【注文コードNo.N6 1 7 0号N 6 1 7 073099新LC75386NE-RLC75386】,IC型号LC75386NE-R,LC75386NE-R PDF资料,LC75386NE-R经销商,ic,电子元器件-51电子网

注文コードNo.N6 1 7 0

号

N 6 1 7 0

73099

新

LC75386NE-R

LC75386NW

特長

CMOS LSI

カー用電子ボリウム

ＬＣ７５３８６ＮＥＲ／ＮＷは、ボリウム，バランス，フェダー，バス／トレブル，ラウドネス，

入力切換え，入力ゲインコントロールの各機½を、少ない外付け部品でコントロールできる電子ボリウム

である。

ボリウム：0dB-79dB(1dB½½½)，-∞の 81 ポジション。

L/ R別々にコントロールすることによりバランス機½となる。

フェダー：リア側あるいはフロント側出力を 16 ポジションにわたって減衰させることができる。

(0dB-2dB までは 1dB½½½,-2dB-20dB までは 2dB½½½,-20dB-30dB までは 10dB

½½½,-45dB,-60dB,-∞の 16 ½½½)

·バス/トレブル：各バンドとも2分贝ステップ± 12分贝のコントロール。

入力ゲイン：入力信号は、0dB+18.75dB(1.25dB ½½½)の増幅ができる。

入力切換え：L/R とも 6 入力の信号選択ができる。(5 つは、½½½、1 つは、差動入力)

ラウドネス：2dBステップボリウムのラダー抵抗の-32dB の½½からタップが出ており、CRの外付け

部品によりラウドネス動½ができる。

バッファアンプ内蔵のため外付け部品が少ない。

·シリコンゲートCMOS

プロセスにより内蔵スイッチから発生する切換えノイズが少ないため無信号時の

切換えノイズが小さい。

ゼロクロス切換え回路内蔵のため有信号時の切換えノイズも小さい。

· VDD / 2の基准电圧発生回路内蔵。

各コントロールは、シリアルデータ入力で行う。

外½図 3159

（单位：毫米）

[LC75386NE-R]

17.2

14.0

1.0

48

1.0

33

32

1.6

0.15

外½図 3190

（单位：毫米）

1.25

[LC75386NW]

12.0

10.0

0.5

48

0.18

1.25

33

32

0.15

1.6

49

17.2

14.0

1.0

49

0.8

12.0

10.0

0.5

1.0

64

1

17

16

64

1.25

17

1

16

3.0max

1.25

0.8

0.35

0.5

15.6

0.8

三洋： QIP64E

三洋： SQFP64

本書記載の½品は、極めて高度の信頼性を要する用途

（生½維持装½、

航空機のコントロールシステム等、

多大な人的物的損害を及ぼす恐れのある用途）

に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に

は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。

本書記載の規格値(最大定格、動½条件範囲等) を瞬時たりとも越えて½用し、その結果発生した機器の欠陥

について、弊社は責任を負いません。

·建行は，登录商标です。

CCBは、三洋電機のオリジナル½バス½フォーマットであり、バスのアドレスは全て三洋電機が管理しています。

〒370-0596 群馬県邑½郡大泉町坂田一丁目1番1号

73099TS寿◎铃木B8-4186 ， 4075 No.6170-1 / 23

0.1

0.5

1.7max

0.1

2.7

LC75386NE -R ， 75386NW

絶対最大定格／Ｔ½＝２５℃，ＶS S＝０Ｖ

項目

記号

V

DD

全入力端子

Ta≦85℃，基板取付け時

条件

定格

11

V

SS

-0.3V

DD

+0.3

(LC75386NE-R)500

(LC75386NW)420

-40 +85

-50 +125

単 ½

V

mW

℃

最大電源電圧 V

DD

最大

最大入力電圧 V

IN

最大

许容消费电力最大的Pd

動 ½ 周囲温度 Topr

保存周囲温度TSTG

許容動½範囲／Ta=25℃，V

SS

=0V

項目

電

源

電

記号

圧 V

DD

条件

V

DD

CL ， DI ， CE， MUTE（静音）

民

6.0

4.0

V

SS

V

SS

典型值

最大

10.5

V

DD

1.0

V

DD

単 ½

V

VP-P

μ

s

μ

s

μ

s

入力½H½レベル電圧 V

IH

入力½L½レベル電圧 V

IL

入力振幅電圧 V

IN

入力パルス幅TφW

セットアップ时间TSETUP

ホールド时间的Thold

動 ½ 周波数 fopg

CL

CL ， DI ，CE

CL

1

500

千赫

電気的特性／Ta=25℃，V

DD

=9V，V

SS

=0V

入力ブロック

項目

入

力

抵

記号

抗凛

端子名

L1L4,L6,R1R4,R6

条件

民

30

-1

+16.5

典型值

50

0

+18.75

最大

70

+1

+21

±0.6

±0.5

単 ½

kΩ

dB

最小入力ゲインGinmin

最大入力ゲインGinmax

½½ ½ 間設定誤差 ATerr

L / Rバランス

ボリウムブロック

項目

入

力

抵

記号

抗RVR

BAL

端子名

LVRIN ， RVRIN ，

½½½ OFF

条件

民

113

典型值

226

最大

339

±0.5

単 ½

kΩ

dB

½½ ½ 間設定誤差 ATerr

L / Rバランス

トーンブロック

項目

記号

端子名

条件

民

典型值

BAL

最大

±1.0

単 ½

dB

½½ ½ 間設定誤差 ATerr

½½ ½ ½ ½ Gbass

½½½ Gtre

L / Rバランス

BAL

max.Boost /剪切

±9

±12

±15

±0.5

No.6170-2/23

LC75386NE -R ， 75386NW

フェダーブロック

項目

入

力

抵

記号

抗RFED

端子名

LFIN ， RFIN

0dB~ -2dB

½½ ½ 間設定誤差 ATerr

-2dB-20dB

-20dB-30dB

-30dB-60dB

L / Rバランス

総合

項目

全高調波歪率

記号

THD(1)

THD(2)

端子名

VIN = -10dBV中，f = 1kHz时

VIN = -10dBV ， F = 10kHz的

VIN = 1VRMS中，f = 1kHz时

INMUTE,½½∞

全½, IHF-A ½

全½, 2020kHzBPF

80

90

民

典型值

0.004

0.006

88

95

5

7

33

CL,DI,CE,VIN=9V

CL,DI,CE,VIN=0V

THD = 1％ RL = 10kΩ的

全½,fIN=1kHz

VIN=0dB,f=1kHz

-10

2.5

45

2.9

10

15

40

10

最大

単 ½

％

dB

μ

V

μ

V

mA

μ

A

μ

A

VRMS

dB

BAL

条件

民

25

典型值

50

最大

100

±0.5

±1

±2

±3

±0.5

単 ½

kΩ

dB

入力間 ½ ½½ ½ ½ CT

L/R ½½½½½

最大絞り込み

CT

Vomin(1)

Vomin(2)

VN(1)

VN(2)

出力雑音電圧

消

費

電

流IDD

入力½H½レベル電流 IIH

入力½L½レベル電流 IIL

最大入力电圧VCL

同相信号除去比CMRR

No.6170-3/23

LC75386NE -R ， 75386NW

ピン配½図

LVROUT

LSELO

LVRIN

LF1C1

LF1C2

LF1C3

LF3C1

LF3C2

LF3C3

48 47 46 45 44 43 42 41 40 39 38 37 36 35 34 33

L5P

49

L5M

50

L4

51

L3

52

L2

53

L1

54

L6

55

VDD

56

VREF

57

R6

58

R1

59

R2

60

R3

61

R4

62

R5M

63

R5P

64

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10 11 12 13 14 15 16

LTOUT

32

LFIN

31

LFOUT

30

LROUT

29

LAVSS

28

LZCLP

27

DVSS

26

CL

25

DI

24

CE

23

MUTE（静音）

22

RAVSS

21

RZCLP

20

TIM

19

RROUT

18

RFOUT

17

RFIN

LCOM

平Ltin

LCT

NC

ＬＣ７５３８６ＮＥＲ

ＬＣ７５３８６ＮＷ

NC

RSELO

RVRIN

RCT

RCOM

RVROUT

RTIN

RF1C1

RF1C2

RF1C3

NC

RF3C1

RF3C2

RF3C3

[LC75386NE-R]

[LC75386NW]

钯最大 - TA

1400

钯最大 - TA

1400

基板付き

许容消费电力，钯最大 - 毫瓦

1200

基板 114.3mm×76.2mm×1.5mm

许容消费电力，钯最大 - 毫瓦

1200

基板サイズ： 114.3 × 76.1 × 1.6吨毫米

基板材質：ガラスエポキシ

指定基板付き

1040

1000

800

IC単½

800

600

単½

500

420

400

RTOUT

（ TOP VIEW ）

200

0

40

200

0

40

200

20

0

20

40

60

80

100

20

0

20

40

60

80

100

周囲温度，钽 - ℃

No.6170-4/23

1M Ω

[ BASS FO = 100Hz的]

0.033

μF

330pF

0.01

μF

1 μF

10μF

[ TREBLE FO = 10000Hz ]

220pF

1μF

VREF

LVROUT

10μF

48

32

和68kΩ 4.7kΩ的0.1μF

10μF LCOM

VREF

LCT

LSELO

LF1C3

LF1C1

LF1C2

LF3C1

LF3C2

LF3C3

LTOUT

平Ltin

NC

47

46

45

44

43

42

41

40

39

38

37

36

35

34

33

LVRIN

1μF×6

L5P

等価回路／応用回路図

49

LFIN

LFOUT

10μF

PA

L5M

LVREF

50

31

30

29

L4

51

LROUT

LAVSS

28

LZCLP

27

PA

L3

10μF

52

L2

LVREF

53

L1

54

DVSS

26

L6

55

½½

ZERO CROSSDET

建行

接口

CL

25

24

CL

DI

CE

23

22

VDD

56

DI μCOM

CE

MUTE（静音）

RAVSS

VDD

21

RZCLP

20

22μF

VREF

57

控制

电路

½½

ZERO CROSSDET

逻辑电路

VDD

47kΩ

R6

58

LC75386NE -R ， 75386NW

R1

RVREF

59

R2

RVREF

· LC75386NW版について... LZCLP （ pin28 ）， RZCLP （ pin21 ）は，无连接端子である。

60

R3

RVREF

无信号

蒂默

1MΩ

TIM

19

61

R4

62

RROUT

RVREF

18

17

0.033μF

PA

R5M

63

RFOUT

RFIN

10μF

PA

R5P

10μF

64

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

NC

RCT

RCOM

RTIN

RSELO

RVRIN

RF1C1

RF1C2

RF1C3

RF3C1

RF3C2

RF3C3

RTOUT

RVROUT

VREF

1μF

220pF

1M Ω

10μF

VREF

10μF

0.01

μF

1 μF

0.033

μF

330pF

No.6170-5/23

和68kΩ 4.7kΩ的0.1μF

[ BASS FO = 100Hz的]

[ TREBLE FO = 10000Hz ]