PWRLITE LD1010DA
高性能N通道
P
OWERJFET
TM
与PN二极管
特点
高级栅极电荷X产品的导通电阻（ FOM ）
沟槽功率JFET低阈值电压Vth 。
设备完全“ON”与VGS = 0.7V
最佳的“低端”降压转换器
优秀的高频DC / DC转换器
优化的隔离式DC -DC整流二级
低Rg和低CD盘以便高速开关
描述
从Lovoltech的功耗JFET晶体管是一种装置，其
提出了一种低导通电阻，允许在DC-提高效率
DC开关应用。该设备被设计为具有低
阈值，使得驾驶者可以在5V操作，从而降低了
驱动器功耗并提高了整体效率。
下限阈值会产生更快的导通/关断，这
最大限度地减少所需的死区时间。 PN二极管添加了
应用场合中，续流二极管是必需的。
本产品具有镀锡引线。
应用
DC- DC转换器
同步整流器
PC主板转换器
降压型电源
砖模块
VRM模块
DPAK无铅引脚分配
D
G
D
G
S
S
N - 通道功率JFET
与PN二极管
引脚德网络nitions
引脚数
1
2
3
引脚名称
门
漏
来源
引脚功能说明
门。
晶体管栅极
沥干。
晶体管的漏
源。
晶体管源极
V
DS
(V)
24V
产品概述
导通电阻（ Ω ）
0.0045
I
D
(A)
50
1
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
栅 - 漏电压
连续漏电流
漏电流脉冲
单脉冲漏极 - 源极雪崩能量在25℃
(V
DD
= 6V
DC
， IL = 60A
PK
L = 0.3mH ，R
G
=100
)
结温
储存温度
引线焊接温度10秒
功率耗散（降额在25 ° C）
符号
V
DS
V
GS
V
GD
I
D
I
D
E
AS
T
J
T
英镑
T
P
D
评级
24
-12
-28
50
1
100
220
-55 ℃150℃
-65 ℃150℃
260°C
80
单位
V
V
V
A
A
mJ
°C
°C
°C
W
LD1010DA版本1.03 - 03-05
热阻
符号
RΘ
JA
RΘ
JC
参数
热阻结到环境
热阻结到外壳
DPAK
评级
80
1.56
单位
° C / W
° C / W
电气规格
（ TA = + 25 ℃，除非另有说明。 ）
该
φ
表示哪个应用，在整个工作温度范围的规范。
符号
参数
条件
分钟。
STATIC
BV
DSX
击穿电压
I
D
- 0.5毫安
24
漏极至源极
V
GS
= -4 V
BV
GDO
击穿电压
I
G
= -50A
栅漏
BV
GSO
击穿电压
I
G
= -50A
门源
R
DS （上
)
漏极至源极导
I
G
= 40 mA时，我
D
=10A
2
阻力
I
G
= 10 mA时，我
D
=10A
I
G
= 5毫安，我
D
=10A
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
V
DS
= 0.1 V，I
D
=250A
TCV
gsth
温度COEF网络cient
V
DS
= 0.1 V，I
D
=250A
栅极阈值电压
动态
Q
GSYNC
总栅极电荷同步JFET
V
DRIVE
=5V,V
DS
=0.1V
Q
G
总栅极电荷
V
DRIVE
= 5V ，我
D
=10A,V
DS
=15V
Q
GD
栅漏电荷
V
DS
= 13.5V到V
DS
=1.5V
Q
GS
门源费
V
GS
= -4.5V到V
DS
=13.5V
Q
SW
交换费
V
GS
= -2V至V
DS
=1.5V
R
G
栅极电阻
T
D（上
)
导通延迟时间
V
DD
= 15V ，我
D
=10A
T
R
上升时间
V
DRIVE
= 5 V
T
D（关闭）
关断延时
阻性负载
T
F
下降时间
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
输出电容
V
DS
=10V, V
GS
= -5V ， 1MHz的。
C
GS
栅极 - 源极电容
C
GD
栅 - 漏电容
C
DS
漏 - 源电容
I
R
V
R
= 20V ， VGS = -4V
V
F
I
F
= 1 A
V
F
I
F
= 10 A
V
F
I
F
= 20 A
QRR
I
s
= 10 A的di / dt = 100A / us的，
TRR
I
s
= 10 A的di / dt = 100A / us的，
注意事项：
1.电流通过键合线的限制;与Rthjc = 1.56
o
C / W，芯片能够承载102A 。
2.
脉冲宽度< =为500μs ，占空比< = 2 ％
2
LD1010DA
PN二极管
反向漏
正向电压
正向电压
正向电压
反向恢复电荷
反向恢复时间
典型值。
28
-32
-14
3.7
3.8
3.9
-1
-2.8
12.6
15
10.5
4.5
11.4
0.4
6.7
12.4
9
4.6
1465
611
972
493
118
-28
-12
4.5
5.0
马克斯。
单位
V
V
V
m
m
V
毫伏/
o
C
nC
nC
nC
nC
nC
ns
pF
0.3
800
900
960
9.5
14.6
mA
mV
mV
mV
nC
ns
Lovoltech公司 -
3970自由圈 - 圣克拉拉， CA 95054 -USA
电话： 1 408 654 1980传真：1 408 654 1988 www.lovoltech.com
产品speci fi cation
典型工作特性
（ TA = + 25 ℃，除非另有说明。 ）
8
7
6
RDS （毫欧姆）
1.0
0.5
0.0
-0.5
VGS （伏特）
1.0E-04
1.0E-03
IG （ A）
1.0E-02
1.0E-01
5
4
3
2
1
0
1.0E-05
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
-3.0
-3.5
-4.0
-4.5
0
5
10
15
20
QG （ NC ）
图1 - R的
DSON
VS栅电流在I
D
– 10A
50
45
40
35
ID （MA ）
图2 - 栅极电荷为V
DS
= 0.1V
电容与Vds的， VGS = -5V ; DPAK ， 25'C
2000
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
0
5
西塞
科斯
CRSS
30
20
15
10
5
0
0
5
10
15
V·D S（ V）
20
25
30
C（ pF）的
25
10
15
VDS （伏特）
20
25
图3 - 电压VDS VS标识
0.10
0.09
0.08
0.07
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0.00
0.00
0.20
0.40
0.60
0.80
图4 - 电容VS漏极电压Vds的
0.50
0.45
0.40
0.35
V
DS
=12V
IG （ A）
ID （ A）
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
V
DS
=0.1V
VGS （ V）
0.00
-10
-8
-6
VG （ V）
-4
-2
0
图5 - 我
G
VS栅电压V
GS
图6 - 传输特性
Lovoltech公司 -
3970自由圈 - 圣克拉拉， CA 95054 -USA
电话： 1 408 654 1980传真：1 408 654 1988 www.lovoltech.com
LD1010DA
产品speci fi cation
3
典型工作特性
（ TA = + 25 ℃，除非另有说明。 ）
1.8
1.7
50
45
40
Igs=10mA
Igs=1A
Vgs=+0.5V
Vgs=0V
归一化的导通电阻
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0
50
100
150
35
30
ID（ A）
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
Vgs=-0.5V
Vgs=-1.0V
VDS （ V）
5
牛逼EM P（C ）
图7 - R的
DSON
= F（T） ;我
D
= -10A ;我
G
= 50毫安
0
-2
-4
-6
图8 - 我
D
VS V
DS
特征
100
10s
ID ，漏电流（ A）
ID （安培）
-8
-10
-12
-14
-16
-18
-20
-1.00
-0.90
-0.80
-0.70
-0.60
-0.50
IG = 40毫安
单脉冲
TC = 25°C
100s
10
1ms
导通电阻限制
热限制
套餐限制
10ms
DC
1
0.1
VDS （伏特）
1
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图9 - PN二极管电压 - 电流
总电网耗散（ W）
100.00
80.00
60.00
40.00
20.00
0.00
0
50
100
TE米PE叉涂抹（ C）
150
200
图10 - 安全工作区
ZthJA = F （ TP ） （参数D = TP / T ）
1.E+00
D = 0.5
0.2
ZthJA （K / W）
P合计（W）的
0.1
1.E-01
0.05
0.02
0.01
单脉冲
tp
T
P（ PK）
注意：
1.
占空比D = TP / T
2.
山顶TJ = P （ PK） * Z
thJA
+ T
A
1.E-02
1.E-05
1.E-04
1.E-03
1.E-02
TP （多个）
1.E-01
1.E+00
1.E+01
图11 - 总功率耗散
4
LD1010DA
图12 - 归热响应
Lovoltech公司 -
3970自由圈 - 圣克拉拉， CA 95054 -USA
电话： 1 408 654 1980传真：1 408 654 1988 www.lovoltech.com
产品speci fi cation
订购信息
产品编号
LD1010DA
PN标记
LD1010DA
包
TO252 （ DPAK ）
注意事项：
本产品为无铅和有镀锡引线
包装和标识信息：
尺寸
DIM 。
A
A1
A2
b
b1
B2
C
C2
D
D1
E
e
H
L2
L3
L4
R
备用
D
L2
L3
H
mm.
典型值。分钟。
2.19
0.89
0.03
0.76
0.55
5.20
0.45
0.45
5.97
5.30
6.35
2.28
9.35
0.88
1.86
0.64
0.20
5.40
1.25
2.60
9.65
寸
马克斯。典型值。分钟。
2.40
0.086
1.14
0.035
0.13
0.001
1.14
0.030
0.90
0.022
5.46
0.205
0.60
0.017
0.58
0.017
6.22
0.235
0.208
6.73
0.250
0.090
10.42
0.368
1.27
0.035
3.57
0.073
1.02
0.025
0.008
5.60
1.75
2.80
9.75
0.213
0.049
0.102
0.380
马克斯。
0.094
0.045
0.005
0.045
0.035
0.215
0.023
0.023
0.245
0.265
0.410
0.050
0.140
0.040
E
E
B2
B2
L2
L2
A
C2
H
H
LD1010DA
LD1010DA
XXXXX
XXXX
DPAK
A2
L3
L3
R
L4
L4
D
D
e
e
b
b
b1
b1
A1
C
后视图
0.220
0.069
0.110
0.384
生命支持政策
LOVOLTECH的产品未被授权用于生命支持设备中的关键部件
或系统未经明确的书面许可， LOVOLTECH公司主席的具体如下：
1.生命支持设备或系统设备或其中（a）打算通过外科手术移植到体内的系统，或（b ）支持或
维持生命，和（c）未能履行其正确的使用按照标签规定的使用说明即可
可合理预期会导致在用户的显着的伤害。
2.在生命支持设备或系统，其不履行可以合理预期的任何组成部分的一个关键组成部分
造成生命支持设备或系统的故障，或者影响其安全性或有效性。
数据表标识
超前信息
初步
没有Identi网络所需的阳离子
产品状态
在定义或
设计
初始生产
在生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范网络阳离子进行产品开发。
规格如有变更，恕不另行通知。
该数据表包含的初步数据;附加的和应用的数据将
在稍后的日期出版。 Lovoltech ，公司保留权利作出任何变更的权利
时间，恕不另行通知，以提高设计。
该数据表包含最终规格。 Lovoltech保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以改变完善设计。
D1
Lovoltech公司 -
3970自由圈 - 圣克拉拉， CA 95054 -USA
电话： 1 408 654 1980传真：1 408 654 1988 www.lovoltech.com
LD1010DA
产品speci fi cation
5
PWRLITE LD1010DA
高性能N通道
P
OWERJFET
TM
与PN二极管
特点
高级栅极电荷X产品的导通电阻（ FOM ）
沟槽功率JFET低阈值电压Vth 。
设备完全“ON”与VGS = 0.7V
最佳的“低端”降压转换器
优秀的高频DC / DC转换器
优化的隔离式DC -DC整流二级
低Rg和低CD盘以便高速开关
描述
从Lovoltech的功耗JFET晶体管是一种装置，其
提出了一种低导通电阻，允许在DC-提高效率
DC开关应用。该设备被设计为具有低
阈值，使得驾驶者可以在5V操作，从而降低了
驱动器功耗并提高了整体效率。
下限阈值会产生更快的导通/关断，这
最大限度地减少所需的死区时间。 PN二极管添加了
应用场合中，续流二极管是必需的。
本产品具有镀锡引线。
应用
DC- DC转换器
同步整流器
PC主板转换器
降压型电源
砖模块
VRM模块
DPAK无铅引脚分配
D
G
D
G
S
S
N - 通道功率JFET
与PN二极管
引脚德网络nitions
引脚数
1
2
3
引脚名称
门
漏
来源
引脚功能说明
门。
晶体管栅极
沥干。
晶体管的漏
源。
晶体管源极
V
DS
(V)
24V
产品概述
导通电阻（ Ω ）
0.0045
I
D
(A)
50
1
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
栅 - 漏电压
连续漏电流
漏电流脉冲
单脉冲漏极 - 源极雪崩能量在25℃
(V
DD
= 6V
DC
， IL = 60A
PK
L = 0.3mH ，R
G
=100
)
结温
储存温度
引线焊接温度10秒
功率耗散（降额在25 ° C）
符号
V
DS
V
GS
V
GD
I
D
I
D
E
AS
T
J
T
英镑
T
P
D
评级
24
-12
-28
50
1
100
220
-55 ℃150℃
-65 ℃150℃
260°C
80
单位
V
V
V
A
A
mJ
°C
°C
°C
W
LD1010DA版本1.03 - 03-05
热阻
符号
RΘ
JA
RΘ
JC
参数
热阻结到环境
热阻结到外壳
DPAK
评级
80
1.56
单位
° C / W
° C / W
电气规格
（ TA = + 25 ℃，除非另有说明。 ）
该
φ
表示哪个应用，在整个工作温度范围的规范。
符号
参数
条件
分钟。
STATIC
BV
DSX
击穿电压
I
D
- 0.5毫安
24
漏极至源极
V
GS
= -4 V
BV
GDO
击穿电压
I
G
= -50A
栅漏
BV
GSO
击穿电压
I
G
= -50A
门源
R
DS （上
)
漏极至源极导
I
G
= 40 mA时，我
D
=10A
2
阻力
I
G
= 10 mA时，我
D
=10A
I
G
= 5毫安，我
D
=10A
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
V
DS
= 0.1 V，I
D
=250A
TCV
gsth
温度COEF网络cient
V
DS
= 0.1 V，I
D
=250A
栅极阈值电压
动态
Q
GSYNC
总栅极电荷同步JFET
V
DRIVE
=5V,V
DS
=0.1V
Q
G
总栅极电荷
V
DRIVE
= 5V ，我
D
=10A,V
DS
=15V
Q
GD
栅漏电荷
V
DS
= 13.5V到V
DS
=1.5V
Q
GS
门源费
V
GS
= -4.5V到V
DS
=13.5V
Q
SW
交换费
V
GS
= -2V至V
DS
=1.5V
R
G
栅极电阻
T
D（上
)
导通延迟时间
V
DD
= 15V ，我
D
=10A
T
R
上升时间
V
DRIVE
= 5 V
T
D（关闭）
关断延时
阻性负载
T
F
下降时间
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
输出电容
V
DS
=10V, V
GS
= -5V ， 1MHz的。
C
GS
栅极 - 源极电容
C
GD
栅 - 漏电容
C
DS
漏 - 源电容
I
R
V
R
= 20V ， VGS = -4V
V
F
I
F
= 1 A
V
F
I
F
= 10 A
V
F
I
F
= 20 A
QRR
I
s
= 10 A的di / dt = 100A / us的，
TRR
I
s
= 10 A的di / dt = 100A / us的，
注意事项：
1.电流通过键合线的限制;与Rthjc = 1.56
o
C / W，芯片能够承载102A 。
2.
脉冲宽度< =为500μs ，占空比< = 2 ％
2
LD1010DA
PN二极管
反向漏
正向电压
正向电压
正向电压
反向恢复电荷
反向恢复时间
典型值。
28
-32
-14
3.7
3.8
3.9
-1
-2.8
12.6
15
10.5
4.5
11.4
0.4
6.7
12.4
9
4.6
1465
611
972
493
118
-28
-12
4.5
5.0
马克斯。
单位
V
V
V
m
m
V
毫伏/
o
C
nC
nC
nC
nC
nC
ns
pF
0.3
800
900
960
9.5
14.6
mA
mV
mV
mV
nC
ns
Lovoltech公司 -
3970自由圈 - 圣克拉拉， CA 95054 -USA
电话： 1 408 654 1980传真：1 408 654 1988 www.lovoltech.com
产品speci fi cation
典型工作特性
（ TA = + 25 ℃，除非另有说明。 ）
8
7
6
RDS （毫欧姆）
1.0
0.5
0.0
-0.5
VGS （伏特）
1.0E-04
1.0E-03
IG （ A）
1.0E-02
1.0E-01
5
4
3
2
1
0
1.0E-05
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
-3.0
-3.5
-4.0
-4.5
0
5
10
15
20
QG （ NC ）
图1 - R的
DSON
VS栅电流在I
D
– 10A
50
45
40
35
ID （MA ）
图2 - 栅极电荷为V
DS
= 0.1V
电容与Vds的， VGS = -5V ; DPAK ， 25'C
2000
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
0
5
西塞
科斯
CRSS
30
20
15
10
5
0
0
5
10
15
V·D S（ V）
20
25
30
C（ pF）的
25
10
15
VDS （伏特）
20
25
图3 - 电压VDS VS标识
0.10
0.09
0.08
0.07
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0.00
0.00
0.20
0.40
0.60
0.80
图4 - 电容VS漏极电压Vds的
0.50
0.45
0.40
0.35
V
DS
=12V
IG （ A）
ID （ A）
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
V
DS
=0.1V
VGS （ V）
0.00
-10
-8
-6
VG （ V）
-4
-2
0
图5 - 我
G
VS栅电压V
GS
图6 - 传输特性
Lovoltech公司 -
3970自由圈 - 圣克拉拉， CA 95054 -USA
电话： 1 408 654 1980传真：1 408 654 1988 www.lovoltech.com
LD1010DA
产品speci fi cation
3
典型工作特性
（ TA = + 25 ℃，除非另有说明。 ）
1.8
1.7
50
45
40
Igs=10mA
Igs=1A
Vgs=+0.5V
Vgs=0V
归一化的导通电阻
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0
50
100
150
35
30
ID（ A）
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
Vgs=-0.5V
Vgs=-1.0V
VDS （ V）
5
牛逼EM P（C ）
图7 - R的
DSON
= F（T） ;我
D
= -10A ;我
G
= 50毫安
0
-2
-4
-6
图8 - 我
D
VS V
DS
特征
100
10s
ID ，漏电流（ A）
ID （安培）
-8
-10
-12
-14
-16
-18
-20
-1.00
-0.90
-0.80
-0.70
-0.60
-0.50
IG = 40毫安
单脉冲
TC = 25°C
100s
10
1ms
导通电阻限制
热限制
套餐限制
10ms
DC
1
0.1
VDS （伏特）
1
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图9 - PN二极管电压 - 电流
总电网耗散（ W）
100.00
80.00
60.00
40.00
20.00
0.00
0
50
100
TE米PE叉涂抹（ C）
150
200
图10 - 安全工作区
ZthJA = F （ TP ） （参数D = TP / T ）
1.E+00
D = 0.5
0.2
ZthJA （K / W）
P合计（W）的
0.1
1.E-01
0.05
0.02
0.01
单脉冲
tp
T
P（ PK）
注意：
1.
占空比D = TP / T
2.
山顶TJ = P （ PK） * Z
thJA
+ T
A
1.E-02
1.E-05
1.E-04
1.E-03
1.E-02
TP （多个）
1.E-01
1.E+00
1.E+01
图11 - 总功率耗散
4
LD1010DA
图12 - 归热响应
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产品speci fi cation
订购信息
产品编号
LD1010DA
PN标记
LD1010DA
包
TO252 （ DPAK ）
注意事项：
本产品为无铅和有镀锡引线
包装和标识信息：
尺寸
DIM 。
A
A1
A2
b
b1
B2
C
C2
D
D1
E
e
H
L2
L3
L4
R
备用
D
L2
L3
H
mm.
典型值。分钟。
2.19
0.89
0.03
0.76
0.55
5.20
0.45
0.45
5.97
5.30
6.35
2.28
9.35
0.88
1.86
0.64
0.20
5.40
1.25
2.60
9.65
寸
马克斯。典型值。分钟。
2.40
0.086
1.14
0.035
0.13
0.001
1.14
0.030
0.90
0.022
5.46
0.205
0.60
0.017
0.58
0.017
6.22
0.235
0.208
6.73
0.250
0.090
10.42
0.368
1.27
0.035
3.57
0.073
1.02
0.025
0.008
5.60
1.75
2.80
9.75
0.213
0.049
0.102
0.380
马克斯。
0.094
0.045
0.005
0.045
0.035
0.215
0.023
0.023
0.245
0.265
0.410
0.050
0.140
0.040
E
E
B2
B2
L2
L2
A
C2
H
H
LD1010DA
LD1010DA
XXXXX
XXXX
DPAK
A2
L3
L3
R
L4
L4
D
D
e
e
b
b
b1
b1
A1
C
后视图
0.220
0.069
0.110
0.384
生命支持政策
LOVOLTECH的产品未被授权用于生命支持设备中的关键部件
或系统未经明确的书面许可， LOVOLTECH公司主席的具体如下：
1.生命支持设备或系统设备或其中（a）打算通过外科手术移植到体内的系统，或（b ）支持或
维持生命，和（c）未能履行其正确的使用按照标签规定的使用说明即可
可合理预期会导致在用户的显着的伤害。
2.在生命支持设备或系统，其不履行可以合理预期的任何组成部分的一个关键组成部分
造成生命支持设备或系统的故障，或者影响其安全性或有效性。
数据表标识
超前信息
初步
没有Identi网络所需的阳离子
产品状态
在定义或
设计
初始生产
在生产
德网络nition
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在稍后的日期出版。 Lovoltech ，公司保留权利作出任何变更的权利
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D1
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