LF11331 / LF13331 / LF11332 / LF13332 / LF11333 / LF13333 / LF11201 / LF13201 / LF11202 / LF13202四
JFET SPST模拟开关
1995年1月
LF11331/LF13331/LF11332/LF13332/LF11333/
LF13333/LF11201/LF13201/LF11202/LF13202
四通道SPST JFET模拟开关
概述
这些器件是双极的单片组合和
JFET技术制造的业界首款单芯片四
JFET开关。独特的电路技术来main-
覃以上的模拟电压范围内的恒定阻力
±
10V 。输入被设计为从最小TTL操作
的水平，
和
开关
手术
还
保证
a
先开后合做动作。
这些器件工作
±
15V电源和一个摇摆
±
10V的模拟信号。 JFET的开关被设计用于AP-
并发症，其中直流到中频模拟信号
需要被控制。
特点
n
模拟信号不装
n
恒“ON”电阻信号向
±
10V和
100千赫
n
引脚兼容的CMOS开关与优势
中吹出免手续费
n
小信号模拟信号到50MHz
n
突破前先采取行动：吨
关闭
＆ LT ;
t
ON
n
高开隔离开关在1.0 MHz时： -50分贝
n
低漏在“OFF ”状态：
＆ LT ;
1.0 NA
n
TTL ， DTL ， RTL兼容性
n
单禁用引脚打开所有开关在包装上
LF11331 ， LF11332 ， LF11333
n
LF11201与DG201引脚兼容
测试电路及原理图
DS005667-2
图1.典型的电路交换的一个
DS005667-12
图2示意图（常开）
1999美国国家半导体公司
DS005667
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绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
（注2 ）
电源电压（V
CC
V
EE
)
参考电压
逻辑输入电压
模拟电压
模拟电流
36V
V
EE
≤V
R
≤V
CC
V
R
4.0V≤V
IN
≤V
R
+6.0V
V
EE
≤V
A
≤V
CC
+6V;
V
A
≤V
EE
+36V
|I
A
|
＆ LT ;
20毫安
功率耗散（注3 ）
成型DIP （N后缀）
腔DIP （D后缀）
工作温度范围
LF11201 ， 2和LF11331 1,2,3
LF13201 ， 2和LF13331 1,2,3
储存温度
焊接信息
和D套餐（ 10秒）
SO封装：
气相（ 60秒）
红外（15秒）。
500毫瓦
900毫瓦
-55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
-65 ° C至+ 150°C
300C
215C
220C
电气特性
（注4 ）
LF11331/2/3
符号
R
ON
R
ON
MATCH
V
A
I
S（ ON） +
I
D（上）
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
V
INH
V
INL
I
INH
I
INL
t
ON
t
关闭
t
ON
t
关闭
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
S（ ON） +
C
D（上）
I
的SO （OFF）的
CT
SR
I
DIS
I
EE
I
R
I
CC
“关”的分离
相声
模拟量转换率
禁用当前
负电源电流
参考电源电流
正电源电流
（图
4),
（注5 ）
（图
4),
（注5 ）
（注6 ）
（图
5),
（注7 ）
所有的开关“OFF ”V
S
=
±
10V
所有的开关“OFF ”V
S
=
±
10V
所有的开关“OFF ”V
S
=
±
10V
T
A
= 25C
T
A
= 25C
T
A
= 25C
T
A
= 25C
T
A
= 25C
T
A
= 25C
T
A
= 25C
50
65
50
0.4
0.6
3.0
4.2
2.0
2.8
4.5
6.3
1.0
1.5
5.0
7.5
4.0
6.0
6.0
9.0
50
65
50
0.6
0.9
4.3
6.0
2.7
3.8
7.0
9.8
1.5
2.3
7.0
10.5
5.0
7.5
9.0
13.5
dB
dB
V / μs的
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
在“关闭”状态的电源电流
漏电流在“关”状态
逻辑“1”输入电压
逻辑“0”输入电压
逻辑“1”的输入电流
逻辑“0”输入电流
延迟时间“ ON”的
延迟时间为“OFF”
突破前先
源电容
漏极电容
活跃的源极和漏极电容
V
IN
= 5V
V
IN
= 0.8
V
S
=
±
10V （图
3)
V
S
=
±
10V （图
3)
V
S
=
±
10V （图
3)
开关“关中，”V
S
=
±
10V
开关“关中，”V
D
=
±
10V
开关“ON”， V
S
= V
D
= 0V
T
A
= 25C
T
A
= 25C
T
A
= 25C
T
A
= 25C
T
A
= 25C
T
A
= 25C
T
A
= 25C
T
A
= 25C
500
90
80
4.0
3.0
5.0
3.6
开关“关中，”V
S
= +10V,
V
D
= 10V
开关“关中，”V
S
= +10V,
V
D
= 10V
2.0
0.8
10
25
0.1
1
500
90
80
4.0
3.0
5.0
3.6
T
A
= 25C
T
A
= 25C
参数
'ON'性
“ON”电阻匹配
模拟范围
漏电流“ON ”状态下
开关“ON”， V
S
= V
D
=
±
10V
T
A
= 25C
V
A
= 0, I
D
= 1毫安
条件
T
A
= 25C
T
A
= 25C
LF11201/2
民
典型值
150
200
5
最大
200
300
20
5
100
5
100
5
100
2.0
0.8
40
100
0.1
1
LF13331/2/3
LF13201/2
民
典型值
150
200
10
最大
250
350
50
10
30
10
30
10
30
V
nA
nA
nA
nA
nA
nA
V
V
A
A
A
ns
ns
ns
pF
pF
pF
单位
±
10
±
11
0.3
3
0.4
3
0.1
3
±
10
±
11
0.3
3
0.4
3
0.1
3
注1 ：
“绝对最大额定值”，表示以后可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件，该设备是
功能，但不保证特定的性能极限。
注2 ：
请参阅RETSF11201X ， RETSF11331X ， RETSF11332X和RETSF11333X军事规格。
注3 ：
对于在高温下操作该模制产品的DIP必须基于一个+ 100℃时的最大结点温度和耐热性的降低的
为+ 150°C / W，在空腔中的DIP设备是基于一个+ 150°C的最大结温，并在降额
±
100C/W.
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2
电气特性
（注4 ）
（续）
注4 ：
除非另有规定ED ，V
CC
= +15V, V
EE
= 15V, V
R
= 0V ，并限制申请-55C≤T
A
≤+125C
为LF11331 / 2/ 3和LF11201 / 2，
25C≤T
A
≤+85C
为LF13331 / 2/ 3和LF13201 / 2 。
注5 ：
这些参数是由所述销限定的引脚封装的电容。
注6 ：
这是模拟信号的压摆率，超过该值信号失真的有限内部的压摆率的结果。
注7 ：
在该装置中的所有开关都置于“OFF ”通过饱和在停用节点的晶体管，如图中
图5中。
的延迟时间将是大约等于
到T
ON
或T
关闭
加上延时由外部晶体管出台。
注8 ：
该曲线图表示的模拟量电流，在将模拟电流的1％时的漏极是相对于所述源正被丢失。
注9 ：
θ
JA
（典型值）热阻
成型DIP （N ）
85C/W
腔DIP （ D）
小外形封装（M ）
100C/W
105C/W
连接图
（顶视图SO和双列直插式封装） （所有交换机都为逻辑“0” ）
LF11332/LF13332
LF11331/LF13331
DS005667-1
DS005667-13
LF11333/LF13333
LF11201/LF13201
DS005667-14
DS005667-15
3
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连接图
“0” ） （续）
（顶视图SO和双列直插式封装） （所有开关是用于逻辑
LF11202/LF13202
DS005667-16
订单号LF13201D ， LF11201D ， LF11201D / 883 ， LF13202D ， LF11202D ， LF11202D / 883 ， LF13331D ， LF11331D ，
LF11331D / 883 ， LF13332D ， LF11332D ， LF11332D / 883 ， LF13333D ， LF11333D或LH11333D / 883
见NS包装数D16C
订单号LF13201M ， LF13202M ， LF13331M ， LF13332M或LF13333M
见NS包装数M16A
订单号LF13201N ， LF13202N ， LF13331N ， LF13332N或LF13333N
见NS包装数N16A
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4
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