LD3985
系列
超低压降低噪声电压BICMOS
调节器Low ESR电容兼容
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
输入电压范围为2.5V至6V
稳定的低ESR陶瓷
电容器
超低压差（ 100mV的
TYP 。 150mA时LOAD ， 0.4mV TYP 。在1mA时
负载）
极低的静态电流（ 85μA
TYP 。在空载时， 170μA典型。 150mA时
负荷;最大1.5μA关断模式）
保证输出电流高达
150mA
输出电压范围广：
1.25V; 1.35; 1.5; 1.8V; 2V; 2.1V; 2.2V; 2.4V;
2.5V; 2.6V; 2.7V; 2.8V; 2.85V; 2.9V; 3V; 3.1V;
3.2V; 3.3V; 4.7V; 5V
快速的开启时间： TYP 。为200ps [C
O
=1F,
C
BYP
= 10nF至我
O
=1mA]
逻辑控制的电子
关闭
内部限流和热
输出低噪声电压30μVRMS
OVER 10Hz至100kHz
S.V.R. 60分贝在1kHz ， 50分贝在10KHz
温度范围： -40 ° C至125°C
倒装芯片
(1.57x1.22)
SOT23-5L
描述
该LD3985提供高达150mA ， 2.5V至
6V输入电压。
原理图
超低压降电压，低静态电流
和低噪声使其适合于低功率
应用和电池供电系统。
稳压器的接地电流仅增加轻微
降，进一步延长电池寿命。动力
电源抑制比60分贝好低
频率和开始在10KHz滚下。高
电源抑制维持下降到低
常见的电池输入电压电平的操作
电路。关断逻辑控制功能
可用的，这意味着当使用该装置
当地调节器，有可能把的一个部分
板在待机状态时，降低了总功率
消费。该LD3985的设计工作
低ESR陶瓷电容。典型
的应用是在移动电话和类似的
电池供电的无线系统。
2003年7月
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LD3985系列
绝对最大额定值
符号
V
I
V
O
V
INH
I
O
P
D
T
英镑
T
OP
直流输入电压
直流输出电压
抑制输入电压
输出电流
功耗
存储温度范围
工作结温范围
参数
价值
-0.3至6 （*）
-0.3到V
I
+0.3
-0.3到V
I
+0.3
内部限制
内部限制
-65到150
-40至125
°C
°C
单位
V
V
V
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。这些条件下的功能操作
不是暗示。
（ * ）输入引脚可以承受6.5V的非重复性峰值为200毫秒。
热数据
符号
R
THJ - AMB
参数
热阻结到环境
SOT23-5L
81
255
170
倒装芯片
单位
° C / W
° C / W
R
THJ情况
热阻结案件
接线图
（对于SOT顶视图，顶视图，通过倒装芯片）
SOT23-5L
倒装芯片
引脚说明
引脚n °
SOT23-5L
1
2
3
4
5
引脚n °
倒装芯片
4
2
1
5
3
符号
V
I
GND
V
INH
绕行
V
O
LDO的输入电压
共同点
抑制输入电压： ON模式时， V
INH
≥
1.2V ，关断模式时， V
INH
≤
0.4V （不要悬空，没有内部上拉上/下）
旁路引脚：连接一个外部电容（通常为10nF电容） ，以尽量减少噪音
电压
LDO的输出电压
名称和功能
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LD3985系列
FOR LD3985电气特性
(T
j
= 25 ° C，V
I
= V
O（ NOM ）
+ 0.5V ，C
I
= 1F,
C
BYP
= 10nF的，我
O
= 1mA时， V
INH
= 1.4V ，除非另有规定）
符号
V
I
V
O
V
O
V
O
参数
工作输入电压
输出电压
线路调整（注1 ）
负载调整率
I
O
= 1毫安
T
J
= -40至125
°C
V
I
= V
O（ NOM ）
+ 0.5-6 VT
J
= -40至125
°C
V
O
= 4.7至5V
I
O
= 1 mA至150毫安（倒装芯片）
T
J
= -40至125
°C
测试条件
分钟。
2.5
-2
-3
-0.1
-0.19
0.0004
0.0025
1.5
85
T
J
= -40至125
°C
170
T
J
= -40至125
°C
0.003
T
J
= -40至125
°C
V
降
输入输出电压差（注1 ）I
O
= 1毫安
I
O
= 1毫安
I
O
= 50毫安
I
O
= 50毫安
I
O
= 100毫安
I
O
= 100毫安
I
O
= 150毫安
I
O
= 150毫安
I
SC
SVR
短路电流
电源电压抑制
R
L
= 0
V
I
= V
O（ NOM ）
+0.25V ±
F = 1kHz时
V
纹波
= 0.1V ，我
O
= 50毫安F = 10KHz的
V
O（ NOM ）
＆ LT ; 2.5V ，
V
I
= 2.55V
V
O
≥
V
O（ NOM ）
- 5%
V
I
= 2.5V至6V
V
INH
= 0.4V
C
BYP
- 10 nF的
注5
电容（注6 ）
ESR
1
5
T
J
= -40至125
°C
1.2
V
I
= 6V
C
O
= 1
F
±1
30
200
160
22
5000
nA
V
RMS
s
°C
F
m
B
W
= 10赫兹至100千赫兹
300
T
J
= -40至125
°C
600
60
50
550
0.4
T
J
= -40至125
°C
60
100
mA
dB
T
J
= -40至125
°C
45
70
T
J
= -40至125
°C
20
35
0.4
2
1.5
mV
250
150
典型值。
马克斯。
6
2
3
0.1
0.19
0.002
0.005
mV
PP
A
％ / mA的
单位
V
％的
V
O（ NOM ）
%/V
V
O
I
Q
I
O
= 1毫安150mA电流，T
J
= -40至125
°C
（为SOT23-5L ）
输出交流线路调整V
I
= V
O（ NOM ）
+ 1 V，I
O
= 150毫安，
t
R
= t
F
= 30s
静态电流
ON模式： V
INH
= 1.2V
I
O
= 0
I
O
= 0
I
O
= 0 150mA电流
I
O
= 0 150mA电流
OFF模式： V
INH
= 0.4V
I
O（ PK ）
V
INH
I
INH
eN
t
ON
T
SHDN
C
O
峰值输出电流
禁止输入逻辑低
禁止输入逻辑高
抑制输入电流
输出噪声电压
开启时间（注4 ）
热关断
输出电容
mA
V
注1 - 对于V
O（ NOM ）
＆ LT ; 2V ，V
I
= 2.5V
注2 - 对于V
O（ NOM ）
= 1.25V, V
I
= 2.5V
注3 - 降电压是输入 - 输出电压差，当输出电压为100mV低于其标称值。该试样
fication不适用于低于2.5V的输入电压。
注4 - 导通时间测量的使能输入刚刚超过V之间的时间
INH
高值和输出电压刚刚达到95 ％
其标称值的
注5 - 典型的热保护滞后20℃
注6 - 最小电容值为1μF ，反正LD3985仍然是稳定的，如果补偿电容器在所有30％的容差
温度范围。
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