订购数量： EN * 5240
CMOS LSI
LC895124
带有片上SCSI接口和CD - ROM驱动器
子码功能
初步
概观
该LC895124是下一代版本
LC89512并且是一个CD -ROM解码器，它包括一个SCSI
支持高速传输接口（ 10 MB /秒）
的FAST SCSI标准。
高速传输模式支持10 MB /秒
使用（同步）传输速率
×8
80纳秒的DRAM
子码ECC功能
注：1。速度可达8倍速，使用SCSI主
20MHz的时钟频率。
注意：
2.速度高达4倍速，使用SCSI主
的16.9344兆赫的时钟频率。
功能
CD - ROM ECC功能，子码读取功能， SCSI
接口
包装尺寸
单位：mm
3214-SQFP144
[LC895124]
特点
片上的SCSI接口（带内置SCAM选择
注册）
支持8 ×播放 - 使用
×16
80纳秒的DRAM
支持4 ×播放 - 使用
×16
80 ns的DRAM或
×8
70纳秒的DRAM
传输速率： 10 MB /秒（同步） ， 5 MB /秒
（异步）使用
×16
80纳秒的DRAM
*1
传输速率： 8.467 MB /秒（同步） ， 4.2336 MB /秒
（异步）使用
×8
70纳秒的DRAM
*2
PSRAM可以使用，提供5 MB / s的传输中
同步模式和5 MB / s的传输
异步模式。
支持高达32 MB的RAM缓冲区连接
（使用DRAM ） （最多时， PSRAM采用2 MB）
用户可以自由设定的CD主渠道， C2标志，
和其他领域的缓冲RAM 。
批量传送功能（传送CD主渠道
在单次操作和C2标志数据）
多块传输功能（自动传送
在一个操作中的多个块）
三洋： SQFP144
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在V
SS
= 0 V
参数
最大电源电压
I / O电压
允许功耗
工作温度
储存温度
焊接热电阻（仅销）
符号
V
DD
最大
V
I
, V
O
钯最大
TOPR
TSTG
10秒
TA = 25°C
TA = 25°C
Ta
≤
70°C
条件
评级
-0.3到+7.0
-0.3到V
DD
+ 0.3
450
-30至+70
-55到+125
260
单位
V
V
mW
°C
°C
°C
三洋电机有限公司。半导体公司经营业务总部
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-0005 JAPAN
22896HA （ OT ）第5240-1 / 8
LC895124
允许的工作范围
在Ta = -30 + 70 ° C，V
SS
= 0 V
参数
电源电压
输入电压范围
符号
V
DD
V
IN
条件
民
4.5
0
典型值
5.0
最大
5.5
V
DD
单位
V
V
DC特性
在V
SS
= 0 V, V
DD
= 4.5 5.5 V ，TA = -30至+ 70°C
参数
输入高电平电压
输入低电平电压
输入高电平电压
输入低电平电压
输入高电平电压
输入低电平电压
输出高电平电压
输出低电平电压
输出低电平电压
输出低电平电压
输入漏电流
上拉电阻
符号
V
IH
1
V
IL
1
V
IH
2
V
IL
2
V
IH
3
V
IL
3
V
OH
1
V
OL
1
V
OL
2
V
OL
3
I
L
R
UP
适用销
所有输入引脚比（1） ，（3） ，和XTALCK其他
RESET ， IO0到IO15 ， D0至D7 ， RD ， CS ， WR ， WFCK ，
SBSO ， SCOR （1）
输入引脚（ 3 ） ，ACK和ATN
I
OH
1 = -2 mA的：所有输出引脚除外（ 2 ） ， （ 3 ） ，
和XTALCK ， IO0到IO15和D0至D7
I
OL
1 = 2 MA：所有输出引脚除外（ 2 ） ， （ 3 ） ，
和XTALCK ， IO0到IO15和D0至D7
I
OL
2 = MA： INT1 ， INT0和ZSWAIT
（漏极开路输出，上拉电阻） （ 2 ）
I
OL
3 = 48 MA： DB0 ，到DB7 ， DBP ， BSY ， I / O ，味精，
SEL ， RST ， REQ ，C / D （ 3 ）
V
I
= V
SS
, V
DD
：所有输入引脚
IO0至IO15 ， D0至D7 ， INT0 ， INT1 ， ZSWAIT
–25
40
80
民
2.2
0.8
2.5
0.6
2.0
0.8
2.4
0.4
0.4
0.4
+25
160
典型值
最大
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
k
注意：子码相关的引脚组（1）中未提供的LC895124 。
SCSI引脚输入特性
参数
输入阈值电压
滞后幅度
符号
V
t + t1
V
t – t1
V
tt1
V
DD
= 4.5 5.5 V
V
DD
= 5.0 V
条件
民
典型值
1.60
0.80
0.41
1.11
0.49
最大
2.00
单位
V
V
V
申请推荐的振荡器电路
R1 = 120 kΩ的
R2 = 47
C1 = 30 pF的
晶体振荡器频率： XTALCK0 = 16.9344 MHz和XTALCK1 = 20 MHz的
或：
R1 = 3.3千欧
R2 =无
C1 = 5 pF的
晶体振荡器频率： XTALCK0 = 33.8688 MHz的
如果三次谐波泛音使用33.8688 MHz的频率与时出现
推荐电路示例，请与晶体的制造商
元件，因为电路常数的详细值将被影响
印刷电路板。
第5240-2 / 8
LC895124
框图
注： 1 BCK ， SDATA ， LRCK ， C2PO
2. DB0到DB7 ， DBP ， BSY ，味精， SEL ， RST ， REQ ， I / O，C / D
3. ACK ， ATN
4. ZRD ， ZWR ， SUA0到SUA6 ， ZCS ， CSCTRL
5. D0到D7
6. IO0到IO15
7. RA0到RA16 ， ZRAS0 ， ZRAS1 ， ZCAS0 ， ZCAS1 ， ZOE ， ZUWE ， ZLWE
注意： IO8到IO15和RA9至RA16是相同的管脚。
子码引脚连接到CD -DSP或V
SS
.
第5240-3 / 8
LC895124
引脚功能
类型：I ：输入脚，O：输出引脚，B ：双向引脚，P ：电源引脚， NC ：无连接引脚
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
注： 1 。
2.
3.
4.
符号
V
SS0
V
SS0
V
SS0
V
SS0
ZRAS0
ZRAS1
ZCAS0
ZCAS1
佐伊
ZUWE
ZLWE
V
SS0
RA0
RA1
RA2
RA3
RA4
V
DD
V
SS0
RA5
RA6
RA7
RA8
RA9 （ IO15 ）
RA10 （ IO14 ）
RA11 （ IO13 ）
RA12 （ IO12 ）
V
SS0
RA13 （ IO11 ）
RA14 （ IO10 ）
RA15 （ IO9 ）
RA16 （ IO8 ）
IO7
IO6
IO5
V
SS0
V
DD
IO4
IO3
IO2
IO1
IO0
V
SS0
XTALCK0
XTAL0
V
DD
MCK
TEST0
TEST1
TEST2
TYPE
P
P
P
P
O
O
O
O
O
O
O
P
O
O
O
O
O
P
P
O
O
O
O
B
B
B
B
P
B
B
B
B
B
B
B
P
P
B
B
B
B
B
P
I
O
P
O
I
I
I
测试针。必须将这些引脚连接到V
SS0
.
输出XTALCK0频率或该频率除以2 。
晶体振荡器输入
晶体振荡器的输出
地址输出给缓冲器RAM或数据I / O引脚
该引脚电路包括上拉电阻。
缓冲区RAM中的数据I / O。销电路包括上拉电阻。
地址输出给缓冲器RAM或数据I / O引脚
该引脚电路包括上拉电阻。
地址输出给缓冲器RAM或数据I / O引脚
该引脚电路包括上拉电阻。
缓冲区RAM的地址信号输出
缓冲区RAM的地址信号输出
缓冲RAM RAS信号输出引脚0 （正常情况下，引脚0时）
缓冲RAM RAS信号输出端子1
缓冲RAM CAS信号输出引脚0 （正常情况下，引脚0时）
缓冲RAM CAS信号输出引脚1
缓冲RAM输出使能
缓冲RAM上写使能
缓冲RAM低写使能
功能
NC引脚必须悬空。不要任何信号连接到这些引脚。
开头以Z引脚名称是负逻辑信号。
V
SS0
是逻辑系统接地和V
SS1
是SCSI接口地面。
使用DRAM的应用程序必须插入到CAS和RAS线电阻器，这些连接线与地之间的电容，并采取
其他必要的措施，防止冲在DRAM相关的电路。
5.由于这些电路包括缓冲区沉48毫安，必须应用适当的噪声防治措施。
接下页。
第5240-4 / 8
LC895124
从接下页。
类型：I ：输入脚，O：输出引脚，B ：双向引脚，P ：电源引脚， NC ：无连接引脚
PIN号
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
注： 1 。
2.
3.
4.
DB0
V
SS1
DB1
DB2
V
SS1
DB3
V
DD
V
SS1
符号
TEST3
TEST4
ZRESET
V
DD
V
SS0
CSCTRL
X1EN
XTALCK1
XTAL1
ZSWAIT
V
DD
V
SS0
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
ZRD
V
SS0
V
DD
ZWR
ZCS
SUA0
SUA1
SUA2
SUA3
SUA4
SUA5
SUA6
ZINT0
ZINT1
TYPE
I
I
I
P
P
I
I
I
O
O
P
P
B
B
B
B
B
B
B
B
I
P
P
I
I
I
I
I
I
I
I
I
O
O
NC
NC
NC
NC
NC
P
P
NC
NC
NC
B
P
B
B
P
B
SCSI连接
SCSI连接
SCSI连接
中断请求输出到微控制器（ ECC侧，设置了登记。 ）
中断请求输出到微控制器（ SCSI侧，设置了登记。 ）
从microcontoller寄存器片选信号
单片机写入数据信号输入
输入来自微控制器的寄存器片选信号
单片机的数据读取信号输入
单片机的数据信号
选择高电平或低电平有效的微控制器CS逻辑。
选择引脚必须置1时XTALCK1被使用。
SCSI块振荡电路的输入。通过X1EN选定。
SCSI块振荡电路的输出。
等待信号输出到微控制器
测试针。必须将这些引脚连接到V
SS0
.
LSI复位。该LSI是复位为0的输入。
功能
NC引脚必须悬空。不要任何信号连接到这些引脚。
开头以Z引脚名称是负逻辑信号。
V
SS0
是逻辑系统接地和V
SS1
是SCSI接口地面。
使用DRAM的应用程序必须插入到CAS和RAS线电阻器，这些连接线与地之间的电容，并采取
其他必要的措施，防止冲在DRAM相关的电路。
5.由于这些电路包括缓冲区沉48毫安，必须应用适当的噪声防治措施。
接下页。
第5240-5 / 8
QQ：2880707522 复制
