飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN微波功率晶体管
特点
扩散发射极镇流电阻器
自对准工艺完全离子注入和黄金
金属化
最适温度曲线
优异的性能和可靠性。
应用
共发射极的A类线性功率放大器起来
至4 GHz的。
针
1
2
3
4
描述
LBE2003S;
LBE2009S ; LCE2009S
该LBE2003S和LBE2009S是NPN硅平面
外延微波功率晶体管在一个SOT441A金属
陶瓷无钉防滑package.The LCE2009S是
在SOT442A金属陶瓷主导的维护类型
封装。
钉扎
描述
集热器
辐射源
BASE
辐射源
手册， halfpage
4
手册， halfpage
4
c
3
1
3
c
b
e
2
顶视图
标识代码：
LCE2009S = 408 。
MAM330
b
e
2
1
顶视图
MAM329
标识代码：
LBE2003S = 407 ; LBE2009S = 409 。
Fig.1简化外形和符号（ SOT441A ） 。
图2简化的外形和符号（ SOT442A ） 。
快速参考数据
微波性能达至T
mb
= 25
°C
在共发射极的A类放大器呃。
类型编号
LBE2003S
LBE2009S
LCE2009S
的模式
手术
A级（ CW ）的线性
A级（ CW ）的线性
f
（千兆赫）
2
2
V
CE
(V)
18
18
I
C
（MA ）
30
110
P
L1
（ mW）的
≥200
≥700
G
po
（ dB）的
≥10
≥9
Z
i
()
6.2 + j30
7.5 + j15
Z
L
()
17.5 + j7
17.5 + j39
警告
产品和环境安全 - 有毒物质
本品含有氧化铍。该产品是完全安全的前提是BeO的光盘不被损坏。
所有的人谁处理，使用或处置该产品应该知道它的性质和必要的安全
预防措施。使用后，可根据应用的位置法规处置化学废物或特殊废物
该用户。它绝不能抛出与一般的或生活垃圾。
LCE2009S是一个维护型 - 不推荐用于新的设计; SEE SC15指数部分
1997年3月03
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN微波功率晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
V
CER
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
LBE2003S
LBE2009S ; LCE2009S
V
首席执行官
V
EBO
I
C
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
LBE2003S
LBE2009S ; LCE2009S
P
合计
总功耗
LBE2003S
LBE2009S ; LCE2009S
T
英镑
T
j
T
SLD
储存温度
工作结温
焊接温度
T
mb
≤
75
°C
R
BE
= 220
R
BE
= 100
开基
集电极开路
条件
发射极开路
LBE2003S ; LBE2009S ;
LCE2009S
分钟。
马克斯。
40
V
V
V
V
V
单位
65
35
35
16
3
90
250
1.4
3.5
+150
200
235
mA
mA
W
W
°C
°C
°C
0.3毫米的情况下; t为10秒
10
2
手册， halfpage
MGD996
手册， halfpage
2
MGD989
IC
（MA ）
P合计
(W)
1.5
(1)
(2)
(3)
10
1
0.5
1
10
15
20
30
40
60
100
VCE （ V）
0
50
0
50
100
150
200
TMB （
o
C)
T
mb
≤
75
°C.
（ 1）区允许的直流操作。
（ 2 ）允许的扩展提供
BE
≤
220
.
（3）第二次击穿极限（与温度无关） 。
Fig.4
图3 DC SOAR ; LBE2003S 。
功耗降额的函数
安装底座的温度; LBE2003S 。
LCE2009S是一个维护型 - 不推荐用于新的设计; SEE SC15指数部分
1997年3月03
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN微波功率晶体管
LBE2003S ; LBE2009S ;
LCE2009S
手册， halfpage
10
3
MGD990
手册， halfpage
4
MGD991
IC
（MA ）
10
2
(3)
P合计
(W)
3
2
(1)
(2)
10
1
1
10
20
40
VCE （ V）
10
2
0
50
0
50
100
200
150
TMB （
o
C)
T
mb
≤
75
°C.
（ 1）区允许的直流操作。
（ 2 ）允许的扩展提供
BE
≤
100
.
（3）第二次击穿极限（温度的独立的） 。
Fig.6
Fig.5
DC SOAR ; LBE2009S ， LCE2009S
功耗降额作为函数
的安装基温;
LBE2009S ， LCE2009S 。
热特性
符号
R
日J- MB
LBE2003S
LBE2009S ; LCE2009S
R
日MB -H
记
1.请参阅“安装
在SC15手册的通用部分“的建议。
从安装基热阻到散热器
T
j
= 75
°C;
注1
参数
结点的热阻在安装基
条件
T
j
= 75
°C;
注1
65
36
1.5
K / W
K / W
K / W
马克斯。
单位
LCE2009S是一个维护型 - 不推荐用于新的设计; SEE SC15指数部分
1997年3月03
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN微波功率晶体管
特征
T
mb
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
CBO
参数
集电极截止电流
集电极截止电流
LBE2003S
LBE2009S ; LCE2009S
I
CER
集电极截止电流
LBE2003S
LBE2009S ; LCE2009S
I
EBO
发射极截止电流
LBE2003S
LBE2009S ; LCE2009S
h
FE
C
cb
直流电流增益
集电极 - 基极电容
LBE2003S
LBE2009S ; LCE2009S
C
ce
集电极 - 发射极电容
LBE2003S
LBE2009S ; LCE2009S
C
eb
发射极 - 基极电容
LBE2003S
LBE2009S ; LCE2009S
V
CB
= 10 V; V
EB
= 1 V;
I
E
= I
C
= 0; F = 1 MHz的
V
CE
= 18 V; V
EB
= 1.5 V;
I
E
= I
C
= 0; F = 1 MHz的
V
CE
= 5 V ;我
C
= 30毫安
V
CE
= 5 V ;我
C
= 110毫安
V
CB
= 18 V; V
EB
= 1.5 V;
I
E
= I
C
= 0; F = 1 MHz的
V
CB
= 35 V ;
BE
= 220
V
CB
= 35 V ;
BE
= 100
V
EB
= 1.5 V ;我
C
= 0
15
15
条件
V
CB
= 20V;我
E
= 0
V
CB
= 40 V ;我
E
= 0
分钟。
LBE2003S ; LBE2009S ;
LCE2009S
典型值。
马克斯。
0.1
150
250
500
1000
0.05
0.2
150
150
单位
A
A
A
A
A
A
A
0.3
0.6
pF
pF
0.45
0.6
pF
pF
1.7
3.3
pF
pF
LCE2009S是一个维护型 - 不推荐用于新的设计; SEE SC15指数部分
1997年3月03
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