的GaAs -IR- Lumineszenzdiode
砷化镓红外发射器
LD 274
面积不平坦
0.6
0.4
2.54 mm
间距
0.8
0.4
9.0
8.2
7.8
7.5
5.1
4.8
5.9
5.5
约。重量0.5克
Maβe在毫米，德恩非职权安德斯angegeben /尺寸（mm） ，除非另有规定。
Wesentliche Merkmale
q
雅适恩格Abstrahlwinkel
q
砷化镓红外发光二极管， hergestellt IM
q
q
q
q
特点
q
极窄半角
q
砷化镓红外发光二极管，制造成
q
q
q
q
Schmelzepitaxieverfahren
霍厄Zuverlssigkeit
霍厄Impulsbelastbarkeit
Gruppiert lieferbar
Gehusegleich麻省理工学院SFH 484
液相外延工艺
高可靠性
高脉冲处理能力
可在组
同一个包SFH 484
Anwendungen
q
IR- Fernsteuerung冯Fernseh- UND
应用
q
Hi-Fi和的电视机，视频的红外遥控器
Rundfunkgerten ， Videorecordern ，
Lichtdimmern ， Gerten
典型值
TYPE
LD 274
LD 274-2
1)
LD 274-3
1)
1)
录音机，调光器，
各种设备的
Gehuse
包
5毫米-LED- Gehuse （T1
3
/
4
） ， graugetntes环氧
Gieharz ， Anschlüsse IM 2.54 - mm的光栅（
1
/
10
’’),
Kathodenkennzeichnung ： Kürzerer Ltspie ，平
5毫米LED封装（T 1
3
/
4
） ，灰色环氧树脂
镜头，焊片引脚间距2.54毫米（
1
/
10
''），阴极
标记：短焊料中的铅，平
Bestellnummer
订购代码
Q62703-Q1031
Q62703-Q1819
Q62703-Q1820
努尔·奥夫Anfrage lieferbar 。
仅适用于请求。
半导体集团
1
1997-11-01
fex06260
1.8
1.2
29
27
阴极（二极管）
收集器（晶体管）
5.7
5.1
芯片位置
0.6
0.4
GEX06260
LD 274
Grenzwerte
(
T
A
= 25
°C)
最大额定值
bezeichnung
描述
Betriebs- UND Lagertemperatur
工作和存储温度范围
Sperrschichttemperatur
结温
Sperrspannung
反向电压
Durchlastrom
正向电流
Stostrom ，
t
p
= 10
s,
D
= 0
浪涌电流
Verlustleistung
功耗
Wrmewiderstand
热阻
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
特征
bezeichnung
描述
Wellenlnge明镜Strahlung
峰值波长
I
F
= 100毫安，
t
p
= 20毫秒
Spektrale Bandbreite贝50 ％冯
I
最大
光谱带宽在50％的
I
最大
I
F
= 100米的，
t
p
= 20毫秒
Abstrahlwinkel
半角
Aktive Chipflche
有源芯片面积
Abmessungen德aktive Chipflche
有源芯片面积的尺寸
Abstand Chipoberflche双Linsenscheitel
距离芯片前端镜头顶部
Schaltzeiten ，
I
e
冯10 ％奥夫90 ％ UND冯
90 ％奥夫10 ％ ，贝
I
F
= 100毫安，
R
L
= 50
开关时间，
I
e
从10％到90％和
从90 ％到10％ ，
I
F
= 100毫安，
R
L
= 50
符号
符号
λ
PEAK
邂逅相遇，
价值
950
统一性
单位
nm
符号
符号
邂逅相遇，
价值
– 55 ... + 100
100
5
100
3
165
450
统一性
单位
°C
°C
V
mA
A
mW
K / W
T
op
;
T
英镑
T
j
V
R
I
F
I
FSM
P
合计
R
thJA
λ
55
nm
±
10
0.09
0.3
×
0.3
毕业生
mm
2
mm
A
L
×
B
L
×
W
H
t
r
,
t
f
4.9 ... 5.5
1
mm
s
半导体集团
2
1997-11-01
LD 274
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
特征
bezeichnung
描述
Kapazitt
电容
V
R
= 0 V,
f
= 1兆赫
Durchlaspannung
正向电压
I
F
= 100毫安，
t
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
s
Sperrstrom ，
V
R
= 5 V
反向电流
Gesamtstrahlungsfluβ
总辐射通量
I
F
= 100毫安，
t
p
= 20毫秒
Temperaturkoeffizient冯
I
e
bzw.
Φ
e
,
I
F
= 100毫安
温度COEF网络cient
I
e
or
Φ
e
,
I
F
= 100毫安
Temperaturkoeffizient冯
V
F
,
I
F
= 100毫安
温度COEF网络cient
V
F
,
I
F
= 100毫安
Temperaturkoeffizient冯
λ,
I
F
= 100毫安
温度COEF网络cient
λ,
I
F
= 100毫安
符号
符号
邂逅相遇，
价值
25
统一性
单位
pF
C
o
V
F
V
F
I
R
Φ
e
1.30
(≤
1.5)
1.90
(≤
2.5)
0.01
(≤
1)
15
V
V
A
mW
TC
I
– 0.55
%/K
TC
V
TC
λ
– 1.5
+ 0.3
毫伏/ K
纳米/ K
Gruppierung德Strahlstrke
I
e
在Achsrichtung
gemessen贝einem Raumwinkel
= 0.001 SR
辐射强度的分组
I
e
在轴向方向上
在一个立体角
= 0.001 SR
bezeichnung
描述
Strahlstrke
辐射强度
I
F
= 100毫安，
t
p
= 20毫秒
Strahlstrke
辐射强度
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
s
1)
1)
符号
符号
LD 274
I
ê MIN
I
ê MAX
50
–
邂逅相遇，
价值
LD 274-2
1)
50
100
LD 274-3
80
–
统一性
单位
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
I
典型。
350
600
800
毫瓦/ SR
努尔·奥夫Anfrage lieferbar 。
仅适用于请求。
半导体集团
3
1997-11-01
QQ：2880707522 复制
