初步规格
CMOS LSI
LE28FV4001CTS-20
4M位（ 512K × 8 ）闪存EEPROM
特点
CMOS闪存EEPROM技术
单3.3伏读取和写入操作
扇区擦除功能：每个扇区256字节
快速存取时间： 200纳秒
低功耗
工作电流（读） ： 10毫安（最大）
A
（ MAX 。 ）
高读/写可靠性
部门写的读写周期： 10
4
10年的数据保留
锁存地址和数据
自定时擦除和编程
字节编程：为40μs （最大值）
写检测结束：切换位/
数据
轮询
硬件/软件数据保护
JEDEC标准字节宽EEPROM引脚排列
可用的软件包
LE28FV4001CTS ： 32引脚TSOP正常（ 8 × 14毫米）
产品说明
该LE28FV4001C是512K
×8
CMOS扇区擦除，
字节EEPROM编程。该LE28FV4001C是
使用三洋专有的，高性能的生产
CMOS闪存EEPROM技术。在突破
EEPROM单元的设计和流程架构获得更好的
可靠性
和
生产能力
相比
同
传统的方法。该LE28FV4001C擦除和
用3.3伏电源只能方案。 LE28FV4001C
符合JEDEC标准的引脚排列字节宽
回忆，是与现有的行业标准兼容
EPROM ，闪存EPROM和EEPROM的引脚排列。
拥有高性能的编程，
该
LE28FV4001C典型字节为30μs方案。该
LE28FV4001C通常扇区（256字节）擦除2ms的。
这两种编程和擦除时间可以使用优化
接口功能，如切换位或
数据
轮询
表示写周期完成的。为了防止
无意中写的LE28FV4001C对芯片硬件
而最新的软件保护方案。设计，
制造和测试了广泛的应用范围，
在LE28FV4001C提供了保证扇区写入
10耐力
4
周期。数据额定保存大于
10年。
该LE28FV4001C是最适合于应用
需要重新编程的非易失性大容量存储的
程序或数据存储器。对于所有的系统应用程序，该
LE28FV4001C显著改善了性能和
可靠性，同时降低功耗，当
用软盘或EPROM方法相比。
EEPROM技术使得可以方便
上线代码和控制程序的经济性更新。
该LE28FV4001C提高灵活性，同时降低
计划和配置存储应用成本。
图1示出的引脚分配的32引线
塑料TSOP封装。图2示出了功能块
图中LE28FV4001C的。引脚说明和
操作模式可以在表1至表3中可以找到。
设备操作
命令用于启动存储器操作
该装置的功能。命令被写入到设备
采用标准的微处理器写序列。的命令
写的是认定
WE
低，同时保持
CE
低。
地址总线被锁存的下降沿
WE
,
CE
,
为准过去。数据总线被锁定在上升
边缘
WE
,
CE
，以先到为准。然而，在
软件写保护程序的地址是
锁存的上升沿
OE
or
CE
，以先到为准
科幻RST 。
*本产品运用科技进步获得了Silicon Storage Technology，Inc.的许可
这个初步的规格如有变更，恕不另行通知。
三洋电机有限公司半导体公司
1-1 ， 1丁目，坂田，大泉町，邑郡，群马， 370-0596 JAPAN
版本2.20二月23,2001 - AY / AY -1/14
LE28FV4001CTS-20
4M位闪存EEPROM
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表1 ：引脚说明
符号
A18-A0
引脚名称
地址输入
功能
提供的内存地址。地址在写周期被内部锁存。
到输出数据中读出的周期和在写周期接收的输入数据。数据在内部
在写周期期间锁存。输出处于三态时，
OE
or
CE
为高。
要激活设备时，
CE
是低的。取消选择，并把该设备待机时
CE
is
高。
激活该数据输出缓冲器。
OE
为有效低电平。
激活该写操作。
WE
为有效低电平。
提供3.3V ± 0.3V电源
.
DQ7 - DQ0数据输入/输出
CE
OE
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源
地
WE
V
DD
V
SS
表2 ：操作模式选择
模式
读
写
待机
写禁止
产品编号
CE
V
IL
V
IL
V
IH
X
X
V
IL
OE
V
IL
V
IH
X
V
IL
X
V
IL
WE
V
IH
V
IL
X
X
V
IH
V
IH
DQ
D
OUT
D
IN
高-Z
高-Z / D
OUT
高-Z / D
OUT
制造商代码（ BF ）
设备代码（ 04 ）
地址
A
IN
A
IN
X
X
X
A18-A1=V
IL
， A9 = 12V ， A0 = V
IL
A18-A1=V
IL
， A9 = 12V ， A0 = V
IH
表3 ：命令摘要
命令
Sector_Erase
Byte_Program
RESET
READ_ID
Software_Data_Unprotect （6）
Software_Data_Protect （6）
需要
setup命令周期
周期
经营地址
数据
2
写
X
20H
2
写
X
10H
1
写
X
FFH
3
写
X
90H
7
7
执行指令周期
经营地址
数据
写
SA
D0H
写
PA
PD
读
(7)
(7)
SDP
N
N
Y
Y
定义为表3：
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
类型定义： X =高或低
地址定义： SA =扇区地址= A18 -A8 ;扇区大小= 256字节; A7 - A0 =此命令X
地址说明： PA =程序地址= A18 -A0
数据定义： PD =程序数据， H =十六进制数。
使用7 -读周期的序SDP =软件数据保护模式。
Y =操作可以通过软件的数据保护有效执行。 N =表示操作无法用软件进行数据保护有效执行。
请参考图11和12的7 -读周期的序软件数据保护。
地址0000H检索BF （十六进制）的制造商代码，地址0001H检索04 （十六进制）的设备代码。
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命令定义
表3包含一个命令列表和的一个小结
命令。
以下是该选项的详细说明启动
每个命令。
该LE28FV4001C必须有软件的数据解除
序列之前执行的字节编程或擦除，以
执行这些功能。
操作开始的任一上升沿
WE
,
CE
,
以先到为准。编程操作被终止
自动通过一个内部定时器。看到节目
特征和波形的细节，图4，图6和图7 。
一个设置指令，其后是一个两步骤的序列
执行命令，确保只有被寻址的字节是
程序和其他个字节，不会意外编程。
该Byte_Program流程图说明
编程数据到该设备由下列完成的
如图3的流程图Byte_Program
Byte_Program命令设置进行编程的字节。该
地址总线被锁存的下降沿
WE
,
CE
,
为准过去。数据总线被锁存的上升沿
WE
,
CE
，以先到为准，并开始计划
操作。可使用检测到写的末尾任
数据
轮询或切换位。
Sector_Erase操作
通过setup命令启动Sector_Erase操作
和执行命令。 setup命令级设备
一个扇区内的所有字节的电擦除。一个扇区包含
256个字节。该部门可擦性增强了灵活性和
该LE28FV4001C的用处，因为只有大多数应用
需要改变一个小数目的字节或扇区的，而不是整个
芯片。设置命令被写入（ 20H）的执行
装置。要执行扇区擦除操作时，执行
命令（ D0H ）必须被写入到设备。擦除操作
开始的上升沿
WE
脉冲和终止
通过自动地使用内部定时器。参见图8时序
波形。
一个设置指令，其后是一个两步骤的序列
执行命令确保中，只有内存内容
解决部门的擦除和其他部门都没有在不经意间
删除。
复位操作
复位命令是作为安全中止的手段
擦除或编程命令序列。以下任一设置
命令（擦除或编程）与（ FFH ）写操作都安全
中止操作。存储内容不会改变。后
复位命令后，设备返回到读取模式。复位
命令剂量不启用写保护。参见图10为计时
波形。
读操作
通过设置开始的读取操作
CE
,
OE
和
WE
到读模式。参见图5读取内存时序
波形和表2为读模式。从读取周期
主机从数组中检索数据。该设备仍然启用
一直读到另一种操作模式访问。
在初始上电时，该装置是在读出模式，并
写保护。器件必须以执行被保护
写操作
读出操作是由控制
OE
和
CE
在逻辑低。
当
CE
为高电平时，芯片被取消选中，只有待机功耗
将被消耗掉。
OE
是输出控制，用于门
的输出引脚。数据总线处于高阻抗状态时，
或
CE
or
OE
为高。
Sector_Erase流程说明
的内存储器中的内容快速和可靠的擦除
部门是按照扇区擦除流程图作为实现
在如图3所示的整个过程包括执行的
的两个命令。后Sector_Erase操作将终止
最大的4ms 。复位命令可以执行，以
终止擦除操作;但是，如果擦除操作是
之前4ms的超时终止，该扇区可能不
彻底删除。擦除命令可以重新发出尽可能多的
一个必要的时间来完成的擦除操作。该
LE28FV4001C不能“ overerased ” 。
Byte_Program操作
通过写设置启动Byte_Program操作
命令（10H） 。
一旦程序设置中进行，编程执行
由下一个
WE
脉搏。参见图6和图7的时序波形。
地址总线被锁存的下降沿
WE
,
CE
或
的上升沿
OE
，以先到为准。编程
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READ_ID操作
通过写一个启动的READ_ID操作
命令（ 90H ） 。地址0000H的读操作将输出
制造商代码（ BFH ） 。地址0001H的读操作将输出
设备代码（ 04H ） 。任何其他有效的命令将终止本
操作。
数据
轮询（ DQ7 ）
该LE28FV4001C特点
数据
投票指示
和一个写周期。在写周期期间，任何试图读取
加载最后一个字节将导致加载的数据的补上
DQ7 。一旦写周期完成时， DQ7将表现出真正的数据。
参见图13时序波形。为了使
数据
轮询
正常工作，正在接受调查的字节之前，必须先擦除
编程。
保护数据免受意外写操作
为了保护的非易失性数据存储的完整性，
LE28FV4001C提供的硬件和软件功能，以防止
写入装置中，例如，在系统上电或
掉电。这些规定说明如下。
翻转位（ DQ6 ）
一个备用装置，用于确定所述端部的一个写周期是
通过监控切换位DQ6 。在写操作期间，
连续尝试读出的数据从该装置将导致DQ6
逻辑"1" （高）， "0" （低）之间切换。一旦写
周期已经完成， DQ6将停止切换，有效的数据将
读取。在写的过程中切换位可以监视任何时间
周期。参见图14时序波形。
硬件写保护
该LE28FV4001C设计了硬件功能，
防止意外写入。这样做是在以下方面：
1.写禁止模式：
OE
低，
CE
高或
WE
高
禁止写操作。
2.噪声和毛刺保护：写操作启动
当
WE
脉冲宽度小于15纳秒。
3.上电之后，该装置是在读取模式和
设备处于写保护状态。
连续读取
一个备用装置，用于确定所述端部的一个写周期是
通过读出相同的地址为两个连续的数据的匹配。
产品标识
软件数据保护
规定已作出进一步防止意外写入
通过软件。为了进行擦除的写功能
或程序，一个两步骤的命令序列，包括一个设置的
命令后跟一个执行命令避免了意外的
擦除或设备的编程。
该LE28FV4001C将默认写上电后保护。
七个连续的序列读取在指定的装置
地址将取消保护装置。地址序列
1823H ， 1820H ， 1822H ， 0418H ， 041BH ， 0419H ， 041AH 。该
地址具有的上升沿被锁存
OE
or
CE
,
以先到为准。 1823H的类似7读取序列，
1820H ， 1822H ， 0418H ， 041BH ， 0419H ， 040AH将保护
装置。此外，请参考图11 ， 12为7读取序列
软件写保护。 DQ管脚可以在任何状态下（即，
高，低或高阻抗） 。
产品标识模式标识该设备和
制造商为三洋。该模式可以通过硬件来访问
或软件的操作。对硬件的操作，通常使用由
外部编程，以确定正确的算法为
三洋LE28FV4001C 。用户可能希望使用该软件
操作识别设备（即使用设备代码） 。为
详细信息，请参阅表2为硬件操作。制造商
和设备码是相同的两个操作。
操作注意事项
上电时，该设备的状态应该是写
抑制模式。 （在上电时，该设备的状态应该是
CE
=V
IH
or
OE
=V
IL
or
WE
=V
IH
)
If
CE
=
WE
=V
IL
和
OE
=V
IH
上电时， RESET
命令应术前断言。
写检测结束
检测写周期结束的地方是必要的，以优化
系统的性能。在写入周期结束时（擦除或编程）
可以通过三种方式来检测： 1）监测
数据
轮询
位; 2 ）监控切换位; 3）由两个连续的读
相同的数据。这三个检测机制如下所述。
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