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LDMOS射频功率晶体管50瓦, 800至1000兆赫, 26伏
LD0810-50
LD0810-50
初步规格
LDMOS RF功率晶体管
50瓦, 800-1000兆赫, 26V
特点
新的LDMOS技术
宽带AB类操作
特点是GSM TDMA的应用
黄金金属化系统的可靠性
卓越的热特性
-30dBc典型三阶IMD在46 dBm的
没有内部匹配
1
外形绘图
1, 2
.800 [20.32]
.562 [14.27]
2X .215 [5.46]
.235 [5.97]
2X
φ.130
[3.30]
.230 [5.84]
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
总功耗
储存温度
工作温度
结温
1.
符号
V
DS
V
GS
I
D
P
合计
T
英镑
T
OPR
T
j
等级
1
60
20
5.0
70
-65到+175
-40至+80
200
单位
V
V
A
W
°
C
°
C
°
C
来源
.235 [5.97]
.350 [8.89]
+ .0015 [0.04]
2X .0035 [0.09] - .0010 [0.03]
.158 [4.01] + .010 [0.25]
.080 [2.03]
初步零件满足55V规格。没有其他规格
系统蒸发散受到影响。
大信号器件阻抗
F(兆赫)
850
900
950
Z
IF
()
1.6 - j 1.5
1.6 - j 1.9
1.5 - j 2.3
1
注:(除非另有规定)
1.尺寸以英寸(毫米)
2.公差:英寸
±
0.005 “ (毫米± 0.13毫米)
Z
OF
()
2.3 + j 0.3
2.4 - j 0.2
2.5 - j 0.5
2
1. Z
IF
- 测得的阻抗寻找到的门侧
优化调整测试夹具。
2. Z
OF
- 阻抗测寻找到的漏端
优化调整测试夹具。
电气规格在+ 25°C
符号
BV
DSS
I
DSS
BV
GSS
V
GS ( ON)
G
M
R
DS ( ON)
P
G
P
IN
η
D
VSWR -T
R
TH (JC)
1.
参数
漏源击穿
漏源漏
栅源击穿
门“开”电压
现场电阻
功率增益
输入功率
漏EF网络效率
负载不匹配公差
热阻
测试条件
I
D
= 10.0毫安
V
DS
= 25 V
I
GS
= 1 μA ,V
DS
= 0.0 V
I
DS
= 300毫安, V
DS
= 10 V
I
DS
= 1000毫安, V
DS
= 10 V
I
DS
= 200毫安, V
DS
= 10 V
V
CC
= 26V ,P
O
= 50 W, F = 960 MHz时,我
DQ
= 400毫安
V
CC
= 26V ,P
O
= 50 W, F = 960 MHz时,我
DQ
= 400毫安
V
CC
= 26V ,P
O
= 50 W, F = 960 MHz时,我
DQ
= 400毫安
V
CC
= 26V ,P
O
= 50 W, F = 900 MHz时,我
DQ
= 400毫安
V
CC
= 26V ,P
O
= 50 W, F = 900 MHz时,我
DQ
= 400毫安
单位
V
mA
V
V
S
dB
W
%
° C / W
分钟。
1
60
20
2.5
0.5
11
50
最大
2.0
5.0
0.5
4.0
待定
待定
初步零件满足55V规格。没有其他的规格都受到影响。
V1.00
AMP公司的M / A- COM司
3
北美:电话。 ( 800 ) 366-2266 ,传真:( 800 ) 618-8883
3
亚洲/太平洋地区:电话: + 85 2 2111 8088 ,传真+85 2 2111 8087
3
欧洲:电话。 +44 ( 1344 ) 869 595传真:+ 44 ( 1344 ) 300 020
www.macom.com
AMP连接,并在更高层次上的商标。
初步的规格数据表中包含典型的电气规格可能改变之前最后的介绍。
LDMOS射频功率晶体管50瓦, 800至1000兆赫, 26伏
LD0810-50
典型性能曲线
输出功率和漏极效率与输入功率
80
70
60
增益(dB )
50
40
30
20
10
0
0
2
4
6
输入功率( W)
8
10
12
13.0
12.0
11.0
10.0
9.0
8.0
15.0
VDD = 26 V
F = 900兆赫
IDQ = 300
产量
16.0
15.0
14.0
输出功率( W)漏极效率( % )
增益与输出功率
20.0
25.0
30.0
35.0
40.0
45.0
50.0
输出功率(dBm )
典型的功率传输曲线
50.0
45.0
40.0
P
OUT
( dBm的)增益( dB)的
35.0
30.0
25.0
20.0
15.0
10.0
5.0
0.0
0.0
5.0
10.0
15.0
20.0
25.0
30.0
35.0
40.0
PIN ( DBM)
漏EF网络效率
100.0
VDD = 26V
F = 900兆赫
IDQ = 300毫安
90.0
输出功率
80.0
排水 FFI效率( % )
70.0
60.0
50.0
40.0
30.0
20.0
10.0
0.0
45.0
V1.00
AMP公司的M / A- COM司
3
北美:电话。 ( 800 ) 366-2266 ,传真:( 800 ) 618-8883
3
亚洲/太平洋地区:电话: + 85 2 2111 8088 ,传真+85 2 2111 8087
3
欧洲:电话。 +44 ( 1344 ) 869 595传真:+ 44 ( 1344 ) 300 020
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    LD0810-50
    -
    -
    -
    -
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联系人:林先生
地址:深圳市福田区华强北街道佳和潮流前线商场负一楼1A236
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电话:0755-83376489 83376282 83376549 83600718
联系人:销售部
地址:广东省深圳市深圳南山区科技园产学研楼706
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
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