LE28FV4001M ，T，R - 20/25
3.字节编程操作
通过写一个建立命令（ 10H）命令寄存器开始的字节编程操作。
一旦setup命令执行时，执行命令是由下面我们脉冲转换开始。图7
示出了用于该操作的时序波形。的地址和数据被内部锁存的下降沿
和不断上升的WE脉冲的边缘上。在WE的上升沿也对应于节目的开始
操作。在编程操作时内部定时控制下自动地完成。图2和图7
显示编程特性和波形。
如前面所提到的，这两个阶段的序列，其中一个设置命令和一个下面的执行的操作，是
需要保证的存储器单元将不被意外地编程。
4.字节编程流程
数据被存储到设备（即，该设备被编程）中，如图2中所示的字节编程流程图。
字节编程命令设置用于写入的字节。的地址被锁存WE的下降沿或
CE，取其最后下降。该数据被锁在WE或CE的上升沿，以先升高，并且
编程操作开始。该应用程序可以检测完成由数据轮询写入的或通过使用
触发位。
5.复位操作
reset命令是用于安全地终止擦除或编程命令序列的过程。写作
FFH向发出擦除或编程设置命令安全地将取消该操作后，命令寄存器。
的存储器中的内容也不会被改变。该设备进入执行复位命令后读取模式。该
复位命令不能激活该软件的数据保护功能。图8示出了定时wavefroms 。
6.读操作
通过设置CE和OE的读操作，然后我们阅读模式。图3示出了读取模式
时序波形，和读出模式的条件被示为“功能的逻辑” 。从主机搜索读周期
用于存储器阵列的数据。设备保持在读状态，直到另一个命令被写入命令
注册。
由于默认情况下，该设备将在读取模式从电源的时间写保护状态被首先应用到一
命令被写入命令寄存器。所述解除保护序列必须被执行以完成一次写操作
（擦除或编程） 。
读操作通过CE及OE控制的，并且两者都必须被设置为逻辑低电平时，激活的读
功能。当CE是在逻辑高电平时，该芯片处于未选择状态，并且仅汲取的待机电流。
OE控制输出引脚。器件输出引脚将处于高阻抗状态，如果CE或OE是在
逻辑高电平。
7.读ID操作
读取的ID的操作由一个单独的命令， 90H 。从地址0000H的读操作，然后将返回
制造商代码， BFH从地址0001H读操作将返回的设备代码， 04H 。此操作
通过写任何其他有效的命令到命令寄存器终止。
保护数据免受无意识
保护积累存储的数据，该用户打算是非易失性的，所述LE28FV4001系列产品提供
硬件和软件的功能，以防止无意识通电时或切断。
1.硬件数据保护
该LE28FV4001系列产品集成了硬件数据功能，防止无意识。
写保护模式：写操作被禁止，如果任OE处于低逻辑电平， CE为高逻辑电平，
或WE处于高逻辑电平。
噪声和干扰保护： WE脉冲短于15纳秒不会执行写操作。
在LE28FV4001系列产品设计通过设置设备上的无意识到最低限度
当电源第一次应用到阅读模式作为默认设置。
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