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LET20030S
射频功率晶体管
增强型LDMOS技术
在塑料包装
目标数据
专为GSM / EDGE / IS- 97的应用程序
优良的热稳定性
常见源配置
P
OUT
= 30瓦11 dB增益@ 2000 MHz的
ESD保护
IS- 97 CDMA表演
P
OUT
= 4.5 W
EFF = 17 %
PowerSO-10RF
(直引线)
订货编号
LET20030S
BRANDING
LET20030S
描述
该LET20030S是一个公共源的N沟道,
增强模式横向场效应RF功率
晶体管。它是专为高增益,宽频带
商业和工业应用。它的工作
在26 V的共源模式下频率高达
到2 GHz 。 LET20030S拥有出色的增益,
线性ST最新的LDMOS和可靠性
技术安装在第一个真正的SMD塑料RF
功率封装, PowerSO - 10RF 。 LET20030S的
卓越的线性度性能使它成为理想的
解决方案基站应用。
该PowerSO - 10塑料封装,旨在提供
高可靠性,是第一个ST JEDEC批准,高
功率SMD封装。它已专门
射频需求进行了优化,提供卓越的RF
性能和易于组装。
引脚连接
来源
安装建议在使用
www.st.com/rf/
(查找应用笔记AN1294 )
绝对最大额定值
(T
= 25
°
C)
符号
V
( BR ) DSS
V
GS
I
D
P
DISS
Tj
T
英镑
漏源电压
栅源电压
漏电流
功耗
马克斯。工作结温
储存温度
参数
价值
65
-0.5至+15
待定
140
165
-65到+175
单位
V
V
A
W
°C
°C
热数据
R
日(J -C )
结-Case热阻
1.0
° C / W
1/4
二月27 2003
LET20030S
电气规格
(T
= 25
°
C)
STATIC
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( Q)
V
DS ( ON)
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 5 V
V
DS
= 26 V
V
GS
= 10 V
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
测试条件
I
DS
= 1毫安
V
DS
= 26 V
V
DS
= 0 V
I
D
=待定
I
D
= 1 A
I
D
= 1 A
V
DS
= 26 V
V
DS
= 26 V
V
DS
= 26 V
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
2.5
待定
待定
待定
待定
待定
分钟。
65
1
1
5.0
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
V
V
姆欧
pF
pF
pF
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
动态
(f
= 2000兆赫)
P
1dB
G
P
η
D
IMD3
(1)
负载
不匹配
V
DD
= 26 V
V
DD
= 26 V
V
DD
= 26 V
V
DD
= 26 V
I
DQ
=待定
I
DQ
=待定
I
DQ
=待定
I
DQ
=待定
P
OUT
= 30 W
P
OUT
= 30 W
P
OUT
= 30瓦PEP
P
OUT
= 30 W
30
11
45
13
50
-32
-28
10:1
W
dB
%
dBc的
VSWR
I
DQ
=待定
V
DD
= 26 V
所有相位角
动态
(f
= 1930年至1990年兆赫)
P
出(2)
G
P
η
D(2)
P
出( CDMA)的
(3)
V
DD
= 26 V
V
DD
= 26 V
V
DD
= 26 V
I
DQ
=待定
I
DQ
=待定
I
DQ
=待定
P
OUT
= 30 W
P
OUT
= 30 W
25
11
40
30
13
45
4.5
W
dB
%
W
885千赫< -47 dBc的
1.25兆赫< -55 dBc的
2.25兆赫< -55 dBc的
885千赫< -47 dBc的
1.25兆赫< -55 dBc的
2.25兆赫< -55 dBc的
η
D(CDMA)(3)
17
%
(1) f
1
= 2000兆赫,女
2
= 2000.1兆赫
(2)1 1dB压缩点
( 3 ) IS- 97 CDMA导频,同步,寻呼,交通守则8直通13
2/4
LET20030S
PowerSO - 10RF直导线机械数据
DIM 。
A1
A2
A3
A4
a
b
c
D
D1
E
E1
E2
E3
F
G
R1
R2
T1
T2
5.4
0.23
9.4
7.4
15.15
9.3
7.3
5.9
mm
分钟。
1.62
3.4
1.2
0.15
典型值。
1.67
3.5
1.3
0.2
0.2
5.53
0.27
9.5
7.5
15.4
9.4
7.4
6.1
0.5
1.2
0.25
0.8
6度
10度
0.031
6度
10度
5.65
0.32
9.6
7.6
15.65
9.5
7.5
6.3
0.212
0.008
0.370
0.290
0.595
0.365
0.286
0.231
最大
1.72
3.6
1.4
0.25
分钟。
0.064
0.134
0.046
0.005
典型值。
0.065
0.137
0.05
0.007
0.007
0.217
0.01
0.374
0.295
0.606
0.37
0.292
0.24
0.019
0.047
0.01
0.221
0.012
0.377
0.298
0.615
0.375
0.294
0.247
最大
0.068
0.142
0.054
0.009
注( 1 ) :不包含树脂突起(最大值:每边0.15毫米)
关键尺寸:
- 总宽( L)
3/4
LET20030S
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更改,恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。意法半导体的产品不
授权使用的,而不意法半导体的明确书面批准的生命支持设备或系统中的关键组件。
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http://www.st.com
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    LET20030S
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    -
    -
    -
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联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
LET20030S
ST
24+
9850
原厂原封
官方授权代理商入驻
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
LET20030S
ST
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23480
全新原装正品/质量有保证
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ST
21+
10000
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LET20030S
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8691
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