LCP1511D
可编程瞬态电压
抑制器SLIC保护
专用分立器件
A.S.D.
特点
n
n
n
n
n
n
两个可编程瞬态SUP-
性升压。
WIDE负着火电压范围:
V
MGL
= -80V最大。
低动态切换电压:
V
FP
和V
DGL
.
低门极触发电流:
I
GT
= 5毫安最大。
峰值脉冲电流:
I
PP
= 30A 10 / 1000μs激增。
维持电流:
I
H
= 150mA电流。
描述
该器件特别设计,以亲
TECT用户线路接口卡( SLIC )反对
瞬态过电压。
正过载被剪切带2个二极管。 Neg-
ative浪涌是由2晶闸管抑制,其
击穿电压以
-V
BAT
通过栅极。
该组件提供了一个非常低的栅极
trigge环电流(I
GT
)为了减少电流
在租在印刷电路板的消耗
发射阶段。
一个特别的关注已被提供给内部
引线接合。在“ 4点”配置保证
可靠的保护,消除了过电压IN-
通过布线的寄生电感troduced
(的Ldi / dt的) ,特别是对于非常快速的瞬态。
符合下列标准
CCITT K20 :
VDE 0433 :
VDE 0878 :
I3124 :
FCC第68部分:
10/700s
5/310s
10/700s
5/310s
1.2/50s
1/20s
0.5/700s
0.2/310s
2/10s
2/10s
1kV
25A
2kV
38A (*)
1.5kV
40A
1kV
25A
2.5kV
170A (*)
2.5kV
170A (*)
SO-8
原理图
TIP 1
门2
NC 3
环4
8 TIP
7 GND
6 GND
5环
Bellcore实验室
TR- NWT- 001089 :
2/10s
2/10s
( * )与串联电阻或PTC 。
2003年10月 - 埃德: 4
TM : ASD是意法半导体公司的商标。
1/7
LCP1511D
1 - 与二极管LINE / GND参数
(T
AMB
= 25 °C)
符号
V
F
V
FP
I
F
=5A
10/700s
1.2/50s
2/10s
测试条件
t
p
=500s
1.5kV
1.5kV
2.5kV
R
p
=10
R
p
=10
R
p
=62
(见注1 )
最大
3
5
7
12
单位
V
V
注1 :
见测试电路2 V
FP
; R
p
为保护电阻位于线卡上。
2 - 与保护晶闸管参数
(T
AMB
= 25°C)
对称
BOL
I
GT
I
H
V
GT
I
RG
V
DGL
V
GND / LINE
= -48V
V
门
= -48V (见注2 )
在我
GT
T
c
=25°C
T
c
=70°C
V
RG
=-75V
V
RG
=-75V
I
PP
=30A
I
PP
=30A
I
PP
=38A
测试条件
分钟。
0.2
150
2.5
5
50
10
20
25
马克斯。
5
单位
mA
mA
V
A
VGATE = -48V (见注3 )
10 / 1.5KV为700μs
Rp=10
1.2 / 50μs的1.5KV
Rp=10
2/10s
2.5kV
Rp=62
参见功能保持电流(I
H
)测试电路2 。
V
注2 :
3 - 与二极管和晶闸管保护参数
(T
AMB
= 25 °C)
对称
BOL
I
RM
T
c
=25°C
T
c
=70°C
测试条件
V
GATE / LINE
= -1V
V
GATE / LINE
= -1V
V
RM
=-75V
V
RM
=-75V
最大
5
50
单位
A
应用说明
TIP
1
IN
OUT
8
TIP
门
2
7
GND
为了把“ 4点”结构优势
在LCP中,在端线和环线穿越去
装置。在这种情况下,装置将消除
过电压的寄生电感产生的
布线( Ldi上/ dt的)的可用距离,尤其是对于非常快
瞬变。
NC
3
6
环
4
IN
OUT
5
环
3/7
LCP1511D
功能HOLDING电流(I
H
)测试电路1 : GO -NO GO测试
R
P
.T
.U .
V
BAT
=
-
48V
浪涌
发电机
这是一个GO -NO GO测试,其允许确认的保持电流(I
H
)水平在功能测试电路。
测试步骤:
- 调节电流水平在我
H
值由短路的D.U.T.
- 消防的D.U.T.有浪涌电流:I
PP
= 10A , 10 / 1000μs 。
- 该D.U.T.会回来的关断状态的50ms的最大持续时间内。
测试电路2 V
FP
和V
DGL
参数
(Ⅴ是在卸载情况下的定义)
P
R
4
TIP
R
2
环
R
3
L
V
P
C
1
R
1
C
2
摹ND
脉冲(微秒)
t
r
10
1.2
2
t
p
700
50
10
V
p
(V)
1500
1500
2500
C
1
(F)
20
1
10
C
2
( NF)
200
33
0
L
(H)
0
0
1.1
R
1
()
50
76
1.3
R
2
()
15
13
0
R
3
()
25
25
3
R
4
()
25
25
3
I
PP
(A)
30
30
38
R
p
()
10
10
62
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LCP1511D
可编程瞬态电压
抑制器SLIC保护
专用分立器件
A.S.D.
特点
n
n
n
n
n
n
两个可编程瞬态SUP-
性升压。
WIDE负着火电压范围:
V
MGL
= -80V最大。
低动态切换电压:
V
FP
和V
DGL
.
低门极触发电流:
I
GT
= 5毫安最大。
峰值脉冲电流:
I
PP
= 30A 10 / 1000μs激增。
维持电流:
I
H
= 150mA电流。
描述
该器件特别设计,以亲
TECT用户线路接口卡( SLIC )反对
瞬态过电压。
正过载被剪切带2个二极管。 Neg-
ative浪涌是由2晶闸管抑制,其
击穿电压以
-V
BAT
通过栅极。
该组件提供了一个非常低的栅极
trigge环电流(I
GT
)为了减少电流
在租在印刷电路板的消耗
发射阶段。
一个特别的关注已被提供给内部
引线接合。在“ 4点”配置保证
可靠的保护,消除了过电压IN-
通过布线的寄生电感troduced
(的Ldi / dt的) ,特别是对于非常快速的瞬态。
SO-8
原理图
符合下列标准
CCITT K20 :
VDE 0433 :
O
VDE 0878 :
I3124 :
FCC第68部分:
so
b
te
le
10/700s
5/310s
10/700s
5/310s
1.2/50s
1/20s
0.5/700s
0.2/310s
2/10s
2/10s
ro
P
uc
d
s)
t(
so
b
-O
P
te
le
od
r
s)
t(
uc
TIP 1
8 TIP
7 GND
6 GND
5环
门2
NC 3
环4
1kV
25A
2kV
38A (*)
1.5kV
40A
1kV
25A
2.5kV
170A (*)
2.5kV
170A (*)
TM : ASD是意法半导体公司的商标。
Bellcore实验室
TR- NWT- 001089 :
2/10s
2/10s
( * )与串联电阻或PTC 。
2003年10月 - 埃德: 4
1/7
LCP1511D
1 - 与二极管LINE / GND参数
(T
AMB
= 25 °C)
符号
V
F
V
FP
I
F
=5A
10/700s
1.2/50s
2/10s
测试条件
t
p
=500s
1.5kV
1.5kV
2.5kV
R
p
=10
R
p
=10
R
p
=62
(见注1 )
最大
3
5
7
12
单位
V
V
注1 :
见测试电路2 V
FP
; R
p
为保护电阻位于线卡上。
2 - 与保护晶闸管参数
(T
AMB
= 25°C)
对称
BOL
I
GT
I
H
V
GT
I
RG
V
DGL
V
GND / LINE
= -48V
V
门
= -48V (见注2 )
在我
GT
T
c
=25°C
T
c
=70°C
V
RG
=-75V
V
RG
=-75V
I
PP
=30A
I
PP
=30A
I
PP
=38A
测试条件
分钟。
0.2
150
马克斯。
5
单位
mA
mA
V
A
2.5
VGATE = -48V (见注3 )
10 / 1.5KV为700μs
Rp=10
1.2 / 50μs的1.5KV
Rp=10
2/10s
2.5kV
Rp=62
参见功能保持电流(I
H
)测试电路2 。
注2 :
3 - 与二极管和晶闸管保护参数
(T
AMB
= 25 °C)
对称
BOL
I
RM
T
c
=25°C
T
c
=70°C
应用说明
O
so
b
te
le
IN
ro
P
V
GATE / LINE
= -1V
V
GATE / LINE
= -1V
uc
d
测试条件
V
RM
=-75V
V
RM
=-75V
s)
t(
so
b
-O
P
te
le
od
r
s)
t(
uc
5
50
10
20
25
V
最大
5
50
单位
A
TIP
1
OUT
8
TIP
门
2
7
GND
为了把“ 4点”结构优势
在LCP中,在端线和环线穿越去
装置。在这种情况下,装置将消除
过电压的寄生电感产生的
布线( Ldi上/ dt的)的可用距离,尤其是对于非常快
瞬变。
NC
3
6
环
4
IN
OUT
5
环
3/7
LCP1511D
功能HOLDING电流(I
H
)测试电路1 : GO -NO GO测试
R
P
.T
.U .
V
BAT
=
-
48V
浪涌
发电机
这是一个GO -NO GO测试,其允许确认的保持电流(I
H
)水平在功能测试电路。
测试步骤:
- 调节电流水平在我
H
值由短路的D.U.T.
- 消防的D.U.T.有浪涌电流:I
PP
= 10A , 10 / 1000μs 。
- 该D.U.T.会回来的关断状态的50ms的最大持续时间内。
测试电路2 V
FP
和V
DGL
参数
(Ⅴ是在卸载情况下的定义)
P
L
V
P
C
1
O
so
b
t
r
10
1.2
2
te
le
t
p
700
50
10
ro
P
V
p
(V)
uc
d
s)
t(
so
b
-O
R
2
R
1
P
te
le
C
2
od
r
s)
t(
uc
TIP
环
R
4
R
3
摹ND
脉冲(微秒)
C
1
(F)
20
1
10
C
2
( NF)
200
33
0
L
(H)
0
0
1.1
R
1
()
50
76
1.3
R
2
()
15
13
0
R
3
()
25
25
3
R
4
()
25
25
3
I
PP
(A)
30
30
38
R
p
()
10
10
62
1500
1500
2500
4/7