订购数量： ENA1311C
LE25LB1282TT
概观
SPI串行EEPROM
（ SPI总线） （ 128Kbit的）
该LE25LB1282TT是支持串行外设接口（SPI ）一个128Kbit的EEPROM中。它实现了高速运转
并通过将三洋的高性能CMOS EEPROM工艺高水准的可靠性。该接口是
用SPI总线协议兼容，因此，它是最适合用于需要小规模的可重写非易失性应用
参数记忆。此外， LE25LB1282TT有一个64字节页重写功能，可提供快速的数据重写。
特点
容量
单电源电压
串行接口
工作时钟频率
低电流损耗
页写入功能
重写时间
的重写次数
数据保存期
高可靠性
： 128Kbits （ 16K × 8位）
： 1.8V至3.6V
： SPI模式0 ，模式3支持
：为5MHz （ 2.5V至3.6V ） ，为3MHz （ 1.8V至3.6V ）
：待机
： 3μA （最大值）
：活动（读）
： 1毫安（最大）
：主动（重写） ： 3毫安（最大）
： 64字节
： 10毫秒
: 10
6
时
： 20年
：采用了三洋独有的对称存储阵列配置（ USP6947325 ）
集成了一个功能，禁止在低电压条件下的写入操作。
*本产品由硅存储技术公司（美国）授权，制造和三洋半导体有限公司出售
任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有，关于产品
"standard application" ，意为用作一般电子设备（家电，影音设备，
通信设备，办公自动化设备，工业设备等）。本文提到的产品不得
意欲用于任何"special application" （医疗设备，其目的是维持生命，航天
仪器，核控制设备，燃烧设备，交通运输设备，交通信号控制系统，安全
设备等）应要求可靠性非常高的水平，可以直接威胁到人的生命的情况下，
故障或产品或故障可能导致危害人体组织中，也不得给予任何保证
物。如果您打算使用我们的产品的标准应用之外的应用我们
客户谁是考虑到这样的使用和/或外面的我们的预期标准的应用程序的范围，请
与我们之前的预期用途进行磋商。如果在预定使用之前没有咨询或查询，我们
客户应自行负责使用。
产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定
的性能，特点，以及在独立的状态下所描述的产品的功能，并且不
的性能，特点，以及所述产品的功能，作为安装在保证
客户
'
产品或设备。要验证的症状，并且不能在一个独立的评估状态
设备，客户必须不断的评估和测试设备安装在客户
'
生产的产品或
设备。
70611 SY / 10511 SY / 40809 SY / 31809 SY JK / 20080822 - S00007 No.NA1311-1 / 14
LE25LB1282TT
绝对最大额定值/如果
的电应力超过最大额定值被应用，该设备可能被损坏。
参数
储存温度
电源电压
直流输入电压
过冲电压（下面为20ns ）
符号
条件
评级
-65到+150
-0.5到4.6
-0.5 VDD + 0.5
-1.0 VDD + 0.5
单位
°C
V
V
V
工作条件
参数
工作温度
工作电源电压
符号
条件
评级
-40至+85
为1.8 3.6
单位
°C
V
DC电气特性
参数
阅读时电源电流
符号
ICCR
条件
CS = 0.1VDD ，HOLD = WP = 0.9VDD
SI = 0.1VDD / 0.9VDD时， SO =开
工作频率= 5MHz时， VDD = 3.6V
CS = 0.1VDD ，HOLD = WP = 0.9VDD
SI = 0.1VDD / 0.9VDD时， SO =开
工作频率= 5MHz时， VDD = 2.5V
CS = 0.1VDD ，HOLD = WP = 0.9VDD
SI = 0.1VDD / 0.9VDD时， SO =开
工作频率= 3MHz的， VDD = 1.8V
写作时电源电流
CMOS待机电流
ICCW
ISB
VDD = VDD最大值， VIN = 0.1VDD / 0.9VDD
CS = VDD ， VIN = VDD和VSS
VDD = 3.6V
CS = VDD ， VIN = VDD和VSS
VDD = 2.5V
输入漏电流
输出漏电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
ILI
国际劳工组织
VIL
VIH
VOL1
VOL2
输出高电压
VOH1
VOH2
VIN = VSS至VDD ， VDD = VDD最大值。
VIN = VSS至VDD ， VDD = VDD最大值。
VDD = VDD最大值。
VDD = VDD分钟。
IOL = 3.0毫安， VDD = 2.5V至3.6V
IOL = 0.7毫安， VDD = 1.8V至3.6V
IOH = -0.4mA ， VDD = 2.5V至3.6V
IOH = -0.1mA ， VDD = 1.8V至3.6V
0.8VDD
0.8VDD
-2
-2
-0.3
0.7VDD
2
2
0.3VDD
VDD+0.3
0.4
0.2
μA
μA
V
V
V
V
V
V
2
μA
3
3
mA
μA
0.3
mA
0.5
mA
民
典型值
最大
1
单位
mA
电容
在TA = 25 ° C，F = 1.0MHz的
参数
输出引脚电容
输入引脚电容
符号
干熄焦
CIN
VDQ = 0V
VIN = 0V
条件
民
典型值
最大
12
6
单位
pF
pF
注：这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
AC电气特性
输入脉冲电平
输入脉冲的上升/下降时间
输出电压检测
输出负载
0.2 × VDD 0.8 × VDD
10ns
0.5×VDD
30pF
No.NA1311-3/14
LE25LB1282TT
AC特性
（在FCLK = 5MHz时） / VDD = 2.5V至3.6V
参数
时钟频率
SCK逻辑高电平脉宽
SCK逻辑低电平脉冲宽度
输入信号的上升/下降时间
CS建立时间
SCK建立时间
数据建立时间
数据保持时间
CS保持时间
SCK保持时间
CS待机脉冲宽度
CS的输出高阻抗的时间
SCK输出数据的时间
输出数据保持时间
WP建立时间
WP保持时间
HOLD建立时间
HOLD保持时间
HOLD输出低阻抗时间
HOLD输出高阻抗的时间
写周期时间
SCK输出低阻抗时间
符号
FCLK
tCLHI
tCLLO
TRF
TCSS
TCLS
TDS
TDH
TCSH
tclh
TCPH
TCHZ
tV
寿
TWPS
TWPH
THS
THH
tHLZ
tHHZ
TWC
TCLZ
0
0
30
30
30
30
50
100
10
90
90
20
30
90
90
90
150
80
90
90
1
条件
民
典型值
最大
5
单位
兆赫
ns
ns
us
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ns
AC特性
（在FCLK = 3MHz的） / VDD = 1.8V至3.6V
参数
时钟频率
SCK逻辑高电平脉宽
SCK逻辑低电平脉冲宽度
输入信号的上升/下降时间
CS建立时间
SCK建立时间
数据建立时间
数据保持时间
CS保持时间
SCK保持时间
CS待机脉冲宽度
CS的输出高阻抗的时间
SCK输出数据的时间
输出数据保持时间
WP建立时间
WP保持时间
HOLD建立时间
HOLD保持时间
HOLD输出低阻抗时间
HOLD输出高阻抗的时间
写周期时间
SCK输出低阻抗时间
符号
FCLK
tCLHI
tCLLO
TRF
TCSS
TCLS
TDS
TDH
TCSH
tclh
TCPH
TCHZ
tV
寿
TWPS
TWPH
THS
THH
tHLZ
tHHZ
TWC
TCLZ
0
0
30
30
30
30
120
120
10
100
100
30
50
100
150
120
200
150
120
120
1
条件
民
典型值
最大
3
单位
兆赫
ns
ns
us
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ns
No.NA1311-4/14
LE25LB1282TT
表1命令设置
命令
写使能
（ WREN ）
写禁止
（ WRDI ）
状态寄存器读
（ RDSR ）
状态寄存器写
（ WRSR ）
读
（READ ）
写
（写）
解释性说明的表1
所述的“h”以下各代码表示给定数量是十六进制表示法。
地址A15和A14的所有命令都是“不关心”。
* 1： “PD ”表示页的程序数据。数据的从1到64个字节的任何量被输入。
第一巴士
周期
06h
04h
05h
01h
03h
02h
数据
A15-A8
A15-A8
A7-A0
A7-A0
PD * 1
PD * 1
PD * 1
PD * 1
第二巴士
周期
3公交车
周期
4公交车
周期
第五公交
周期
第六届巴士
周期
第N次公交车
周期
图2串行输入时序
（ SPI模式0 ）
TCPH
CS
TCLS
TCSS
tCLHI tCLLO
TCSH
tclh
SCK
TDS
TDH
SI
数据有效
SO
（ SPI模式3 ）
高阻抗
高阻抗
TCPH
CS
TCLS
TCSS
tCLLO tCLHI
TCSH
tclh
SCK
TDS
TDH
SI
数据有效
SO
高阻抗
高阻抗
No.NA1311-5/14
QQ：2880707522 复制
