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订购数量: ENN * 6688
CMOS IC
LC86P5632
8位单片机
用一次性可编程PROM
初步
概观
该LC86P5632是CMOS 8位单片机与一次性PROM为LC865600系列。
该微控制器所具有的功能和的LC865600系列掩膜ROM版本引脚说明和32K字节
舞会。
DIP / QFP封装可用于航运和LC865600系列。它适用于设立第一个发布,原型设计,
开发和成套的检测。
特点
( 1)选项开关由PROM数据
该LC865600系列的选择功能可以通过PROM中的数据来指定。
LC86P5632可以检查使用的大量生产电路板的试片的功能。
( 2 )内部一次性PROM容量: 32768字节
( 3 )内部RAM容量
: 512字节
二手PROM或RAM容量相等ROM或掩膜ROM版本的RAM容量适用LC86P5632 。
掩模ROM版
LC865632
LC865628
LC865624
LC865620
LC865616
LC865612
LC865608
PROM容量
32512字节
28672字节
24576 BYTES
20480字节
16384字节
12288字节
8192字节
RAM容量
512个字节
512个字节
512个字节
384个字节
384个字节
384个字节
384个字节
编程服务
我们提供各种服务仅象征性收费。这些措施包括ROM写入, ROM的读取,包冲压
和筛选。请联系我们以了解更多信息。
Ver.1.01
22699
91400 RM ( IM )HK No.6688-1 / 23
LC86P5632
( 4 )工作电源电压
: 4.5V至6.0V
( 5 )指令周期时间
: 0.98μs至400μS
( 6 )工作环境温度
: -30C至+ 70C
( 7)引脚和封装的LC865600系列掩膜ROM设备兼容
( 8 )适用掩膜ROM版本
: LC865632 / LC865628 / LC865624 / LC865620 / LC865616 /
LC865612 / LC865608
( 9 )出厂
: DIP64S , QFP64E
对于使用注意事项
LC86P5632提供的LC865600系列的第一个版本,小运费。
同时采用,采取如下的通知。
( 1 )差了点LC86P5632和LC865600系列
在复位口形式
复位后的操作
释放
LC86P5632
LC865632/28/24/20/16/12/08
请在下页是指“口形式,在复位” 。
指定该选项,直到3ms的程序是从00H执行
后,立即将一个“H”电平的复位程序计数器后
终端通过dgrees 。该计划将一个“H”电平复位端。
是从所述00H执行
程序计数器。
4.5V至6.0V
2.7V至6.0V
工作电源电压
范围(VDD)的
总输出电流
[∑IOAH(1)]
[∑IOAH(2)]
功耗
[IDDOP(1)]
[IDDOP(2)]
[IDDOP(3)]
[IDDOP(4)]
是指在半导体新闻“电气特性” 。
一种选择相应的LC86P5632的
一种选项
的输入/输出形式
输入/输出端口
销,电路
端口0
(中位指定)
该选项的内容
:没有拉MOS Tr的。
:N沟道开漏
:上拉MOS Tr的。
: CMOS
:可编程的上拉MOS Tr的。
:N沟道开漏
:可编程的上拉MOS Tr的。
: CMOS
:不可编程的上拉MOS
1.输入
产量
2.输入
产量
端口1,2
1.输入
(中位指定)
产量
2.输入
产量
端口3,4,5
1.输入
(中位指定)
TR 。
输出:N沟道开漏
2.输入:可编程的上拉MOS Tr的。
输出: CMOS
拉MOS Tr的。 PORT7的
port7
1.拉MOS Tr的。未提供
(中位指定)
2.拉MOS Tr的。提供
*
P74
有上拉电阻选项。
有关该选项的端口操作是不同的复位。请参阅下表。
No.6688-2/23
LC86P5632
端口在复位形式
P0
该选项的内容
输入:不拉MOS Tr的。
输出:N沟道开漏
输入:上拉MOS Tr的。
输出: CMOS
LC86P5632
(同掩膜版)
输入模式
上拉MOS Tr的。没有设置
复位或几百期间
复位解除后微秒。
在此之后,拉MOS Tr的。是
提供的。 (输出为OFF)
(同掩膜版)
LC865632/28/24/20/16/12/08
无上拉输入模式
MOS Tr的。 (输出为OFF)
无上拉输入模式
MOS Tr的。 (输出为OFF)
P1,
P2
P3,
P4,
P5
P7
输入:可编程的上拉
MOS Tr的。
输出:N沟道开漏
输入:可编程的上拉
MOS Tr的。
输出: CMOS
输入:不可编程
拉MOS Tr的。
输出:N沟道开漏
输入:可编程的上拉
MOS Tr的。
输出: CMOS
拉MOS Tr的。未提供
拉MOS Tr的。提供
无上拉输入模式
MOS Tr的。 (输出为OFF)
无上拉输入模式
MOS Tr的。 (输出为OFF)
无上拉输入模式
MOS Tr的。 (输出为OFF)
无上拉输入模式
MOS Tr的。 (输出为OFF)
无上拉输入模式
MOS Tr的。
无上拉输入模式
MOS Tr的。
(同掩膜版)
(同掩膜版)
(同掩膜版)
(同掩膜版)
输入模式
上拉MOS Tr的。没有设置
复位或几百期间
复位解除后微秒。
在此之后,拉MOS Tr的。是
提供的。
( 2)选项
LC86P5632使用256字节,这是在程序存储器中的操作数据区域寻址上7F00H到7FFFH 。这
面积不影响程序的执行,但LC865632的程序存储器的容量是32512字节,这是
解决的0000H到7EFFH 。
选项数据由指定的程序选项“ SU865000.EXE ”创建。所创建的选项数据被链接到
项目区通过联动装载机“ L865000.EXE ” 。
No.6688-3/23
LC86P5632
(3) ROM空间
选择数据
7FFFH
7F00H区256个字节
7EFFH
6FFFH
5FFFH
4FFFH
3FFFH
2FFFH
1FFFH
选项
数据区
选项
数据区
选项
数据区
选项
数据区
选项
数据区
选项
数据区
项目区
32K字节
0000H
LC865632
项目区
28K字节
项目区
24K BYTES
项目区
20K BYTES
项目区
16K字节
项目区
12K字节
项目区
8K字节
LC865628
LC865624
LC865620
LC865616
LC865612
LC865608
( 4 )订货信息
1.当同时订购相同的掩膜ROM和PROM设备。
提供包含目标存储器的内容与单独的顺序形式为每一个一起一个EPROM
屏蔽ROM和PROM版本。
2.订购PROM设备时。
提供包含目标存储器内容与订单一起形成EPROM 。
如何使用
选项( 1 )规格
编程数据, LC86P5632的PROM是必需的。
调试评估文件( EVA文件)必须转换为INTEL -HEX格式的文件( HEX文件)的文件转换器
程序, EVA2HEX.EXE 。 HEX文件被用作LC86P5632编程数据。
(2 )如何在PROM的编程
LC86P5632可以由EPROM编程器与附件进行编程; W86EP5032D ,
W86EP5032Q.
推荐EPROM编程器
生产方
爱德万测试
安藤
AVAL
港电子
EPROM编程器
R4945, R4944, R4943
AF-9704
PKW -1100 , PKW -3000
MODEL 1890A
“ 27512 (VPP = 12.5V ),英特尔高速编程”模式下可用。该地址必须被设置为
“ 0000H到7FFFH ”和一个跳线( DASEC )必须被设置为“OFF” ,在编程。
(3 )如何使用的数据的安全性功能
“数据安全”是禁用的函数来读取PROM的数据。
下面是该过程,以便执行数据的安全性。
1.设置“ON”附件的跳线。
2.再次计划。然后EPROM编程器显示错误。的误差意味着数据的正常活动
安全性。它不是EPROM编程器或LSI的一个麻烦。
No.6688-4/23
LC86P5632
笔记
不执行数据的安全性,当所有地址的数据有' FF'上面的序列2 。
按顺序操作“ BLANKPROGRAMVERIFY ”的节目,不能在执行数据安全
上面的序列2 。
设置为“OFF”执行数据的安全性后的跳投。
数据安全
数据安全
1引脚大关
LSI的
1针
没有数据安全
1针
没有数据安全
W86EP5032D
W86EP5032Q
No.6688-5/23
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    LC86P5632
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