初步规格
CMOS LSI
LE28F1101T-40/45/55/70
1M （ 65536words × 16位）闪存EEPROM
特点
CMOS闪存EEPROM技术
单5伏读写操作
扇区擦除功能：每个扇区128word
快速存取时间： 40ns的/为45nS / 55ns / 70ns的
低功耗
工作电流（读）：50 MA（最大）
待机电流： 100
A
（ MAX 。 ）
高读/写可靠性
部门写的读写周期： 10
4
10年的数据保留
锁存地址和数据
自定时擦除和编程
字编程：为40μs （最大值）
写检测结束：切换位/数据轮询
硬件/软件数据保护
可用的软件包
LE28F1101T
:
40引脚TSOP标准（ 10 × 14毫米）
产品说明
该LE28F1101T是64K
×16
CMOS扇区擦除，
Word程序EEPROM 。该LE28F1101T制造
使用三洋专有的高性能CMOS闪存
EEPROM技术。在EEPROM单元的突破
设计和流程架构实现更高的可靠性和
制造与传统的方法相比。
该LE28F1101T擦除和一个5伏的方案只
电源。
LE28F1101T在TSOP40 （ 10 × 14毫米）封装。
拥有高性能的编程， LE28F1101
一般字方案为30μs 。该LE28F1101一般
部门（ 128word ）擦除2ms的。这两种编程和擦除
时间可以使用的接口功能进行了优化，如切换
位或
数据
投票指示完成写
周期。为了防止无意中写的
LE28F1101T具有片上硬件和软件数据保护
化方案。设计，制造和测试了一个宽
的应用范围，在LE28F1101T提供了
10保障部门的写入寿命
4
周期。数据reten-
化被评为10年以上。
该LE28F1101T最适合的重新申请
叠纸重新编程的非易失性大容量存储方案
或数据存储器。对于所有的系统应用程序，该
LE28F1101T显著提高性能和可靠性
能力，同时降低功耗相比
用软盘或EPROM的方法。 EEPROM
技术使可能的方便和经济向上
约会上线代码和控制程序。该
LE28F1101T提高灵活性，同时降低成本，
计划和配置存储应用。
图1示出的引脚分配的40个引
塑料TSOP封装。图2示出了功能块
图中LE28F1101T的。引脚说明和操作
模式可在表1至表3中可以找到。
设备操作
命令用于启动存储器操作
该装置的功能。命令被写入到设备
采用标准的微处理器写序列。的命令
写的是认定
WE
低，同时保持
CE
低。
地址总线被锁存的下降沿
WE
,
CE
,
为准过去。数据总线被锁定在上升
边缘
WE
,
CE
，以先到为准。然而，在
软件写保护序列的地址是
锁存的上升沿
OE
or
CE
，以先到为准
科幻RST 。
*本产品运用科技进步获得了Silicon Storage Technology，Inc.的许可
这个初步的规格如有变更，恕不另行通知。
三洋电机有限公司半导体公司
1-1 ， 1丁目，坂田，大泉町，邑郡，群马， 370-0596 JAPAN
版本4.00 - 2000年4月3日- AY / AY -1/14
LE28F1101T-40/45/55/70
1M位闪存EEPROM
初步规格
表1 ：引脚说明
符号
A15-A0
DQ15-DQ0
CE
OE
引脚名称
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源
地
无连接
未连接引脚
功能
提供的内存地址。地址在写周期被内部锁存。
到输出数据中读出的周期和在写周期接收的输入数据。数据在内部
在写周期期间锁存。输出处于三态时，
OE
or
CE
为高。
要激活设备时，
CE
是低的。取消选择，并把该设备待机时
CE
is
高。
激活该数据输出缓冲器。
OE
为有效低电平。
激活该写操作。
WE
为有效低电平。
提供5V ± 10 ％电源
.
WE
V
CC
V
SS
NC
表2 ：操作模式选择
模式
读
写
待机
写禁止
产品编号
CE
V
IL
V
IL
V
IH
X
X
V
IL
OE
V
IL
V
IH
X
V
IL
X
V
IL
WE
V
IH
V
IL
X
X
V
IH
V
IH
DQ
D
OUT
D
IN
高-Z
高-Z / D
OUT
高-Z / D
OUT
制造商代码（ 62H ）
设备代码（ 0017H ）
地址
A
IN
A
IN
X
X
X
A15-A1=V
IL
， A9 = 12V ， A0 = V
IL
A15-A1=V
IL
， A9 = 12V ， A0 = V
IH
表3 ：命令摘要
命令
Sector_Erase
WORD_PROGRAM
RESET
READ_ID
Software_Data_Unprotect （6）
Software_Data_Protect （6）
需要
周期
2
2
1
2
7
7
setup命令周期
手术
地址
数据
写
X
XX20H
写
X
XX10H
写
X
FFFFH
写
X
XX90H
执行指令周期
手术
地址
数据
写
SA
XXD0H
写
PA
PD
读
(7)
(7)
定义为表3：
1.型号定义： X =高或低
2.Address定义： SA =扇区地址= A15- A7 ;扇区大小= 128word ; A6 - A0 =此命令X
3.Address定义： PA =程序地址= A15 -A0
4.数据定义： PD =程序数据， H =十六进制数。
使用7 -读周期的序5.SDP =软件数据保护模式。
6.请参考图11和12的7 -读周期的序软件数据保护。
7.Address 0000H检索62制造商代码（十六进制） ，地址0001H检索0017 （十六进制）的设备代码。
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命令定义
表3包含一个命令列表和的一个小结
命令。
以下是该选项的详细说明启动
每个命令。
该LE28F1101T必须有软件的数据解除硒
quence以便为按照之前执行的字编程或擦除
形成这些功能。
以先到为准。编程操作被终止
自动通过一个内部定时器。见编程字符
开创性意义和波形的细节，图4，图6和图7 。
一个setup命令，接着EX-两步序列
ecute命令，确保只有被寻址的字是亲
编程等字眼都不会意外编程。
该WORD_PROGRAM流程图说明
编程数据到该设备由下列完成的
如图3的流程图WORD_PROGRAM
WORD_PROGRAM命令设置的字进行编程。该
地址总线被锁存的下降沿
WE
,
CE
,
为准过去。数据总线被锁存的上升沿
WE
,
CE
，以先到为准，并开始计划操作
化。可使用检测到写的末尾任
数据
轮询或切换位。
Sector_Erase操作
通过setup命令启动Sector_Erase操作
和执行命令。 setup命令级设备
对于一个扇区内的所有单词电气擦除。一个扇区包含
128个字。该部门可擦性增强了灵活性和
有用的LE28F1101T的，由于大多数应用中只需要
改变一个小数目的单词或扇区，而不是整个芯片。
设置命令被写入（ 20H）的装置执行。
要执行扇区擦除操作时，执行命令（ D0H ）
必须被写入到设备。擦除操作始于
的上升沿
WE
脉冲和由自动终止
使用内部定时器。参见图8的时序波形。
一个setup命令，接着EX-两步序列
ecute命令确保中，只有内存内容
解决部门的擦除和其他部门都没有在不经意间
删除。
复位操作
复位命令是作为安全中止的手段
擦除或编程命令序列。以下任一设置
命令（擦除或编程）与（ FFFFH ）写操作都安全
中止操作。存储内容不会改变。后
复位命令后，设备返回到读取模式。复位
命令剂量不启用写保护。参见图10为计时
波形。
读操作
通过设置开始的读取操作
CE
,
OE
和
WE
到读模式。参见图5读取内存时序波形
形式和表2为读模式。读周期从主机
从数组中检索数据。该装置仍处于启用状态的读
直到另一个操作模式访问。
在初始上电时，该装置是在读出模式，并
写保护。器件必须以执行被保护
写操作
读出操作是由控制
OE
和
CE
在逻辑低。
当
CE
为高电平时，芯片被取消选中，只有待机功耗
将被消耗掉。
OE
是输出控制，用于门
的输出引脚。数据总线处于高阻抗状态时，
或
CE
or
OE
为高。
Sector_Erase流程说明
的内存内容的节内快速，可靠的擦除
器是按照扇区擦除流程图作为实现
在如图3所示的整个过程包括执行的
的两个命令。后Sector_Erase操作将终止
最大的4ms 。复位命令可以执行，以termi-
内特擦除操作;但是，如果擦除操作时结
转换后的前4毫秒超时，扇区可能不完全
删除。擦除命令可以重新发出多次neces-
萨利完成擦除操作。该LE28F1101T不能
overerased 。
WORD_PROGRAM操作
通过写设置启动WORD_PROGRAM操作
命令（10H） 。
一旦程序设置中进行，编程执行
由下一个
WE
脉搏。参见图6和图7的时序波形。
地址总线被锁存的下降沿
WE
,
CE
或
的上升沿
OE
，以先到为准。编程
操作开始的任一上升沿
WE
,
CE
,
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READ_ID操作
通过写一个单独的COM发起READ_ID操作
命令（ 90H ） 。地址0000H将输出制造的读
商代码（ 62H ） 。地址0001H的读操作将输出devi-
CE代码（ 0017H ） 。任何其他有效的命令将终止本
操作。
数据
轮询（ DQ7 ）
该LE28F1101T特点
数据
轮询，以指示写
周期。在写周期期间，任何尝试读取的最后一个字负载
海关会导致DQ7上加载的数据的补充。一旦
写周期完成后， DQ7将显示真实数据。见图
13时序波形。为了使
数据
轮询功能
正确，正在接受调查的话，必须先擦除编程来
明。
保护数据免受意外写操作
为了保护的非易失性数据存储的完整性，
LE28F1101T提供的硬件和软件功能，以防止
写入装置中，例如，在系统上电或
掉电。这些规定说明如下。
翻转位（ DQ6 ）
一个备用装置，用于确定所述端部的一个写周期是
通过监控切换位DQ6 。在写操作期间， suc-
cessive试图读取的数据从设备将导致DQ6
逻辑"1" （高）， "0" （低）之间切换。一旦写
周期已经完成， DQ6将停止切换，有效的数据将
读取。在写的过程中切换位可以监视任何时间
周期。参见图14时序波形。
硬件写保护
该LE28F1101T设计了硬件功能，预
发泄意外写入。这样做是在以下方面：
1.写抑制模式：
OE
低，
CE
高或
WE
高
禁止写操作。
2.噪声和毛刺保护：写操作启动
当
WE
脉冲宽度小于15纳秒。
3.上电之后，该装置是在读取模式和DE-
副处于写保护状态。
连续读取
一个备用装置，用于确定所述端部的一个写周期是
通过读出相同的地址为两个连续的数据的匹配。
产品标识
软件数据保护
规定已作出进一步防止意外写入
通过软件。为了进行擦除的写功能
或程序，一个两步骤的命令序列，包括一个设置的
命令后跟一个执行命令避免了意外的
擦除或设备的编程。
该LE28F1101T将默认写上电后保护。
七个连续的序列读取在指定的AD-设备
礼服将取消保护装置。地址顺序是1823H ，
1820H ， 1822H ， 0418H ， 041BH ， 0419H ， 041AH 。该地址有
中的上升沿被锁存
OE
or
CE
，以先到为准
第一。类似1823H的7 -读序， 1820H ， 1822H ， 0418H ，
041BH ， 0419H ， 040AH将保护装置。另外，请参考图 -
URE 11日， 12日为7 -读序软件写保护。该
DQ引脚可以在任何状态下（即，高，低或高阻抗） 。
产品标识模式标识该设备和
制造商为三洋。该模式可以通过硬件来访问
或软件的操作。对硬件的操作，通常使用由
外部编程，以确定正确的算法为
三洋LE28F1101T 。用户可能希望使用该软件操作
重刑识别设备（即使用设备代码） 。有关详细信息，
参照表2的硬件操作。制造商和
设备码是相同的两个操作。
去耦电容
陶瓷电容器（ 0.1μF ）必须V之间加
CC
和
V
SS
对于每个设备，以确保稳定的闪存操作。
注意该LSI的用法
对于使用ATD的原因（地址转换检测器）
电路，该LSI后直接供给电压的输出数据
程序操作或擦除操作是无效的。的有效数据
中的至少一种的过渡之后会获得
CE
or
下的稳定的电压的地址信号。
写检测结束
检测时的写入周期结束的是要优化
系统的性能。在写入周期结束时（擦除或编程）
可以通过三种方式来检测： 1）监测
数据
轮询
位; 2 ）监控切换位; 3）由两个连续的读
相同的数据。这三个检测机制如下所述。
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