LD3986
系列
双超低压降低噪声电压BICMOS
REG 。适用于非常低的ESR OUT 。电容器
s
s
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s
s
s
s
s
s
s
输入电压范围为2.5V至6V
稳定的低ESR陶瓷
电容器
超低压差电压（ 60mV的
TYP 。 150mA时LOAD ， 0.4mV TYP 。在1mA时
负载）
极低的静态电流（ 155μA
TYP 。在空载时， 290μA典型。 150mA时
负荷; MAX 2μA关断模式）
保证输出电流高达
150毫安为两路输出
双路输出电压
快速的开启时间： TYP 。 120μs（在
O
=1F,
C
BYP
= 10nF至我
O
=1mA)
逻辑控制的电子
关闭
内部限流和热
输出低噪声电压30μV
RMS
OVER 10Hz至100kHz
S.V.R. 50分贝在1kHz ， 40分贝在10KHz
温度范围： -40 ° C至125°C
倒装芯片
描述
该LD3986提供高达150mA的每个输出，
从2.5V至6V的输入电压。超低
降电压，低静态电流和低噪声
使其适合于低功率应用和在
电池供电系统。稳压器接地
电流的增加只稍稍差，进一步
延长电池的寿命。电源抑制
是50分贝在1kHz和40 dB的在10KHz 。高功率
电源抑制维持下降到低投入
常见的电池电压电平操作
电路。关断逻辑控制功能
可用于每个输出，这意味着，当
该装置被用作本地调节器，能够
将主板的待机模式下的部分，减少
的总功率消耗。该LD3986是
设计采用低ESR的陶瓷工作
电容器。典型的应用是在移动
手机和类似的电池供电的无线
系统。
图1 ：示意图
2005年9月
第3版
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LD3986系列
表1 ：订购代码
倒装芯片
LD3986J12248R
倒装芯片（无铅）
LD3986J122R-E
LD3986J12248R-E
LD3986J1828R-E
LD3986J2528R -E （ * ）
LD3986J28R-E
LD3986J285R-E
LD3986J29R -E （ * ）
LD3986J30R -E （ * ）
LD3986J2830R -E （ * ）
LD3986J3133R -E （ * ）
LD3986J33R-E
1输出电压
1.22 V
1.22 V
1.8 V
2.5 V
2.8 V
2.85 V
2.9 V
3.0 V
2.8 V
3.1 V
3.3 V
2输出电压
1.22 V
4.8 V
2.8 V
2.8 V
2.8 V
2.85 V
2.9 V
3.0 V
3.0 V
3.3 V
3.3 V
LD3986J285R
（ * ）可根据要求提供。
表2 ：绝对最大额定值
符号
V
I
V
O1,2
V
EN1,2
I
O
P
D
T
英镑
T
OP
直流输入电压
直流输出电压
使能输入电压
输出电流
功耗
存储温度范围
工作结温范围
参数
价值
-0.3 6
-0.3到V
I
+0.3
-0.3到V
I
+0.3
内部限制
内部限制
-65到150
-40至125
°C
°C
单位
V
V
V
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。这些条件下的功能操作
不是暗示。
表3 ：热数据
符号
R
THJ - AMB
参数
热阻结到环境
倒装芯片
120
单位
° C / W
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LD3986系列
图2 ：引脚连接
（顶视图通过）
表4 ：引脚说明
符号
V
O2
EN2
绕行
GND
GND
EN1
V
O1
V
I
引脚n °
A1
B1
C1
C2
C3
B3
A3
A2
双LDO的输出电压2
使电压输出电压2 ：ON模式时， V
EN
≥
1.4V ，关断模式时， V
EN
≤
0.4V （不要悬空，没有内部上拉上/下）
旁路引脚：连接一个外部电容（通常为10nF电容） ，以减少噪声电压
共同点
共同点
使电压输出电压1 ：ON模式时， V
EN
≥
1.4V ，关断模式时， V
EN
≤
0.4V （不要悬空，没有内部上拉上/下）
双LDO的输出电压1
输入电压为LDO
名称和功能
图3 ：典型应用电路
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LD3986系列
符号
C
O
参数
输出电容
电容
ESR
测试条件
分钟。
1
0.005
典型值。
马克斯。
22
5
单位
F
注1 ：对于V
O
＆ LT ; 2V ，V
I
=2.5V
注2 ：电压差是输入 - 输出电压差，当输出电压为100mV低于其标称值。这specifi-
阳离子不适用于低于2.5V的输入电压。
注3 ：使能引脚必须驱动搭配T
R
= T
F
＆ LT ; 10毫秒
注4 ：导通时间测量的使能输入刚刚超过V之间的时间
INH
高值和输出电压刚刚达到95 ％
其标称值的
注5 ：典型的热保护滞后20℃
图4 ： SVR的输入电压测试信号
图5 ：交流线路调整输入电压测试信号
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