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LF198QML
LF198QML单片采样保持电路
文献编号: SNOSAH9
LF198QMLMonolithic采样保持电路
2005年2月
LF198QML
单片采样保持电路
概述
该LF198是单片取样和保持电路,其
利用BI- FET技术获得超高直流精度
快速信号采集和低下降率的。操作
作为一个单位增益跟随,直流增益精度为0.002 %的典型
和采集时间是低至6 μs至0.01%。双极
输入级被用来实现低失调电压和宽
带宽。输入失调电压调整是通过一单
引脚,不会降低输入失调漂移。宽阔的频带 -
宽度允许LF198被包括在反馈内
1 MHz的运算放大器环路,无需稳定性问题。
10输入阻抗
10
允许高源阻抗为
可以使用而不会降低精确度。
P沟道结型FET的相结合,与双极型器件
在输出放大器,得到下垂速率低至5毫伏/分钟
用1 μF保持电容。 JFET的具有低得多的
噪音比MOS器件在以前的设计中使用的和做的
不会出现高温不稳定性。整体设计
保证无馈通从输入到输出,在保持
方式,即使对于输入信号等于电源电压。
特点
n
从操作
±
5V至
±
18V用品
n
小于10微秒获取时间
n
TTL , PMOS , CMOS兼容的逻辑输入
n
位于C 0.5 mV的典型保持步
h
= 0.01 F
n
低输入失调
n
0.002 %的增益精度
n
在保持模式下的低输出噪声
n
输入特性在保持模式不改变
n
样品或保持高电源抑制比
n
宽带宽
对LF198的逻辑输入完整的低差分输入
目前,允许直接连接到TTL , PMOS和
CMOS 。差别阈限是1.4V 。该LF198将运行
±
5V至
±
18V电源。
订购信息
NSC型号
LF198H/883
LF198WG-QMLV
LF198WG/883
JAN型号
5962–8760801GA
5962–8760801VZA
5962–8760801QZA
NSC包装数
H08C
WG14A
WG14A
包装说明
8引脚金属罐
14LD陶瓷SOIC
14LD陶瓷SOIC
连接图
小外形封装
金属罐包装
20122215
见NS包装数WG14A
20122214
见NS包装数H08C
2005美国国家半导体公司
DS201222
www.national.com
LF198QML
典型连接和性能曲线
采集时间
20122232
20122216
工作原理图
20122201
www.national.com
2
LF198QML
绝对最大额定值
(注1 )
电源电压
功率耗散(套餐限制) (注2 )
工作环境温度范围
最高结温(T
JMAX
)
输入电压
逻辑与逻辑参考差分电压(注3 )
输出短路持续时间
保持电容器短路持续时间
引线温度(焊接, 10秒)
热阻
θ
JA
金属罐
金属罐
(静止空气
@
0.5W)
( 500 LF /最小空气流量
@
0.5W)
(静止空气
@
0.5W)
( 500 LF /最小空气流量
@
0.5W)
160C/W
84C/W
140C/W
95C/W
48C/W
20C/W
待定
415mg
500V
±
18V
500毫瓦
-55 ° C至+ 125°C
+150C
等于电源电压
+7V, 30V
不定
10秒
260C
陶瓷SOIC
陶瓷SOIC
θ
JC
金属罐
陶瓷SOIC
包装重量(典型)
金属罐
陶瓷SOIC
ESD容差(注7 )
质量一致性检验
MIL-STD -883方法5005 - A组
小组
1
2
3
4
5
6
7
8A
8B
9
10
11
描述
在静态测试
在静态测试
在静态测试
在动态测试
在动态测试
在动态测试
在功能测试
在功能测试
在功能测试
开关在试验
开关在试验
开关在试验
温度(℃)
+25C
+125C
55C
+25C
+125C
55C
+25C
+125C
55C
+25C
+125C
55C
3
www.national.com
LF198QML
电气特性
以下规格适用,除非另有规定。 V
CC
=
±
15V ,R
L
= 10kΩ的,V
IN
= 0V ,C
HOLD
= 0.01 μF ,逻辑REF-
erence PIN = 0V ,逻辑引脚= 4V
符号
I
CC
+
参数
正电源电流
条件
+V
CC
= 15V, -V
CC
= -15V
+V
CC
= 18V, -V
CC
= -18V,
模式= "Sample"
+V
CC
= 18V, -V
CC
= -18V,
模式= "Hold"
I
CC
-
负电源电流
+V
CC
= 15V, -V
CC
= -15V
+V
CC
= 18V, -V
CC
= -18V,
模式= "Sample"
+V
CC
= 18V, -V
CC
= -18V,
模式= "Hold"
V
OS
输入失调电压
+V
CC
= 3V, -V
CC
= -7V
+V
CC
= 15V, -V
CC
= -15V
+V
CC
= 3.5V, -V
CC
= -26.5V
+V
CC
= 18V, -V
CC
= -18V
+V
CC
= 3.5V, -V
CC
= -32.5V
+V
CC
= 26.5V, -V
CC
= -3.5V
+V
CC
= 32.5V, -V
CC
= -3.5V,
逻辑= 2.5V
+V
CC
= 7V, -V
CC
= -3V
I
IB
输入偏置电流
+V
CC
= 3V, -V
CC
= -7V
+V
CC
= 15V, -V
CC
= -15V
+V
CC
= 3.5V, -V
CC
= -32.5V
+V
CC
= 32.5V, -V
CC
= -3.5V
+V
CC
= 7V, -V
CC
= -3V
I
泄漏(CAP)
漏电流为保持
电容
+V
CC
= 3V, -V
CC
= -7V
+V
CC
= 3.5V, -V
CC
= -32.5V
+V
CC
= 32.5V, -V
CC
= -3.5V
+V
CC
= 7V, -V
CC
= -3V
(注5 )
(注5 )
-5.5
-6.5
-5.5
-6.5
-5.5
-6.5
-3.0
-5.0
-3.0
-5.0
-3.0
-5.0
-3.0
-5.0
-3.0
-5.0
-3.0
-5.0
-3.0
-5.0
-3.0
-5.0
-25
-75
-25
-75
-25
-75
-25
-75
-25
-75
-100
-100
-100
-100
3.0
5.0
3.0
5.0
3.0
5.0
3.0
5.0
3.0
5.0
3.0
5.0
3.0
5.0
3.0
5.0
25
75
25
75
25
75
25
75
25
75
100
100
100
100
笔记
最大
5.5
6.5
5.5
6.5
5.5
6.5
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
pA
pA
pA
pA
SUB -
群体
1, 2
3
1, 2
3
1, 2
3
1, 2
3
1, 2
3
1, 2
3
1
2, 3
1
2, 3
1
2, 3
1
2, 3
1
2, 3
1
2, 3
1
2, 3
1
2, 3
1
2, 3
1
2, 3
1
2, 3
1
2, 3
1
2, 3
1
1
1
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    LF198QML
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    -
    -
    -
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联系人:朱先生
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