产品数据
微国际公司
产品型号
LDT5087和LDT5087T
微LID PNP晶体管
微国际公司
179-204百丽阿甘圈
纳什维尔，田纳西州37221
电话： 615-662-1200传真615-662-1226
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微LID晶体管
LDT5087和LDT5087T
描述：
该LDT5087 （镀锡）和LDT5087T （罐头）是PNP硅晶体管
非常小，坚固耐用，表面贴装， 4柱陶瓷封装（微型国际
制造包P / N 4-075-1 ） 。该LDT5087和LDT5087T满足
该2N5087三极管的一般规格。该4-075-1微盖子包
是可与黄金金属化提供四柱，无引线陶瓷载体
或预镀锡的土地，并已被批准用于军事，医疗植入物，传感器和
高可靠性的应用。该LDT5087和LDT5087T可以与被提供
特殊的功能选项，例如额外的温度循环和筛选。
最大额定值：
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
工作结温
储存温度
工作温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
Ic
Pt
Tj
TSTG
豪饮者
等级
50 V
50 V
5V
百毫安
350毫瓦
150°
C
在-65°至150°
C
C
-55°至125°
C
C
1997年1/3月
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微LID晶体管
LDT5087和LDT5087T
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大纲/图：
顶视图
3
.040
2
2
3, 4
1
4
1
.075
SIDE VIEW
端视图
.035
基材/电路板
尺寸/标记：
长
宽度
高度
.075′+ .003′
′
′
.040′+ .003′
′
′
.035′+ .003′
′
′
帖子1 （发射极）
邮政2 （基地）
帖子3,4 （珍藏）
0.015 “ .010'typ
′
x
′
0.015 “ .010'typ
′
x
′
0.015 “ .012'typ
′
x
′
黑点在发射器和红点的中心：在包的背面标记
（后下配置）
标准，工艺筛选条件：
半导体芯片和微型盖包装外观检查
线材拉力测试仪
24小时稳定烘烤在150℃
C
从-55 °到125 ° 10次温度循环
C
C
直流特性在25℃ 100 ％电气测试
C
最终视觉检查
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1997年2/3月
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微LID晶体管
LDT5087和LDT5087T
电气特性（ 25℃环境）
C
参数
集电极 - 基极击穿
IC = 100微安， IE = 0
集电极 - 发射极击穿*
磅= 0，集成电路= 1毫安
发射极 - 基极击穿
IC = 0 ， IE = 10微安
集电极 - 基极截止电流
VCB = 35 V
正向直流电流增益*
IC = 100微安，的Vce = 5 V
集电极 - 发射极饱和
IC = 10 mA时， IB = 1毫安
基射极饱和
IC = 10 mA时， IB = 1毫安
集电极电容
VCB = 10V ， IE = 0
F = 1 MHz的
符号
BVCBO
民
50
典型值
--
最大
--
单位
V
BVCEO
50
--
--
V
BVEBO
5
--
--
V
ICBO
--
--
50
nA
的hFE
250
--
800
VCE （ SAT ）
--
--
.3
V
VBE （ SAT ）
--
--
.85
V
科博
--
--
4
pF
*脉冲测试，脉冲宽度< 300微秒，占空比< 2 ％
1997年3/3月
QQ：2880707522 复制
