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LET9006

射频功率晶体管

增强型LDMOS技术

在塑料包装

目标数据

N沟道增强模式横向

MOSFET的

优良的热稳定性

常见源配置

OUT

= 6 W 17 dB增益@ 960兆赫/ 26V

新的无铅塑料封装

ESD保护

供给TAPE &卷轴3K单位

PowerFLAT

(5x5)

订货编号

LET9006

BRANDING

9006

描述

该LET9006是一种常见的源N沟道，恩

hancement模式横向场效应RF功率

晶体管。它是专为高增益，宽频带

商业和工业应用。它的工作

在26 V的共源模式下频率高达

到1 GHz 。 LET9006拥有出色的增益，

线性ST最新的LDMOS和可靠性

技术安装在创新的无引线

SMD塑料包装， PowerFLAT 。

它非常适用于数字蜂窝基站应用

要求高的线性度。

引脚连接

顶视图

绝对最大额定值（T

例

= 25

符号

（ BR ） DSS

DISS

英镑

漏源电压

栅源电压

漏电流

功率耗散（ @ T = 70 ° C）

马克斯。工作结温

储存温度

参数

价值

-0.5至+15

150

-65到+150

单位

°C

热数据

日（J -C ）

结-Case热阻

° C / W

15 2003年4月

1/4

LET9006

电气特性（T

例

= 25

STATIC

符号

（ BR ） DSS

DSS

GSS

GS （ Q）

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

= 0 V

= 5 V

= 26 V

= 10 V

= 0 V

测试条件

= 1毫安

= 26 V

= 0 V

=待定

= 0.5 A

= 800毫安

= 26 V

F = 1 MHz的

待定

2.0

分钟。

5.0

0.9

姆欧

典型值。

马克斯。

单位

动态

= 960兆赫）

符号

OUT(1)

D(1)

负载

不匹配

= 26 V

测试条件

=待定

OUT

= 6 W

OUT

= 6 W

分钟。

典型值。

10:1

马克斯。

单位

VSWR

=待定

= 26 V

所有相位角

（ 1 ） 1 dB压缩点

动态

= 920 - 960兆赫）

符号

out(1)

D(1)

= 26 V

测试条件

=待定

OUT

= 6 W

OUT

= 6 W

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

（ 1 ） 1 dB压缩点

2/4

LET9006

PowerFLAT

机械数据

DIM 。

2.49

0.15

0.43

0.64

分钟。

典型值。

0.90

0.02

0.24

0.25

0.51

0.71

5.00

0.30

5.00

2.57

1.27

3.37

0.74

0.21

2.64

0.098

最大

1.00

0.05

0.35

0.58

0.79

0.006

0.017

0.025

分钟。

寸

典型值。

0.035

0.001

0.009

0.01

0.020

0.028

0.197

0.011

0.197

0.101

0.050

0.132

0.03

0.008

0.104

最大

0.039

0.002

0.014

0.023

0.031

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LET9006

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