型值）
θ
JC
LMC套餐
存储温度范围
焊接信息（铅温度。 ）
TO- 99封装
焊接（10秒）
PDIP封装
焊接（10秒）
SOIC封装
气相（ 60秒）
红外（15秒）。
ESD容差
（ 100 pF的通过1.5kΩ上排）
(1)
(2)
(3)
(4)
1000V
1000V
1000V
215°C
220°C
215°C
220°C
260°C
260°C
260°C
300°C
300°C
300°C
23°C/W
65°C
至+ 150°C
23°C/W
65°C
至+ 150°C
23°C/W
65°C
至+ 150°C
160°C/W
65°C/W
160°C/W
65°C/W
130°C/W
195°C/W
160°C/W
65°C/W
130°C/W
195°C/W
(1) (4)
(3)
LF256/7/LF356B
±22V
±40V
±20V
连续
115°C
100°C
100°C
LF355/6/7
±18V
±30V
±16V
连续
115°C
100°C
100°C
400毫瓦
1000毫瓦
670毫瓦
380毫瓦
±22V
±40V
±20V
连续
150°C
输出短路持续时间
560毫瓦
1200毫瓦
400毫瓦
1000毫瓦
670毫瓦
380毫瓦
最大功耗为这些设备必须在高温下会减小，由T决定
JMAX
,
θ
JA
和
环境温度，T
A
。在任何温度下的最大可用功率消耗为P
D
=(T
JMAX
T
A
)/θ
JA
或在25℃ P
DMAX
,
以较短者为准。
如果是用于军事/航空专用设备，请联系TI销售办事处/经销商咨询具体可用性和规格。
除非另有说明，绝对最大负输入电压等于负电源电压。
马克斯。功耗是由包的特征来定义。附近操作最大的部分。功耗可能会导致
部分经营超出规定限值。
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DC电气特性
符号
V
OS
ΔV
OS
/ΔT
ΔTC / ΔV
OS
I
OS
I
B
R
IN
A
VOL
参数
输入失调电压
输入的平均TC
失调电压
变化的平均TC
随着V
OS
调整
输入失调电流
输入偏置电流
输入阻抗
大信号电压
收益
条件
民
R
S
=50Ω, T
A
=25°C
过温
R
S
=50Ω
R
S
=50Ω,
T
J
=25°C,
T
J
≤T
高
T
J
=25°C,
T
J
≤T
高
T
J
=25°C
V
S
= ± 15V ，T
A
=25°C
V
O
= ± 10V ，R
L
=2k
过温
V
O
V
CM
CMRR
PSRR
(1)
输出电压摆幅
输入共模
电压范围
共模
抑制比
电源电压抑制
比
(4)
(1) (3)
(2)
LF155/6
典型值
3
最大
5
7
5
0.5
民
LF256/7
LF356B
典型值
3
最大
5
6.5
5
0.5
20
20
100
50
3
30
10
12
50
25
200
25
15
±13
±12
±15.1
12
100
100
±12
±10
+10
80
80
20
1
100
5
民
LF355/6/7
典型值
3
最大
10
13
5
0.5
3
30
10
12
200
50
2
200
8
单位
mV
mV
μV/°C
μV/°C
每毫伏
pA
nA
pA
nA
Ω
V / MV
V / MV
(1) (3)
3
30
10
12
50
25
±12
±10
±11
85
85
±13
±12
+15.1
12
100
100
200
V
S
= ± 15V ，R
L
=10k
V
S
= ± 15V ，R
L
=2k
V
S
=±15V
±12
±10
±11
85
85
±13
±12
+15.1
12
100
100
V
V
V
V
dB
dB
除非另有说明，这些试验的条件适用：
LF155/156
电源电压，V
S
T
A
T
高
(2)
(3)
LF256/257
±15V
≤
V
S
≤
±20V
25°C ≤
T
A
≤
+85°C
+85°C
LF356B
±15V
≤
V
S
±20V
0°C
≤
T
A
≤
+70°C
+70°C
LF355/6/7
V
S
= ±15V
0°C
≤
T
A
≤
+70°C
+70°C
±15V
≤
V
S
≤
±20V
55°C ≤
T
A
≤
+125°C
+125°C
(4)
和V
OS
, I
B
我
OS
在V测量
CM
= 0.
经调整的输入偏置电压的变化为每毫伏的温度系数只有少量（ 0.5μV / ℃，典型地）
调整从原来的未调整的值。共模抑制比和开环电压增益也不受失调
调整。
输入偏置电流是结的漏电流，从而大约增加一倍，每增加10℃的结温，
T
J
。由于产量有限的测试时间，测试其输入偏置电流相关的结温。在正常操作中
结温度上升到高于环境温度的内部功耗，钯的结果。牛逼
J
= T
A
+
θ
JA
钯哪里
θ
JA
is
从结点到环境的热阻。使用的散热器的建议，如果输入偏置电流将被保持在最低限度。
电源电压抑制被测量为两个供电幅度增大或同时减小，按照普通
实践中。
DC电气特性
T
A
= T
J
= 25 ° C，V
S
= ±15V
参数
供应
当前
LF155
典型值
2
最大
4
典型值
2
LF355
最大
4
LF156/256/257/356B
典型值
5
最大
7
典型值
5
LF356
最大
10
典型值
5
LF357
最大
10
单位
mA
4
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AC电气特性
T
A
= T
J
= 25 ° C，V
S
= ±15V
LF155/355
符号
SR
GBW
t
s
e
n
参数
压摆率
增益带宽积
建立时间0.01％
等效输入噪声
电压
(1)
条件
典型值
LF155 / 6：
V
=1,
LF357 ：一
V
=5
2.5
4
25
20
0.01
0.01
3
R
S
=100Ω
F = 100赫兹
F = 1000赫兹
F = 100赫兹
F = 1000赫兹
5
LF156/256/
356B
民
7.5
LF156/256/356/
LF356B
典型值
12
LF257/357
单位
典型值
V / μs的
50
V / μs的
兆赫
μs
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
PA / ÷赫兹
pF
20
1.5
15
12
0.01
0.01
3
5
1.5
15
12
0.01
0.01
3
i
n
C
IN
(1)
等效输入电流
噪音
输入电容
建立时间在这里被定义为使用2 kΩ的电阻为LF155 / 6的单位增益反相器连接。这是必需的错误时
电压（在放大器的反相输入端子的电压），以从时的10V步输入是稳定到内其最终值的0.01％
施加到逆变器。对于LF357 ，A
V
=
5,
从输出到输入的反馈电阻是为2kΩ ，输出步骤是10V （见
解决
时间测试电路） 。
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