LF198 / LF298 / LF398 ， LF198A / LF398A单片采样保持电路
2000年7月
LF198 / LF298 / LF398 ， LF198A / LF398A
单片采样保持电路
概述
该LF198 / LF298 / LF398是单片采样和保持
它采用BI -FET电路技术获得超高
直流精度与快速捕获信号和低下垂
率。经营作为一个单位增益跟随， DC增益精度
0.002 ％的典型和采集时间低至6 μs至
0.01％。双极型输入级来实现低失调
电压和宽的带宽。输入失调电压调整是accom-
plished用单针，并且不会降低输入偏移
漂移。宽的带宽允许的LF198被列入IN-
方1 MHz的运算放大器的反馈回路，而不必台站
相容性问题。 10输入阻抗
10
允许高
要使用的源阻抗不降低准确度。
P沟道结型FET的相结合，与双极型器件
在输出放大器，得到下垂速率低至5毫伏/分钟
用1 μF保持电容。 JFET的具有低得多的
噪音比MOS器件在以前的设计中使用的和做的
不会出现高温不稳定性。整体设计
保证无馈通从输入到输出，在保持
方式，即使对于输入信号等于电源电压。
特点
n
从操作
±
5V至
±
18V用品
n
小于10微秒获取时间
n
TTL ， PMOS ， CMOS兼容的逻辑输入
n
位于C 0.5 mV的典型保持步
h
= 0.01 F
n
低输入失调
n
0.002 ％的增益精度
n
在保持模式下的低输出噪声
n
输入特性在保持模式不改变
n
样品或保持高电源抑制比
n
宽带宽
n
空间合格， JM38510
对LF198的逻辑输入完整的低差分输入
目前，允许直接连接到TTL ， PMOS和
CMOS 。差别阈限是1.4V 。该LF198将运行
从
±
5V至
±
18V电源。
一个“A”版本可从紧的电
特定连接的阳离子。
典型连接和性能曲线
采集时间
DS005692-32
DS005692-16
工作原理图
DS005692-1
2000美国国家半导体公司
DS005692
www.national.com
LF198 / LF298 / LF398 ， LF198A / LF398A
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
±
18V
电源电压
功率耗散（包
限制） （注2 ）
500毫瓦
工作环境温度范围
LF198/LF198A
-55 ° C至+ 125°C
LF298
-25 ° C至+ 85°C
LF398/LF398A
0 ° C至+ 70°C
存储温度范围
-65 ° C至+ 150°C
输入电压
等于电源电压
逻辑到逻辑参考
差分电压（注3）
+7V, 30V
输出短路持续时间
不定
保持电容短
电路持续时间
焊接温度（注4 ）
H封装（焊接， 10秒）
N包装（焊接， 10秒）
男包：
气相（ 60秒）
红外（15秒）。
热阻（ θ
JA
） （标准结构）
H封装215℃ / W （板安装在静止空气中）
85℃/ W（电路板安装在
400LF /分钟的空气流）
N包装
115C/W
男包
106C/W
θ
JC
（ H封装，典型值） 20°C / W
10秒
260C
260C
215C
220C
电气特性
下面SPECIFCATIONS申请-V
S
+ 3.5V
≤
V
IN
≤
+V
S
3.5V, +V
S
= +15V, V
S
= ± 15V ，T
A
= T
j
= 25C, C
h
= 0.01 F,
R
L
= 10 kΩ的逻辑参考= 0V ，逻辑高= 2.5V ，逻辑低= 0V ，除非另有规定。
参数
输入失调电压（注5 ）
输入偏置电流（注5 ）
输入阻抗
增益误差
穿心衰减比
在1 kHz
输出阻抗
“HOLD ”步骤， （注6 ）
电源电流（注5 ）
逻辑和逻辑基准输入
当前
漏电流为保持
电容（注5 ）
采集时间为0.1 ％
保持电容充电电流
电源电压抑制比
差分逻辑阈值
输入失调电压（注5 ）
输入偏置电流（注5 ）
T
j
= 25 ， （注7 ）
HOLD MODE
V
OUT
= 10V ，C
h
= 1000 pF的
C
h
= 0.01 F
V
IN
V
OUT
= 2V
V
OUT
= 0
T
j
= 25C
T
j
= 25C
整个温度范围
T
j
= 25C
整个温度范围
5
80
0.8
4
20
5
110
1.4
1
2.4
1
2
25
75
10
80
0.8
4
20
5
110
1.4
2
2.4
2
3
25
50
s
s
mA
dB
V
mV
mV
nA
nA
30
100
30
200
pA
T
j
= 25 ， “ HOLD ”模式
整个温度范围
T
j
= 25C, C
h
= 0.01 F ，V
OUT
= 0
T
j
≥25C
T
j
= 25C
0.5
4.5
2
0.5
2
4
2.0
5.5
10
1.0
4.5
2
0.5
4
6
2.5
6.5
10
mV
mA
A
T
j
= 25C
整个温度范围
T
j
= 25C
整个温度范围
T
j
= 25C
T
j
= 25 ° C，R
L
= 10k
整个温度范围
T
j
= 25C, C
h
= 0.01 F
86
96
10
10
条件
民
LF198/LF298
典型值
1
5
最大
3
5
25
75
民
LF398
典型值
2
10
10
10
单位
最大
7
10
50
100
mV
mV
nA
nA
0.01
0.02
%
%
dB
0.002
0.005
0.02
80
0.004
90
www.national.com
2
LF198 / LF298 / LF398 ， LF198A / LF398A
电气特性
下面SPECIFCATIONS申请-V
S
+ 3.5V
≤
V
IN
≤
+V
S
3.5V, +V
S
= +15V, V
S
= ± 15V ，T
A
= T
j
= 25C, C
h
= 0.01 F,
R
L
= 10 kΩ的逻辑参考= 0V ，逻辑高= 2.5V ，逻辑低= 0V ，除非另有规定。
参数
输入阻抗
增益误差
穿心衰减比
在1 kHz
输出阻抗
“HOLD ”步骤， （注6 ）
电源电流（注5 ）
逻辑和逻辑基准输入
当前
漏电流为保持
电容（注5 ）
采集时间为0.1 ％
保持电容充电电流
电源电压抑制比
差分逻辑阈值
T
j
= 25 ， （注7 ）
HOLD MODE
V
OUT
= 10V ，C
h
= 1000 pF的
C
h
= 0.01 F
V
IN
V
OUT
= 2V
V
OUT
= 0
T
j
= 25C
90
0.8
4
20
5
110
1.4
2.4
90
0.8
6
25
4
20
5
110
1.4
2.4
6
25
s
s
mA
dB
V
30
100
30
100
pA
T
j
= 25 ， “ HOLD ”模式
整个温度范围
T
j
= 25C, C
h
= 0.01μF ，V
OUT
= 0
T
j
≥25C
T
j
= 25C
0.5
4.5
2
0.5
1
4
1
5.5
10
1.0
4.5
2
0.5
1
6
1
6.5
10
mV
mA
A
T
j
= 25C
T
j
= 25 ° C，R
L
= 10k
整个温度范围
T
j
= 25C, C
h
= 0.01 F
86
96
条件
民
LF198A
典型值
10
10
LF398A
最大
0.005
0.01
86
90
民
典型值
10
10
单位
最大
0.005
0.01
%
%
dB
0.002
0.004
注1 ：
“绝对最大额定值”，表示以后可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件，该设备是
功能，但不保证特定的性能极限。
注2 ：
最大功耗必须在高温下会减小，由T决定
JMAX
,
θ
JA
和环境温度，T
A
。最大
在任何温度下允许功耗为：P
D
= (T
JMAX
T
A
)/θ
JA
或者在绝对最大额定值给出的数字，以较低者为准。最大
结温，T
JMAX
，对于LF198 / LF198A是150°C ;为LF298 ， 115℃ ;而对于LF398 / LF398A ，100C 。
注3 ：
虽然差分电压不得超过的限度定，在逻辑引脚的共模电压可以等于无电源电压
从而损坏电路。对于正确的逻辑运算，然而，逻辑引脚必须始终至少2V低于正电源和3V的负面以上
略去供应。
注4 ：
见AN- 450“表面贴装方法及其对产品可靠性的影响”为焊接表面的其他方法安装设备。
注5 ：
这些参数保证了供电电压范围
±
5
±
18V，和-V的输入范围
S
+ 3.5V
≤
V
IN
≤
+V
S
3.5V.
注6 ：
保持步是敏感的流浪输入逻辑信号和保持电容器之间的电容耦合。 1 pF的，例如，将产生一个额外的0.5毫伏步骤
与5V逻辑摆幅和0.01μF保持电容。保持步骤的大小成反比，保持电容值。
注7 ：
漏电流的测量是在25℃的结温。的结温升高，由于功耗和高环境可以影响
被加倍为每个11C增加芯片温度的25℃的值来计算。渗漏是保证在整个输入信号范围。
注8 ：
军事RETS电气测试规格可根据要求提供。该LF198也可以购买到标准军事
#5962-8760801GA
或
MIL- STD- 38510的部分ID JM38510 / 12501SGA 。
典型性能特性
孔径时间
（注9 ）
电介质吸收
在保持电容误差
动态采样误差
DS005692-19
DS005692-17
DS005692-18
注9 ：
参见术语的定义
3
www.national.com
LF198 / LF298 / LF398 ， LF198A / LF398A
典型性能特性
产量的下降率
保持步
（续）
“保持”稳定时间
（注10 ）
DS005692-20
DS005692-21
DS005692-22
漏电流为保持
电容
相位和增益（输入到
输出小信号）
增益误差
DS005692-23
DS005692-25
DS005692-24
电源抑制
输出短路电流
输出噪声
DS005692-26
DS005692-27
DS005692-28
注10 ：
参看定义
www.national.com
4
LF198 / LF298 / LF398 ， LF198A / LF398A
典型性能特性
输入偏置电流
（续）
穿心抑制比
（保持模式）
保持步骤与输入电压
DS005692-29
DS005692-30
DS005692-31
输出瞬态的开始
采样模式
输出瞬态的开始
的保持模式
DS005692-12
DS005692-13
逻辑输入配置
TTL & CMOS
3V
≤
V
逻辑
（高状态）
≤
7V
DS005692-33
阈值= 1.4V
DS005692-34
阈值= 1.4V
*
在8引脚选择2.8V
5
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