LCP1521S/LCP152DEE
ASD （专用设备）
可编程瞬态电压抑制器SLIC保护
特点
■
■
■
■
■
■
■
双可编程瞬态抑制器
宽负点火电压范围：
V
MGL
= -150 V最大。
低动态切换电压：
V
FP
和V
DGL
低栅极触发电流：I
GT
= 5 mA最大
峰值脉冲电流：I
PP
= 30 A（ 10/1000微秒）
保持电流：我
H
= 150 mA（最小值）
低占用空间的封装
SO-8
LCP1521S
QFN 3x3的6引脚
LCP152DEE
订购代码
产品型号
LCP1521S
LCP1521SRL
LCP152DEERL
记号
CP152S
CP152S
LCP152
描述
这些设备都经过特别设计
以保护新的高电压，以及经典
SLIC组件，防止瞬态过电压。
正的过电压是由2个二极管钳位。
负浪涌是由2晶闸管抑制
它们的击穿电压以-V
BAT
通过栅极。
这些组件呈现出非常低的栅
触发电流（I
GT
）为了减少
电流消耗在印刷电路板
在焙烧阶段。
图1 。
LCP1521S功能图
TIP
1
TIP
门
GND
NC
GND
好处
TRISILs 不受老化，并提供一个
在短路的较好水平的故障安全模式
保护。 Trisils用于确保设备
符合各种标准，如UL60950 ，
IEC950 / CSA C22.2 ， UL1459及FCC第68部分。
Trisils具有UL94 V0批准的树脂（ Trisils是
UL497B批准的[文件： E136224 ] ） 。
环
环
图2中。
LCP152DEE功能图
TIP
TIP
门
GND
NC
环
环
TM ： TRISIL是意法半导体公司的商标。
2006年7月
第5版
1/11
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11
特征
LCP1521S/LCP152DEE
1
特征
表1中。
标准符合性
标准
PEAK
浪涌
电压
(V)
2500
1000
5000
1500
6000
1500
8000
15000
4000
2000
4000
2000
4000
4000
1500
800
1000
电压
波形
2/10 s
10/1000 s
2/10 s
2/10 s
10/700 s
1/60纳秒
10/700 s
1.2/50 s
10/700 s
1.2/50 s
10/160 s
10/560 s
9/720 s
需要
PEAK
当前
(A)
500
100
500
100
150
37.5
当前
波形
2/10 s
10/1000 s
2/10 s
2/10 s
5/310 s
最低的串行
电阻器，以满足
标准值（Ω）
12
24
24
0
110
0
0
0
60
10
0
0
60
0
22.5
15
0
GR -1089核心第一级
GR -1089核心
二级
GR -1089核心
内部建设
ITU-T-K20/K21
ITU -T - K20 （ IEC 61000-4-2 ）
VDE0433
VDE0878
IEC61000-4-5
FCC第68部分，
雷击浪涌A型
FCC第68部分，
雷击浪涌B型
ESD接触放电
ESD空气放电
100
50
100
50
100
100
200
100
25
5/310 s
1/20 s
5/310 s
8/20 s
10/160 s
10/560 s
5/320 s
表2中。
符号
R
号（j -a）的
热阻
参数
结到环境
SO-8
QFN
价值
120
140
单位
° C / W
2/11
特征
表6 。
符号
V
F
V
FP(1)
1.
LCP1521S/LCP152DEE
相关的二极管线/接地参数（T
AMB
= 25° C)
测试条件
I
F
= 5A
10/700 s
1.2/50 s
2/10 s
1.5千伏
1.5千伏
2.5千伏
T = 500微秒
R
S
= 10
R
S
= 10
R
S
= 62
最大
3
5
9
30
单位
V
V
见测试电路V
FP
（图
4.):
R
S
为保护电阻位于线卡上。
表7中。
符号
I
GT
I
H
V
GT
I
RG
与保护晶闸管参数（T
AMB
= 25 ° C，除非
另有规定）
测试条件
V
GND / LINE
= -48 V
V
门
= -48 V
(1)
在我
GT
V
RG
= -150 V
V
RG
= -150 V
V
门
= -48 V
(2)
R
S
= 10
R
S
= 10
R
S
= 62
T
j
= 25° C
T
j
= 85° C
典型值
0.1
150
2.5
5
50
最大
5
单位
mA
mA
V
A
V
DGL
10/700 s
1.2/50 s
2/10 s
1.5千伏
1.5千伏
2.5千伏
I
PP
= 30 A
I
PP
= 30 A
I
PP
= 38 A
7
10
25
V
1.
2.
看功能保持电流（I
H
）测试电路
见测试电路V
DG
用的持续时间超过50ns的低振荡不考虑。
表8 。
符号
I
RM
C
相关的二极管和晶闸管保护参数（环境温度Tamb = 25°C ，
除非另有规定编）
测试条件
V
GATE / LINE
= -1 V
VG
ATE / LINE
= -1 V
V
RM
= -150 V
V
RM
= -150 V
T
j
= 25° C
T
j
= 85° C
15
35
典型值
最大
5
50
单位
A
pF
V
R
= 50 V偏置，V
RMS
= 1 V ， F = 1兆赫
V
R
= 2 V偏压，V
RMS
= 1 V ， F = 1兆赫
4/11
LCP1521S/LCP152DEE
网络连接gure 3 。
特征
功能HOLDING电流（I
H
）测试电路： GO -NO GO测试
R
浪涌发生器
V
BAT
= - 100V
D.U.T
这是一个GO -NO GO测试，其允许确认的保持电流（I
H
）水平在功能测试电路。
测试步骤：
- 调节电流水平在我
H
值由短路的D.U.T.
- 消防的D.U.T.有浪涌电流：I
PP
= 10A ， 10 / 1000μs
- 该D.U.T.会回来的关断状态的50ms的最大持续时间内。
图4中。
测试电路V
FP
和V
DGL
参数
（Ⅴ是在卸载情况下的定义）
P
R
4
TIP
R
2
环
R
3
L
V
P
C
1
R
1
C
2
摹ND
脉冲（微秒）
t
r
10
1.2
2
t
p
700
50
10
V
p
(V)
1500
1500
2500
C
1
(F)
20
1
10
C
2
（ NF）
200
33
0
L
(H)
0
0
1.1
R
1
(
)
R
2
(
)
R
3
(
)
R
4
(
)
I
PP
(A)
30
30
38
R
s
(
)
50
76
1.3
15
13
0
25
25
3
25
25
3
10
10
62
5/11
QQ：2881677436 复制
