LE28F4001M ，T，R - 15/20
1.扇区擦除操作
扇区擦除操作由安装程序命令和执行命令。设置命令集
设备的状态下，在各部门的字节可电擦除。一个扇区有256字节。自
几乎所有的应用程序都使用擦除操作是不是整片擦除操作，而是有单扇区擦除
操作，该扇区擦除功能显著增加使用LE28F4001系列的灵活性和易用性。
setup命令被写入20H命令寄存器执行。
一个执行命令（ D0H ）必须被写入到命令寄存器来执行扇区擦除操作。该
扇区擦除操作开始时，在WE脉冲的上升沿和下内部定时自动完成
控制权。图6示出了定时波形进行此操作。
这两段序列，其中设置命令和下面的执行命令，需要保证
在由地址数据指定的扇区的存储器不会被意外删除。
2.扇区擦除流程图
多达256字节的存储器中的快速和可靠的擦除可以通过以下的扇区擦除流程图来实现
如图1所示，整个操作由执行两个命令。扇区擦除操作完成的
最多4毫秒。虽然擦除操作可以通过执行复位操作完成，该扇区可
如果该复位的4毫秒超时之前周期过去执行的不完全擦除。擦除命令即可
作为擦除完成之前需要重新执行多次。过度擦除不会导致出现问题
LE28F4001系列产品。
3.字节编程操作
通过写一个建立命令（ 10H）命令寄存器开始的字节编程操作。
一旦setup命令执行时，执行命令是由下面我们脉冲转换开始。图7
示出了用于该操作的时序波形。的地址和数据被内部锁存的下降沿
和不断上升的WE脉冲的边缘上。在WE的上升沿也对应于节目的开始
操作。在编程操作时内部定时控制下自动地完成。图2和图7
显示编程特性和波形。
如前面所提到的，这2阶段序列，其中一个设置命令和一个下面执行的操作是
需要保证的存储器单元将不被意外地编程。
4.字节编程流程
图2示出了装置的数据写入动作。这是由以下的字节编程实现
流程图。的字节编程命令设置要被写入的字节。的地址被锁存，下降沿
WE或CE认证，以较迟者为准。数据总线被锁定在WE或CE的上升沿，以较早者为准，而
编程操作开始于该点。可以使用检测到的写操作的完成任
触发位或通过查询数据引脚。
5.复位操作
reset命令是用于安全地终止擦除或编程命令序列的过程。写FFH
在命令发出擦除或编程设置命令安全地将取消该操作后注册。该
的存储内容也不会被改变。该设备进入执行复位命令后读取模式。复位
命令不能激活该软件的数据保护功能。图8示出的时序波形。
6.读操作
通过设置CE和OE的读操作，然后我们，阅读模式。图3示出了读取模式
时序波形，和读出模式的条件被示为“功能性的逻辑” 。从主机读周期
搜索该存储器阵列的数据。设备保持在读状态，直到另一个命令写入
命令寄存器。
由于默认情况下，该设备将在读取模式从电源的时间写保护状态被首先应用到一
命令被写入命令寄存器。所述解除保护序列必须被执行以完成一次写操作
（擦除或编程） 。
读操作通过CE及OE控制的，并且两者都必须被设置为逻辑低电平时，激活的读
功能。当CE是在逻辑高电平时，该芯片处于未选择状态，并且仅汲取的待机电流。
OE控制输出引脚。器件输出引脚将处于高阻抗状态，如果CE或OE是在
逻辑高电平。
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