订购数量： ENN4212A
CMOS IC
LC86P6032
8位单片机
与一次性PROM
概观
该LC86P6032微控制器，新增加的LC866000系列，是一款8位单芯片CMOS微控制器
一次性PROM 。此微控制器具有相同的功能和引脚分配作为用于LC866000系列掩膜ROM
版本，和一个32K字节的PROM中。
特点
（ 1）选项切换使用PROM数据
可以使用PROM的数据被指定的LC866000系列的可选功能。
试用产品的功能可以使用大规模生产委员会进行评估。
（ 2 ）内部一次性PROM容量
： 32768字节
（ 3 ）内部RAM容量
:
512个字节
掩模ROM版
LC866032
LC866028
LC866024
LC866020
LC866016
LC866012
LC866008
PROM容量
32512字节
28672字节
24576 BYTES
20480字节
16384字节
12288字节
8192字节
RAM容量
512个字节
512个字节
512个字节
384个字节
384个字节
384个字节
384个字节
（ 4 ）工作电源电压
： 4.5V至6.0V
（ 5 ）指令周期时间
： 0.98μs至400μS
（ 6 ）工作温度范围
： -30C至+ 70C
（ 7 ）引脚和封装与掩膜ROM版本不兼容
（ 8 ）适用掩膜ROM版本
： LC866032 / LC866028 / LC866024 / LC866020 / LC866016 / LC866012
/LC866008
（ 9 ）出厂
： DIP64S
： QFP64E
编程服务
我们提供的名义收费的各种服务。这些措施包括ROM写入， ROM读取，以及包装和冲压
筛查。请联系我们当地的代表，以获取更多信息。
Ver.1.02G
31293
91400 RM （ IM ） TW No.4212-1 / 22
LC86P6032
对于使用注意事项
使用时，请注意以下的。
（1） LC86P6032和LC866000系列之间的差异
项
在复位端口状态
释放后的操作
RESET
LC86P6032
LC866032/28/24/20/16/12/08
请参阅“端口状态在复位”下页。
在位于00H执行程序中指定度的选项
3ms的施加“H”电平后，立即施加一个“H”电平的复位后
引脚。
RESET引脚。
位于00H的程序
执行。
下拉电阻
下拉电阻：提供/不提供
未提供
该选项指定
提供（固定）
提供（固定）
提供（固定）
该选项指定
未提供
该选项指定
4.5V至6.0V
2.5V至6.0V
是指在半导体新闻“电气特性” 。
段的输出方式
S0 / T0到S6 / T6
S7 / T7至S15 / T15
S16到S23
S24到S29
工作电源
电压范围（VDD）的
功耗
LC86P6032使用，作为选项被寻址上7F00H到7FFFH在程序存储器的256字节
配置数据区。此选项的配置不能执行该LC866000系列拥有所有的选项。下一个
表显示，对应与不对应于LC86P6032的选项。
LC86P6032选项
选项
的输入/输出端口配置
销，电路
端口0
（可用于指定
每个位。 ）
端口1
（可用于指定
每个位。 ）
口7上拉MOS晶体管
7港
（可用于指定
每个位。 ）
选项设置
1.输入：无拉MOS晶体管
输出：N沟道开漏
2.输入：上拉MOS晶体管
输出： CMOS
1.输入：可编程的上拉MOS晶体管
输出：N沟道开漏
2.输入：可编程的上拉MOS晶体管
输出： CMOS
不提供1拉MOS晶体管。
2.拉MOS晶体管提供。
A类选项不对应LC86P6032
选项
高下拉电阻
耐压输出
终奌站
销，电路
S0 / T0到S6 / T6
S16到S23
S24到S29
（中位指定）
LC86P6032
未提供
提供（固定）
未提供
LC866032/28/24/20/16/12/08
该选项指定
该选项指定
该选项指定
有关选项的端口操作是不同的复位。请参考下表。
No.4212-2/22
LC86P6032
端口复位配置
针
P0
选项设置
输入：无拉MOS晶体管
输出：N沟道开漏
输入：上拉MOS晶体管
输出： CMOS
LC86P6032
（同为掩膜版）
输入模式
上拉MOS晶体管
复位或几个过程中不存在
HUNDRED
微秒
后
复位解除。其后，将
拉MOS晶体管的存在。
（输出为OFF）
（同为掩膜版）
LC866032/28/24/20/16/12/08
无上拉输入模式
MOS晶体管（输出为OFF）
输入模式上拉MOS
晶体管（输出为OFF）
P1
P7
输入：可编程的上拉MOS
晶体管
输出：N沟道开漏
输入：可编程的上拉MOS
晶体管
输出： CMOS
拉MOS晶体管不
提供
拉MOS晶体管提供
无上拉输入模式
MOS晶体管（输出为OFF）
无上拉输入模式
MOS晶体管（输出为OFF）
无上拉输入模式
MOS晶体管
输入模式上拉MOS
晶体管
（同为掩膜版）
（同为掩膜版）
输入模式
上拉MOS晶体管
复位或几个过程中不存在
HUNDRED
微秒
后
复位解除。其后，将
拉MOS晶体管的存在。
（ 2）选项
选项数据由指定的程序选项“ SU866000.EXE ”创建。所创建的选项数据被链接到
项目区的联动装载机“ L866000.EXE ” 。
（3） ROM空间
LC86P6032和LC866000系列使用的是针对于07F00H到07FFFH在程序存储器256个字节
选项指定数据区。这些程序的内存容量是是针对在0000H到7EFFH 32512字节。
选择数据
7FFFH
7F00H区256个字节
7EFFH
6FFFH
5FFFH
4FFFH
3FFFH
2FFFH
1FFFH
0000H
32K
LC866032
LC86P6032
28K
LC866028
24K
LC866024
20K
LC866020
16K
LC866016
12K
LC866012
8K
LC866008
选项
数据区
选项
数据区
选项
数据区
选项
数据区
选项
数据区
选项
数据区
（ 4 ）订货信息
1.当顺序相同的掩膜ROM ，同时PROM器件。
有独立的订单提供包含目标存储内容的EPROM以及每个面具
ROM和PROM版本。
2.订购PROM设备时。
提供包含目标存储器内容与订单一起形成EPROM 。
No.4212-3/22
LC86P6032
如何使用
选项（ 1 ）规格
选项指定数据之后LC86P6032编程。由SU866000.EXE指定的选项。指定
选项文件，并通过我们的宏汇编器（ M866000.EXE ）创建的文件是由我们的链接（ L866000.EXE ）挂哪个
创建其HEX文件的HEX文件，则该选项的代码被放在选项中指定区域（ 07F00H到07FFFH ） 。
（2 ）如何对EPROM的编程
该LC86P6032可以通过EPROM编程器带有附件W86EP6032D和W86EP6032Q进行编程。
- 推荐EPROM编程器
供应商
爱德万测试
安藤
AVAL
港电子
EPROM编程器
R4945, R4944, R4943
AF-9704
PKW -1100 ， PKW -3000
MODEL 1890A
- “ 27512 （VPP = 12.5V ），英特尔高速编程”模式下可用。该地址必须设置为“ 0000H到07FFFH ”
和跳线（ DASEC ）必须设置为“OFF”的节目。
（3 ）如何使用的数据的安全性功能
“数据安全”是一个功能，防止EPROM中的数据被读出。
在使用数据安全功能的说明：
1.将附件的跳线“ON” 。
2.尝试编程的EPROM 。在EPROM编程器将显示错误。误差指示是的结果
数据安全保护功能的正常活动。这是不符合EPROM编程器芯片的问题。
（注）
数据安全功能不被执行时，所有地址的数据包含“FF”在上面的步骤2 。
当顺序操作“BLANK = >PROGRAM = >VERIFY ”是用在上述步骤2的数据安全无法得到执行。
将跳线设置为“OFF”的执行数据的安全性后。
1引脚大关
LSI的
数据安全
数据安全
1针
没有数据安全
1针
W86EP6032Q
W86EP6032D
没有数据安全
No.4212-4/22
QQ：2881677436 复制
