的GaAs -IR- Lumineszenzdiode
砷化镓红外发射器
LD 271 , LD 271
LD 271 L, LD 271 HL
面积不平坦
0.6
0.4
9.0
8.2
7.8
7.5
2.54 mm
间距
1.3
1.0
5.9
5.5
1.0
0.7
阴极
约。重量0.5克
芯片位置
GEX06239
阴极
29
27
9.0
8.2
间距
2.54mm
0.4
0.8
1.8
1.2
7.8
7.5
5.9
5.5
0.4
0.6
面积不平坦
芯片位置
约。重量0.2克
4.8
4.2
4.8
5.1
0.6
0.4
GEO06645
Maβe在毫米,德恩非职权安德斯angegeben /尺寸(mm) ,除非另有规定。
Wesentliche Merkmale
q
砷化镓红外发光二极管, hergestellt IM
Schmelzepitaxieverfahren
q
霍厄Zuverlssigkeit
q
霍厄Impulsbelastbarkeit
q
兰格Anschlüsse
q
Gruppiert lieferbar
q
Gehusegleich MIT SFH 300 , SFH 203
Anwendungen
q
IR- Fernsteuerung冯Fernseh- UND
Rundfunkgerten , Videorecordern ,
Lichtdimmern
q
Gertefernsteuerungen
q
Lichtschranken献给Gleich- UND
Wechsellichtbetrieb
半导体集团
1
特点
q
砷化镓红外发光二极管,制造成
液相外延工艺
q
高可靠性
q
高脉冲处理能力
q
长引线
q
可在组
q
同一个包SFH 300 , SFH 203
应用
q
Hi-Fi和的电视机,视频的红外遥控器
录音机,调光器
q
各种设备进行远程控制
q
光中断
1997-11-01
fex06628
1.8
1.2
14.0
13.0
5.1
4.8
4.8
4.2
11.4
11.0
0.6
0.4
LD 271 , LD 271
LD 271 L, LD 271 HL
典型值
TYPE
LD 271
LD 271 L
LD271
LD271 HL
Grenzwerte
最大额定值
bezeichnung
描述
Bestellnummer
订购代码
Q62703-Q148
Q62703-Q833
Q62703-Q256
Q62703-Q838
Gehuse
包
5毫米-LED- Gehuse (T1
3
/
4
) , graugetntes环氧
Gieharz , Ltspiee IM 2.54 - mm的光栅(
1
/
10
’’)
5毫米LED封装(T 1
3
/
4
) ,灰色环氧树脂
镜头,焊片引脚间距2.54毫米(
1
/
10
’’)
符号
符号
邂逅相遇,
价值
– 55 ... + 100
100
5
130
3.5
220
330
统一性
单位
°C
°C
V
mA
A
mW
K / W
Betriebs- UND Lagertemperatur
工作和存储温度范围
Sperrschichttemperatur
结温
Sperrspannung
反向电压
Durchlastrom
正向电流
Stostrom ,
t
p
= 10
s,
D
= 0
浪涌电流
Verlustleistung
功耗
Wrmewiderstand
热阻
T
op
;
T
英镑
T
j
V
R
I
F
I
FSM
P
合计
R
thJA
半导体集团
2
1997-11-01
LD 271 , LD 271
LD 271 L, LD 271 HL
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
特征
bezeichnung
描述
Wellenlnge明镜Strahlung
峰值波长
I
F
= 100毫安,
t
p
= 20毫秒
Spektrale Bandbreite贝50 %冯
I
最大
光谱带宽在50%的
I
最大
I
F
= 100毫安
Abstrahlwinkel
半角
Aktive Chipflche
有源芯片面积
Abmessungen德aktive Chipflche
有源芯片面积的尺寸
Abstand Chipoberflche双Linsenscheitel
距离芯片前端镜头顶部
Schaltzeiten ,
I
e
冯10 %奥夫90 % UND冯
90 %奥夫10 % ,贝
I
F
= 100毫安,
R
L
= 50
开关时间,
I
e
从10%到90%和
从90 %到10% ,
I
F
= 100毫安,
R
L
= 50
Kapazitt ,
V
R
= 0 V,
f
= 1兆赫
电容
Durchlaspannung
正向电压
I
F
= 100毫安,
t
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
s
Sperrstrom ,
V
R
= 5 V
反向电流
Gesamtstrahlungsfluβ
总辐射通量
I
F
= 100毫安,
t
p
= 20毫秒
Temperaturkoeffizient冯
I
e
bzw.
Φ
e
,
I
F
= 100毫安
温度COEF网络cient
I
e
or
Φ
e
,
I
F
= 100毫安
Temperaturkoeffizient冯
V
F
,
I
F
= 100毫安
温度COEF网络cient
V
F
,
I
F
= 100毫安
Temperaturkoeffizient冯
λ,
I
F
= 100毫安
温度COEF网络cient
λ,
I
F
= 100毫安
符号
符号
λ
PEAK
邂逅相遇,
价值
950
统一性
单位
nm
λ
55
nm
±
25
0.25
0.5
×
0.5
4.0 ... 4.6
1
毕业生
度。
mm
2
mm
mm
s
A
L
×
B
L
×
W
H
t
r
,
t
f
C
o
40
pF
V
F
V
F
I
R
Φ
e
1.30
(≤
1.5)
1.90
(≤
2.5)
0.01
(≤
1)
18
V
V
A
mW
TC
I
– 0.55
%/K
TC
V
TC
λ
– 1.5
0.3
毫伏/ K
纳米/ K
半导体集团
3
1997-11-01
LD 271 , LD 271
LD 271 L, LD 271 HL
Gruppierung德Strahlstrke
I
e
在Achsrichtung
gemessen贝einem Raumwinkel
= 0.01 SR
辐射强度的分组
I
e
在轴向方向上
在一个立体角
= 0.01 SR
bezeichnung
描述
符号
符号
邂逅相遇,
价值
LD 271
LD 271 L
Strahlstrke
辐射强度
I
F
= 100毫安,
t
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
s
LD 271
LD 271 HL
统一性
单位
I
e
I
典型。
15 (≥ 10)
120
> 16
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
相对光谱发射
I
REL
=
f
(λ)
100
%
OHRD1938
辐射强度
I
e
=
f
(I
F
)
I
e
百毫安
OHR01038
单脉冲,
t
p
= 20
s
Ι
e
10
2
马克斯。容许正向电流
I
F
=
f
(T
A
)
200
OHO00364
Ι
REL
Ι
e
( 100 mA时)
Ι
F
mA
160
80
10
1
60
140
120
100
40
80
10
0
60
40
20
20
0
880
920
960
1000
λ
nm
1060
10
-1
10
-2
10
-1
10
0
A
Ι
F
10
1
0
0
20
40
60
80 C 100
T
A
半导体集团
4
1997-11-01