砷化镓红外Lumineszenzdioden - Zeilen
砷化镓红外发射器阵列
铅（Pb ）免费产品 - 符合RoHS
LD 260
LD 262
…
LD 269
Wesentliche Merkmale
砷化镓红外Lumineszenzdiode
Zeilenbauform ， lieferbar冯2双10发射
亲Zeile
FARBE ：透明
霍厄Zuverlssigkeit
Gruppiert lieferbar
Gehusegleich MIT BPX 80意甲
迷你型- Gehuse
Anwendungen
Miniaturlichtschranken献给Gleich- UND
Wechsellichtbetrieb
Barcodeleser
Industrieelektronik
“梅森/ Steuern / Regeln ”
SENSORIK
Drehzahlsteuerung
特点
砷化镓红外发光二极管
引线框架的阵列，可从2至10个
每个阵列发射器
颜色：透明
高可靠性
可在箱
同一个包BPX 80系列
小型封装
应用
微型光断续器
条码读取器
工业电子产品
控制和驱动电路
传感器技术
速度控制器
2007-04-03
1
LD 260 ， LD 262
…
LD 269
典型值
TYPE
LD 262
LD 263
LD 264
LD 265
LD 266
LD 267
LD 268
LD 269
LD 260
1)
IRED
亲Zeile
每行
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Bestellnummer
订购代码
Q62703Q0070
Q62703Q0071
Q62703Q0072
Q62703Q0073
Q62703Q0074
Q62703Q0075
Q62703Q0076
Q62703Q0077
Q62703Q0078
Strahlstrkegruppierung
1)
(
I
F
= 50毫安，
t
p
= 20毫秒）
辐射强度分组
1)
I
e
（毫瓦/ SR）
> 2.5 （典型值5 ）
gemessen贝einem Raumwinkel
Ω
= 0.01 SR /时的立体角测量
Ω
= 0.01 SR
2007-04-03
2
LD 260 ， LD 262
…
LD 269
Grenzwerte
(
T
A
= 25
°C)
最大额定值
bezeichnung
参数
Betriebs- UND Lagertemperatur
工作和存储温度范围
Sperrschichttemperatur
结温
Sperrspannung
反向电压
Durchlastrom
正向电流
Stostrom ，
τ ≤
10
μs,
D
= 0
浪涌电流
Verlustleistung
功耗
Wrmewiderstand
热阻
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
特征
bezeichnung
参数
Wellenlnge明镜Strahlung
峰值波长
I
F
= 50毫安，
t
p
= 20毫秒
Spektrale Bandbreite贝50 ％冯
I
最大
光谱带宽在50％的
I
最大
I
F
= 50毫安，
t
p
= 20毫秒
Abstrahlwinkel
半角
Aktive Chipflche
有源芯片面积
Abmessungen德aktiven Chipflche
有源芯片面积的尺寸
Abstand Chipoberflche双Linsenscheitel
距离芯片表面到镜头前
符号
符号
λ
PEAK
邂逅相遇，
价值
950
统一性
单位
nm
符号
符号
邂逅相遇，
价值
– 40
…
+ 80
80
5
50
1.6
70
750
650
统一性
单位
°C
°C
V
mA
A
mW
K / W
K / W
T
op
;
T
英镑
T
j
V
R
I
F
I
FSM
P
合计
R
thJA
R
thJL
Δλ
55
nm
±
15
0.25
0.5
×
0.5
1.3
…
1.9
毕业生
度。
mm
2
mm
mm
A
L
×
B
L
×
W
H
2007-04-03
3
砷化镓红外Lumineszenzdioden - Zeilen
砷化镓红外发射器阵列
LD 260
LD 262 LD ... 269
7.4
7.0
1.9
1.7
0.5
0.4
2.54 mm
间距
2.7
2.5
0.25
0.15
2.1
1.5
0.4 A
GEO06367
A
Maβe在毫米，德恩非职权安德斯angegeben /尺寸（mm） ，除非另有规定。
Wesentliche Merkmale
q
砷化镓红外Lumineszenzdiode ， hergestellt IM
Schmelzepitaxieverfahren
q
霍厄Zuverlssigkeit
q
Gehusegleich MIT BPX 80意甲
Anwendungen
q
Miniaturlichtschranken献给Gleich- UND
Wechsellichtbetrieb
q
Lochstreifenleser
q
Industrieelektronik
q
“梅森/ Steuern / Regeln ”
特点
q
砷化镓红外发光二极管，制造成
液相外延工艺
q
高可靠性
q
同一个包BPX 80系列
应用
q
微型光断续器
q
穿孔带阅读器
q
工业电子产品
q
控制和驱动电路
半导体集团
1
1997-11-01
feo06367
1.4
1.0
收集器（ BPX 83 ）
阴极（ LD 263 ）
fez06365
0.7
0.6
0 ... 5
3.5
3.0
3.6
3.2
芯片
位置
LD 260
LD 262 LD ... 269
典型值
TYPE
LD 262
LD 263
LD 264
LD 265
LD 266
LD 267
LD 268
LD 269
LD 260
IRED
大众“A”
Bestellnummer Gehuse
亲Zeile
每行维度“A”订购代码封装
分钟。
2
3
4
5
6
7
8
9
10
4.5
7
9.6
12.1
14.6
17.2
19.7
22.3
24.8
马克斯。
4.9
7.4
10
12.5
15
17.6
20.1
22.7
25.2
Q62703-Q70
Q62703-Q71
Q62703-Q72
Q62703-Q73
Q62703-Q74
Q62703-Q75
Q62703-Q76
Q62703-Q77
Q62703-Q78
Zeilenbauform ， Leiterbandgehuse ，
klares环氧Gieharz ， linsenfrmig ，
Anschlüsse IM 2.54 - mm的光栅（
1
/
10
’’),
Kathodenkennzeichnung ：
激酶上午Ltspie
引线框架阵列，透明环氧
树脂镜片，焊片，引线间距
2.54 mm (
1
/
10
''），阴极标记：
投影在焊料中的铅
Grenzwerte
(
T
A
= 25
°C)
最大额定值
bezeichnung
描述
Betriebs- UND Lagertemperatur
工作和存储温度范围
Sperrschichttemperatur
结温
Sperrspannung
反向电压
Durchlastrom
正向电流
Stostrom ，
τ ≤
10
s,
D
= 0
浪涌电流
Verlustleistung
功耗
Wrmewiderstand
热阻
符号
符号
邂逅相遇，
价值
– 40 ... + 80
80
5
50
1.6
70
750
650
统一性
单位
°C
°C
V
mA
A
mW
K / W
K / W
T
op
;
T
英镑
T
j
V
R
I
F
I
FSM
P
合计
R
thJA
R
thJL
半导体集团
2
1997-11-01
LD 260
LD 262 LD ... 269
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
特征
bezeichnung
描述
Wellenlnge明镜Strahlung
峰值波长
I
F
= 50毫安，
t
p
= 20毫秒
Spektrale Bandbreite贝50 ％冯
I
最大
光谱带宽在50％的
I
最大
I
F
= 50微米的，
t
p
= 20毫秒
Abstrahlwinkel
半角
Aktive Chipflche
有源芯片面积
Abmessungen德aktive Chipflche
有源芯片面积的尺寸
Abstand Chipoberflche双Linsenscheitel
距离芯片表面到镜头前
Schaltzeiten ，
I
e
冯10 ％奥夫90 ％ UND冯
90 ％奥夫10 ％ ，贝
I
F
= 50毫安，
R
L
= 50
开关时间，
I
e
从10％到90％和
从90 ％到10％ ，
I
F
= 50毫安，
R
L
= 50
Kapazitt ，
V
R
= 0 V
电容
Durchlaspannung ，
I
F
= 50毫安，
t
p
= 20
s
正向电压
Sperrstrom ，
V
R
= 5 V
反向电流
符号
符号
λ
PEAK
邂逅相遇，
价值
950
统一性
单位
nm
λ
55
nm
±
15
0.25
0.5
×
0.5
1.3 ... 1.9
1
毕业生
度。
mm
2
mm
mm
s
A
L
×
B
L
×
W
H
t
r
,
t
f
C
o
V
F
I
R
40
1.25
(≤
1.4)
0.01
(≤
1)
9
– 0.55
pF
V
A
mW
%/K
Gesamtstrahlungsflu ，
I
F
= 50毫安，
t
p
= 20毫秒
Φ
e
总辐射通量
Temperaturkoeffizient冯
I
e
bzw.
Φ
e
,
I
F
= 50毫安
温度COEF网络cient
I
e
or
Φ
e
,
I
F
= 50毫安
Temperaturkoeffizient冯
V
F
,
I
F
= 50毫安
温度COEF网络cient
V
F
,
I
F
= 50毫安
Temperaturkoeffizient冯
λ
PEAK
,
I
F
= 50毫安
温度COEF网络cient
λ
PEAK
,
I
F
= 50毫安
Strahlstrke ，
I
F
= 50毫安，
t
p
= 20毫秒
辐射强度
TC
I
TC
V
TC
λ
I
e
– 1.5
0.3
（典型值） 。 5 （ ≥ 2.5 ）
毫伏/ K
纳米/ K
毫瓦/ SR
半导体集团
3
1997-11-01
QQ：2881677436 复制
