LET21030C
射频功率晶体管
增强型LDMOS技术
目标数据
专为GSM / EDGE / IS- 97 / WCDMA
应用
优良的热稳定性
P
OUT
= 30瓦11 dB增益@ 2170 MHz的
氧化铍无铅封装
内部输入匹配
ESD保护
CASE 465E -03 ，风格1
环氧树脂密封
订货编号
LET21030C
BRANDING
LET21030C
描述
该
LET21030C
是一种常见的源N沟道
增强模式横向场效应RF功率
晶体管专为宽带商业和
高达2.1工业应用的频率
千兆赫。该
LET21030C
被设计用于高增益和
宽带性能的常用操作
源模式在26 V.它的内部匹配，使
它非常适用于基站应用要求高
线性度。
引脚连接
1
3
2
1.漏
2.门
3.源
绝对最大额定值
(T
例
= 25
°
C)
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS
I
D
P
DISS
Tj
T
英镑
漏源电压
栅源电压
漏电流
功率耗散（ @ T = 70
°C)
马克斯。工作结温
储存温度
参数
价值
65
-0.5至+15
4
65
200
-65到+200
单位
V
V
A
W
°C
°C
热数据
R
日（J -C ）
结-Case热阻
2
° C / W
一月24 2003
1/4
LET21030C
电气规格
(T
例
= 25
°
C)
STATIC
（每科）
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
G
FS
C
国际空间站
*
C
OSS
C
RSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 5 V
V
DS
= 28 V
V
GS
= 10 V
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
I
D
= 20
A
V
DS
= 26 V
V
DS
= 0 V
I
D
=待定
I
D
= 1 A
I
D
= 1 A
V
DD
= 26 V
V
DD
= 26 V
V
DS
= 26 V
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
2
0.29
2
待定
待定
待定
测试条件
分钟。
65
1
1
4.5
0.4
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
V
V
姆欧
pF
pF
pF
*包括输入匹配电容的封装
?
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
动态
(f
= 2170兆赫）
P
OUT(1)
η
D(1)
负载
不匹配
V
DD
= 26 V
V
DD
= 26 V
I
DQ
=待定
I
DQ
=待定
30
45
35
50
10:1
W
%
VSWR
V
DD
= 26 V P
OUT
= 30 W
所有相位角
动态
(f
= 2110年至2170年兆赫）
P
OUT(1)
η
D(1)
G
P
P
OUT(W-CDMA)(2)
η
D(W-CDMA)(2)
V
DD
= 26 V
V
DD
= 26 V
V
DD
= 26 V
I
DQ
=待定
I
DQ
=待定
I
DQ
=待定毫安P
OUT
= 30 W
25
40
30
45
11
5
20
W
%
dB
W
%
ACPR为-45dBc
ACPR为-45dBc
（ 1 ） 1 dB压缩点
（2） ±5 MHz偏移; 3.84 MHz的Bandwitdh
ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
类
2
M3
2/4
LET21030C
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