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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符L型号页 > 首字符L的型号第172页 > LDTC144TM3T5G
乐山无线电公司， LTD 。
偏置电阻晶体管
NPN硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。快速公交系统（偏置电阻
晶体管），包含一个带有整体式偏置网络的单个晶体管
由两个电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极
电阻器。在BRT消除了整合这些单独的组件
他们在单一设备中。使用BRT可以减少这两种系统
成本和电路板空间。该设备被容纳在SOT -723包
这是专为低功耗表面贴装应用。
LDTC114EM3T5G
系列
3
2
1
SOT-723
3脚
集热器
（输出）
R1
R2
销2
辐射源
（接地）
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
采用SOT - 723封装可以用波或回流焊接。
可在4毫米， 8000单位带卷&
这些无铅器件。
销1
BASE
（输入）
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
记号
图
3
XX M
1
xx
M
2
热特性
特征
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热电阻 -
结到环境
结温
存储温度范围
1. FR-4 @最低垫
2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫
符号
P
D
最大
260 （注1 ）
600 （注2）
2.0 （注1 ）
4.8 （注2）
480 （注1 ）
205 （注2）
150
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
=具体设备守则
=日期代码
R
θJA
T
J
T
英镑
°C
°C
1.0版
LDTC114EM3T5G_S-1/10
乐山无线电公司， LTD 。
LDTC114EM3T5G系列
器件标识和电阻值
设备
LDTC114EM3T5G
LDTC124EM3T5G
LDTC144EM3T5G
LDTC114YM3T5G
LDTC114TM3T5G
LDTC143TM3T5G
LDTC123EM3T5G
LDTC143EM3T5G
LDTC143ZM3T5G
LDTC124XM3T5G
LDTC123JM3T5G
LDTC115EM3T5G
LDTC144WM3T5G
LDTC144TM3T5G
记号
8A
8B
8C
8D
94
8F
8H
8J
8K
8L
8M
8N
8P
8T
R1 （ K）
10
22
47
10
10
4.7
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
47
R2 （ K）
10
22
47
47
∞
∞
2.2
4.7
47
47
47
100
22
∞
包
航运
SOT723
（无铅）
8000 /磁带&卷轴
1.0版
LDTC114EM3T5G_S-2/10
乐山无线电公司， LTD 。
LDTC114EM3T5G系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 基极截止电流（V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流（V
CE
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V，I
C
= 0)
LDTC114EM3T5G
LDTC124EM3T5G
LDTC144EM3T5G
LDTC114YM3T5G
LDTC114TM3T5G
LDTC143TM3T5G
LDTC123EM3T5G
LDTC143EM3T5G
LDTC143ZM3T5G
LDTC124XM3T5G
LDTC123JM3T5G
LDTC115EM3T5G
LDTC144WM3T5G
LDTC144TM3T5G
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
50
50
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
2.3
1.5
0.18
0.13
0.2
0.05
0.13
0.2
NADC
NADC
MADC
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压（注3 ）
(I
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
VDC
VDC
基本特征
（注3）
直流电流增益
(V
CE
= 10 V，I
C
= 5.0 mA）的
LDTC114EM3T5G
LDTC124EM3T5G
LDTC144EM3T5G
LDTC114YM3T5G
LDTC114TM3T5G
LDTC143TM3T5G
LDTC123EM3T5G
LDTC143EM3T5G
LDTC143ZM3T5G
LDTC124XM3T5G
LDTC123JM3T5G
LDTC115EM3T5G
LDTC144WM3T5G
LDTC144TM3T5G
h
FE
35
60
80
80
160
160
8.0
15
80
80
80
80
80
160
60
100
140
140
350
350
15
30
200
150
140
150
140
350
0.25
VDC
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.3 mA）的
LDTC123EM3T5G
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 5 mA）的
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 1 mA）的
LDTC143TM3T5G/LDTC114TM3T5G/
LDTC143EM3T5G/LDTC143ZM3T5G/
LDTC124XM3T5G/LDTC144TM3T5G
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
LDTC114EM3T5G
LDTC124EM3T5G
LDTC114YM3T5G
LDTC114TM3T5G
LDTC143TM3T5G
LDTC123EM3T5G
LDTC143EM3T5G
LDTC143ZM3T5G
LDTC124XM3T5G
LDTC123JM3T5G
LDTC144EM3T5G
LDTC144TM3T5G
LDTC115EM3T5G
LDTC144WM3T5G
V
CE （ SAT ）
V
OL
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
VDC
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 3.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 5.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 4.0 V ，R
L
= 1.0千瓦）
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300
女士，
占空比< 2.0 ％ 。
1.0版
LDTC114EM3T5G_S-3/10
乐山无线电公司， LTD 。
LDTC114EM3T5G系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
（注4 ）
特征
输出电压（关） （V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V ，R
L
= 1.0千瓦）
LDTC143TM3T5G
LDTC143ZM3T5G
LDTC114TM3T5G
LDTC144TM3T5G
输入电阻
LDTC114EM3T5G
LDTC124EM3T5G
LDTC144EM3T5G
LDTC114YM3T5G
LDTC114TM3T5G
LDTC143TM3T5G
LDTC123EM3T5G
LDTC143EM3T5G
LDTC143ZM3T5G
LDTC124XM3T5G
LDTC123JM3T5G
LDTC115EM3T5G
LDTC144WM3T5G
LDTC144TM3T5G
符号
V
OH
民
4.9
典型值
最大
单位
VDC
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
1.5
3.3
3.3
15.4
1.54
70
32.9
32.9
0.8
0.17
0.8
0.055
0.38
0.038
1.7
10
22
47
10
10
4.7
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
47
1.0
0.21
1.0
0.1
0.47
0.047
2.1
13
28.6
61.1
13
13
6.1
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
130
61.1
61.1
1.2
0.25
1.2
0.185
0.56
0.056
2.6
kW
电阻率
LDTC114EM3T5G/LDTC124EM3T5G/
LDTC144EM3T5G/LDTC115EM3T5G
LDTC114YM3T5G
LDTC143TM3T5G/LDTC114TM3T5G/LDTC144TM3T5G
LDTC123EM3T5G/LDTC143EM3T5G
LDTC143ZM3T5G
LDTC124XM3T5G
LDTC123JM3T5G
LDTC144WM3T5G
4.脉冲测试：脉冲宽度< 300
女士，
占空比< 2.0 ％ 。
PD ，功耗（毫瓦）
300
250
200
150
100
50
0
50
R
qJA
= 480 ° C / W
R
1
/R
2
0
50
100
T
A
，环境温度（ ° C）
150
图1.降额曲线
1.0版
LDTC114EM3T5G_S-4/10
乐山无线电公司， LTD 。
LDTC114EM3T5G系列
电气特性 - LDTC114EM3T5G
VCE （SAT） ，集电极最大电压（伏）
1
I
C
/I
B
= 10
T
A
= 25°C
25°C
0.1
75°C
1000
的hFE ， DC电流增益（标准化）
V
CE
= 10 V
T
A
= 75°C
25°C
25°C
100
0.01
0.001
0
20
40
I
C
，集电极电流（毫安）
50
10
1
10
I
C
，集电极电流（毫安）
100
图2. V
CE （ SAT ）
与我
C
图3.直流电流增益
4
F = 1 MHz的
I
E
= 0 V
T
A
= 25°C
100
75°C
IC ，集电极电流（毫安）
10
1
0.1
25°C
T
A
= 25°C
COB，电容（pF ）
3
2
1
0.01
V
O
= 5 V
0
1
2
5
6
7
3
4
V
in
，输入电压（伏）
8
9
10
0
0
10
20
30
40
V
R
，反向偏置电压（伏）
50
0.001
图4.输出电容
图5.输出电流与输入电压
10
V
O
= 0.2 V
V在，输入电压（伏）
T
A
= 25°C
25°C
75°C
1
0.1
0
10
20
30
I
C
，集电极电流（毫安）
40
50
图6.输入电压与输出电流
1.0版
LDTC114EM3T5G_S-5/10
乐山无线电公司， LTD 。
偏置电阻晶体管
NPN硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。快速公交系统（偏置电阻
晶体管），包含一个带有整体式偏置网络的单个晶体管
由两个电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极
电阻器。在BRT消除了整合这些单独的组件
他们在单一设备中。使用BRT可以减少这两种系统
成本和电路板空间。该设备被容纳在SOT -723包
这是专为低功耗表面贴装应用。
LDTC114EM3T5G
系列
3
2
1
SOT-723
3脚
集热器
（输出）
R1
R2
销2
辐射源
（接地）
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
采用SOT - 723封装可以用波或回流焊接。
可在4毫米， 8000单位带卷&
这些无铅器件。
销1
BASE
（输入）
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
记号
图
3
XX M
1
xx
M
2
热特性
特征
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热电阻 -
结到环境
结温
存储温度范围
1. FR-4 @最低垫
2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫
符号
P
D
最大
260 （注1 ）
600 （注2）
2.0 （注1 ）
4.8 （注2）
480 （注1 ）
205 （注2）
150
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
=具体设备守则
=日期代码
R
θJA
T
J
T
英镑
°C
°C
1.0版
LDTC114EM3T5G_S-1/10
乐山无线电公司， LTD 。
LDTC114EM3T5G系列
器件标识和电阻值
设备
LDTC114EM3T5G
LDTC124EM3T5G
LDTC144EM3T5G
LDTC114YM3T5G
LDTC114TM3T5G
LDTC143TM3T5G
LDTC123EM3T5G
LDTC143EM3T5G
LDTC143ZM3T5G
LDTC124XM3T5G
LDTC123JM3T5G
LDTC115EM3T5G
LDTC144WM3T5G
LDTC144TM3T5G
记号
8A
8B
8C
8D
94
8F
8H
8J
8K
8L
8M
8N
8P
8T
R1 （ K）
10
22
47
10
10
4.7
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
47
R2 （ K）
10
22
47
47
∞
∞
2.2
4.7
47
47
47
100
22
∞
包
航运
SOT723
（无铅）
8000 /磁带&卷轴
1.0版
LDTC114EM3T5G_S-2/10
乐山无线电公司， LTD 。
LDTC114EM3T5G系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 基极截止电流（V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流（V
CE
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V，I
C
= 0)
LDTC114EM3T5G
LDTC124EM3T5G
LDTC144EM3T5G
LDTC114YM3T5G
LDTC114TM3T5G
LDTC143TM3T5G
LDTC123EM3T5G
LDTC143EM3T5G
LDTC143ZM3T5G
LDTC124XM3T5G
LDTC123JM3T5G
LDTC115EM3T5G
LDTC144WM3T5G
LDTC144TM3T5G
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
50
50
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
2.3
1.5
0.18
0.13
0.2
0.05
0.13
0.2
NADC
NADC
MADC
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压（注3 ）
(I
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
VDC
VDC
基本特征
（注3）
直流电流增益
(V
CE
= 10 V，I
C
= 5.0 mA）的
LDTC114EM3T5G
LDTC124EM3T5G
LDTC144EM3T5G
LDTC114YM3T5G
LDTC114TM3T5G
LDTC143TM3T5G
LDTC123EM3T5G
LDTC143EM3T5G
LDTC143ZM3T5G
LDTC124XM3T5G
LDTC123JM3T5G
LDTC115EM3T5G
LDTC144WM3T5G
LDTC144TM3T5G
h
FE
35
60
80
80
160
160
8.0
15
80
80
80
80
80
160
60
100
140
140
350
350
15
30
200
150
140
150
140
350
0.25
VDC
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.3 mA）的
LDTC123EM3T5G
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 5 mA）的
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 1 mA）的
LDTC143TM3T5G/LDTC114TM3T5G/
LDTC143EM3T5G/LDTC143ZM3T5G/
LDTC124XM3T5G/LDTC144TM3T5G
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
LDTC114EM3T5G
LDTC124EM3T5G
LDTC114YM3T5G
LDTC114TM3T5G
LDTC143TM3T5G
LDTC123EM3T5G
LDTC143EM3T5G
LDTC143ZM3T5G
LDTC124XM3T5G
LDTC123JM3T5G
LDTC144EM3T5G
LDTC144TM3T5G
LDTC115EM3T5G
LDTC144WM3T5G
V
CE （ SAT ）
V
OL
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
VDC
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 3.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 5.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 4.0 V ，R
L
= 1.0千瓦）
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300
女士，
占空比< 2.0 ％ 。
1.0版
LDTC114EM3T5G_S-3/10
乐山无线电公司， LTD 。
LDTC114EM3T5G系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
（注4 ）
特征
输出电压（关） （V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V ，R
L
= 1.0千瓦）
LDTC143TM3T5G
LDTC143ZM3T5G
LDTC114TM3T5G
LDTC144TM3T5G
输入电阻
LDTC114EM3T5G
LDTC124EM3T5G
LDTC144EM3T5G
LDTC114YM3T5G
LDTC114TM3T5G
LDTC143TM3T5G
LDTC123EM3T5G
LDTC143EM3T5G
LDTC143ZM3T5G
LDTC124XM3T5G
LDTC123JM3T5G
LDTC115EM3T5G
LDTC144WM3T5G
LDTC144TM3T5G
符号
V
OH
民
4.9
典型值
最大
单位
VDC
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
1.5
3.3
3.3
15.4
1.54
70
32.9
32.9
0.8
0.17
0.8
0.055
0.38
0.038
1.7
10
22
47
10
10
4.7
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
47
1.0
0.21
1.0
0.1
0.47
0.047
2.1
13
28.6
61.1
13
13
6.1
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
130
61.1
61.1
1.2
0.25
1.2
0.185
0.56
0.056
2.6
kW
电阻率
LDTC114EM3T5G/LDTC124EM3T5G/
LDTC144EM3T5G/LDTC115EM3T5G
LDTC114YM3T5G
LDTC143TM3T5G/LDTC114TM3T5G/LDTC144TM3T5G
LDTC123EM3T5G/LDTC143EM3T5G
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LDTC123JM3T5G
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4.脉冲测试：脉冲宽度< 300
女士，
占空比< 2.0 ％ 。
PD ，功耗（毫瓦）
300
250
200
150
100
50
0
50
R
qJA
= 480 ° C / W
R
1
/R
2
0
50
100
T
A
，环境温度（ ° C）
150
图1.降额曲线
1.0版
LDTC114EM3T5G_S-4/10
乐山无线电公司， LTD 。
LDTC114EM3T5G系列
电气特性 - LDTC114EM3T5G
VCE （SAT） ，集电极最大电压（伏）
1
I
C
/I
B
= 10
T
A
= 25°C
25°C
0.1
75°C
1000
的hFE ， DC电流增益（标准化）
V
CE
= 10 V
T
A
= 75°C
25°C
25°C
100
0.01
0.001
0
20
40
I
C
，集电极电流（毫安）
50
10
1
10
I
C
，集电极电流（毫安）
100
图2. V
CE （ SAT ）
与我
C
图3.直流电流增益
4
F = 1 MHz的
I
E
= 0 V
T
A
= 25°C
100
75°C
IC ，集电极电流（毫安）
10
1
0.1
25°C
T
A
= 25°C
COB，电容（pF ）
3
2
1
0.01
V
O
= 5 V
0
1
2
5
6
7
3
4
V
in
，输入电压（伏）
8
9
10
0
0
10
20
30
40
V
R
，反向偏置电压（伏）
50
0.001
图4.输出电容
图5.输出电流与输入电压
10
V
O
= 0.2 V
V在，输入电压（伏）
T
A
= 25°C
25°C
75°C
1
0.1
0
10
20
30
I
C
，集电极电流（毫安）
40
50
图6.输入电压与输出电流
1.0版
LDTC114EM3T5G_S-5/10
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