CMOS LSI
5485号
LC665304A ， 665306A ， 665308A ， 665312A ， 665316A
四位单片微控制器
带4，6， 8，12，和16 KB的内置ROM
初步
概观
该LC665304A ， LC665306A ， LC665308A ， LC665312A ，
和LC665316A 4位CMOS微控制器
所有在一个所要求的功能集成在单个芯片上
系统控制器，包括ROM，RAM， I / O端口，一个
串行接口， 16值比较器输入，定时器
中断函数，和一个可选的子振荡电路。
这些微控制器采用48引脚封装。
评估的LSI ： LC66599 （评估芯片） +
EVA800/850-TB662YXX2
LC66E5316 （片上EPROM微控制器）
包装尺寸
单位：mm
3149-DIP48S
[LC665304A/665306A/665308A/665312A/665316A]
0.25
48
25
15.24
13.8
46.0
0.51min
0.48
1.05
1.78
2.53
特性和功能
片上ROM的4 ， 6，8 ， 12 ，和16千字节capacitiy ，
和512的片上RAM容量
×
4比特。
完全支持LC66000系列常见的指令
设置（ 128条指令） 。
I / O端口： 42针
一个子振荡器可以使用（可选）
该电路允许功耗由减小
运行在较低的速度。
8位串行接口：两个电路（可连接
级联，以形成一个16位的接口）的
指令周期时间： 0.95至10微秒（ 3 5.5 V ）
强大的定时器功能和预分频器
- 时间限制定时器，计数器，脉宽
测量，并使用一个12位的方波输出
定时器。
- 时间限制定时器，计数器， PWM输出，并
方波输出用一个8位的定时器。
- 使用12位的预分频器时基功能。
强大的中断系统有8个中断源和8
中断向量的位置。
- 外部中断： 3因素/ 3的向量单元
- 内部中断： 5个因素/ 5向量地址
灵活的I / O功能
16值比较器输入， 20 -mA驱动输出，
逆变电路，上拉和漏极开路电路
可选择的选项。
可选的失控检测功能（看门狗定时器）
8位I / O功能
停止使用并持有模式省电功能。
封装： DIP48S ， QIP48E （ QFP48E ）
三洋： DIP48S
单位：mm
3156-QFP48E
[LC665304A/665306A/665308A/665312A/665316A]
17.2
1.5
36
1.5
37
1.0
14.0
1.6
1.5
25
24
0.15
17.2
14.0
1.6
1.5
1.0
48
1
0.35
13
12
0.1
2.70
（ STAND OFF ）
3.0max
0.8
15.6
三洋： QFP48E
三洋电机有限公司。半导体公司经营业务总部
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京，日本110
22897HA （ OT ）第5485-1 / 26
3.8
5.1max
1
24
4.25
LC665304A ， 665306A ， 665308A ， 665312A ， 665316A
组织系列
型号
LC66304A/306A/308A
LC66404A/406A/408A
LC66506B/508B/512B/516B
LC66354A/356A/358A
LC66354S/356S/358S
LC66556A/558A/562A/566A
LC66354B/356B/358B
LC66556B/558B/562B/566B
LC66354C/356C/358C
LC662104A/06A/08A
LC662304A/06A/08A/12A/16A
LC662508A/12A/16A
LC665304A/06A/08A/12A/16A
LC66E308
LC66P308
LC66E408
LC66P408
LC66E516
LC66P516
LC66E2108*
LC66E2316
LC66E2516
LC66E5316
LC66P2108*
LC66P2316*
LC66P2516
LC66P5316
注意：
*
正在开发中
数
引脚
42
42
64
42
42
64
42
64
42
30
42
64
48
42
42
42
42
64
64
30
42
64
52/48
30
42
64
48
ROM容量
4 K / 6 K / 8 KB
4 K / 6 K / 8 KB
6 K / 8 K / 12 K / 16 KB
4 K / 6 K / 8 KB
4 K / 6 K / 8 KB
6 K / 8 K / 12 K / 16 KB
4 K / 6 K / 8 KB
6 K / 8 K / 12 K / 16 KB
4 K / 6 K / 8 KB
4 K / 6 K / 8 KB
内存
容量
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
384 W
DIP64S
DIP42S
DIP64S
DIP42S
DIP30SD
DIP42S
DIP64S
DIP48S
DIC42S
与窗口
DIP42S
DIC42S
与窗口
DIP42S
DIC64S
与窗口
DIP64S
DIP42S
DIP42S
DIP64S
DIP42S
包
QFP48E
QFP48E
QFP64A
QFP48E
QFP44M
QFP64E
QFP48E
QFP64E
QFP48E
MFP30S
QFP48E
QFP64E
QFP48E
QFC48
与窗口
QFP48E
QFC48
与窗口
QFP48E
QFC64
与窗口
QFP64E
窗口和OTP评估版
4.5 5.5 V / μs的0.92
双振荡器支持
3.0 5.5 V / μs的0.95
片上的DTMF产生器版本
3.0 5.5 V / μs的0.95
低电压版本
2.2 5.5 V / μs的3.92
低电压高速版本
3.0 5.5 V / μs的0.92
2.5 5.5 V / μs的0.92
普通版本
4.0到6.0伏/ 0.92微秒
特点
4 K / 6 K / 8 K / 12 K / 16 KB 512 W
8 K / 12 K / 16 KB
512 W
4 K / 6 K / 8 K / 12 K / 16 KB 512 W
EPROM 8 KB
OTPROM 8 KB
EPROM 8 KB
OTPROM 8 KB
EPROM 16 KB
OTPROM 16 KB
EPROM 8 KB
EPROM 16 KB
EPROM 16 KB
EPROM 16 KB
OTPROM 8 KB
OTPROM 16 KB
OTPROM 16 KB
OTPROM 16 KB
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
384 W
512 W
512 W
512 W
384 W
512 W
512 W
512 W
DIC42S
与窗口
DIC64S
与窗口
DIC52S
与窗口
DIP30SD
DIP42S
DIP64S
DIP48S
QFC48
与窗口
QFC64
与窗口
QFC48
与窗口
MFP30S
QFP48E
QFP64E
QFP48E
窗口评估版
4.5 5.5 V / μs的0.92
OTP
4.0 5.5 V / μs的0.95
第5485-2 / 26
LC665304A ， 665306A ， 665308A ， 665312A ， 665316A
引脚分配
DIP48S
P20/SI0
P21/SO0
P22/SCK0
P23/INT0
P30/INT1
P31/POUT0
P32/POUT1
VSS
OSC1
OSC2
VDD
水库
PE0/XT1
PE1/XT2
TEST
P33/HOLD
P40/INV0I
P41/INV0O
P42/INV1I
P43/INV1O
P50
P51
P52
P53/INT2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
P13
P12
P11
P10
P03
P02
P01
P00
PD3/AN4/INV4O
PD2/AN3/INV4I
PD1/AN2/INV3O
PD0/AN1/INV3I
PC3/INV2O
PC2/INV2I
PC1
PC0
P83
P82
P81/DS1
P80/DS0
P63/PIN1
P62/SCK1
P61/SO1
P60/SI1
LC665304A
5306A
5308A
5312A
5316A
QFP48E
P02
P03
P10
P11
P12
P13
P20/S10
P21/SO0
P22/SCK0
P23/INT0
P30/INT1
P31/POUT0
36 35 34 33 32 31 30 29 28 27 26 25
37
24
38
23
39
22
40
21
LC665304A
41
20
5306A
42
19
5308A
43
18
5312A
44
17
5316A
45
16
46
15
47
14
48
13
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
P32/POUT1
VSS
OSC1
OSC2
VDD
水库
PE0/XT1
PE1/XT2
TEST
P33/HOLD
P40/INV0I
P41/INV0O
P01
P00
PD3/AN4/INV4O
PD2/AN3/INV4I
PD1/AN2/INV3O
PD0/AN1/INV3I
PC3/INV2O
PC2/INV2I
PC1
PC0
P83
P82
P81/DS1
P80/DS0
P63/PIN1
P62/SCK1
P61/SO1
P60/SI1
P53/INT2
P52
P51
P50
P43/INV1O
P42/INV1I
顶视图
我们建议使用回流焊接技术，焊接安装QFP封装。
请您三洋为代表的工艺条件详情，请咨询如果包本身是要直接
沉浸在浸焊浴（浸焊技术） 。
第5485-3 / 26
LC665304A ， 665306A ， 665308A ， 665312A ， 665316A
系统框图
水库
TEST
OSC1
OSC2
HOLD
XT1
XT2
ANI至4
ADC
PE
PD
PC
系统
控制
RAM堆栈
(512W)
旗
ê DD DD
SP M·P P P P
HL XY
C
Z
只读存储器
4K/6K/8K/12K/16KB
E
A
ALU
PC
预分频器
MPX
TIMER0
串行I / O 0
POUT0
SI0
SO0
SCK0
INT0
INT1 ， INT2
MPX
打断
控制
SI1
SO1
SCK1
PIN1 ， Pout1成为
INV
x
O
P0
P1
P2
P3
P4
P5
P6
P8
DS1
INV
x
I
（ x = 0到4）
MPX
TIMER1
串行I / O 1
DS0
在LC6653XX系列和LC663XX系列之间的区别
项
制度的差异
对硬件的等待时间（数
个周期）时，保持模式被清除
LC6630X系列
（包括LC66599芯片评价）
65536次
约64毫秒，4兆赫（ TCYC = 1微秒）
LC6635XB系列
16384次
约16毫秒，4兆赫（ TCYC = 1微秒）
LC6653XX系列
16384次
约16毫秒，4兆赫（ TCYC = 1微秒）
定时器0复位后的价值
（包括后锁定模式设置为FF0的价值。
被清零）
逆变器阵列
缓冲区的数组（数据整形电路）
亚振
三值输入/比较器
输入
从P31输出三态
和P32
使用P0清除HALT模式
外部扩展中断
无（工具与处理
外部设备）。
无（工具与处理
外部设备）。
无
是的
无
在4位的组
无对INT3 ， INT4和INT5 。
（工具与外部处理
设备）。
共享与INT2
（工具与外部处理
设备）。
LC66304A / 306A / 308A
4.0 6.0 V / 0.92吨10微秒
LC66E308 / P308
4.5 5.5 V / 0.92 10微秒
P0，P1， P4和P5 ：约310千欧
P2至P6和PC ： 15 -V处理
P0 ， P1 ， PD ， PE ：正常电压
处理
设置为FFC 。
设置为FFC 。
无
无
无
是的
无
在4位的组
无对INT3 ， INT4和INT5 。
是的
是的
是（可选）
仅16值比较器
是的
可以为每个位指定。
无对INT3 ， INT4和INT5 。
其他P53功能
共享与INT2
共享与INT2
（逻辑反转。 ）
3.0至5.5 V / 0.95 10微秒
（当主振荡器
操作）
3.0至5.5 V / 25 127微秒
（当子振荡器是
操作）
P0，P1， P4和P5 ：约100千欧
所有端口：正常电压处理
（ 7 -V的处理提供）
在主要特性的差异
工作电源电压
和操作速度（循环时间）
3.0至5.5 V / 0.92 10微秒
LC6635XA
2.2 5.5 V / 3.92 10微秒
3.0 5.5 V / 1.96 10微秒
P0，P1， P4和P5 ：约310千欧
P2至P6和PC ： 15 -V处理
P0 ， P1 ， PD ， PE ：正常电压
处理
上拉电阻
端口电压处理
对于其他方面的差异和细节，请参阅数据表的个别产品。
第5485-4 / 26
LC665304A ， 665306A ， 665308A ， 665312A ， 665316A
引脚功能概述
针
I / O
概观
输出驱动器类型
选项
经过待机模式状态
RESET
手术
保持模式：
输出关闭
高或低
（可选）
HALT模式：
产量
保留
保持模式：
输出关闭
高或低
（可选）
HALT模式：
产量
保留
P00
P01
P02
P03
I / O
I / O端口P00到P03
输入或输出的4位或1位
P00到P03支持HALT模式
控制功能（该功能可
以位为单位指定。 ）
P沟道：上拉MOS型
N沟道：中级灌电流
TYPE
拉MOS或
N沟道OD输出
输出电平上
RESET
P10
P11
P12
P13
I / O
I / O端口P10到P13
输入或输出的4位或1位
P沟道：上拉MOS型
N沟道：中级灌电流
TYPE
拉MOS或
N沟道OD输出
输出电平上
RESET
P20/SI0
P21/SO0
P22/SCK0
P23/INT0
I / O
I / O端口P20至P23
输入或输出的4位或1位
P20也用作串行输入SI0
引脚。
P21也用作串行输出
SO0引脚。
P22也用作串行时钟
SCK0引脚。
P23也用作INT0中断
请求引脚，并且也作为定时器0
事件计数，脉冲宽度
测量输入。
I / O端口P30到P32
输入或输出的3位或1位
P30也用作INT1中断
请求。
P31也被用于该方波
从定时器0的输出。
P32也被用于该方波
和定时器1的PWM输出。
P31和P32还支持三态
输出。
P沟道： CMOS类型
N沟道：中级灌电流
TYPE
N沟道： + 7 -V时的处理OD
所选的选项
保持模式：
输出关闭
CMOS或N沟道OD
产量
H
HALT模式：
产量
保留
P30/INT1
P31/POUT0
P32/POUT1
I / O
P沟道： CMOS类型
N沟道：中级灌电流
TYPE
N沟道： + 7 -V时的处理OD
所选的选项
保持模式：
输出关闭
CMOS或N沟道OD
产量
H
HALT模式：
产量
保留
P33/HOLD
I
保持模式控制输入
保持模式是成立的HOLD
指令时， HOLD低。
在保持模式下，CPU被重新启动
设置HOLD到高电平。
此引脚可用作输入端口P33
随着P30到P32 。
当P33 / HOLD引脚为低
水平，则CPU将不被重置
低水平RES引脚。因此，
应用程序必须不设置P33 / HOLD
当电源低是首次应用。
P40/INV0I
P41/INV0O
P42/INV1I
P43/INV1O
I / O
I / O端口P40到P43
输入或输出的4位或1位
当使用的输入或输出的8位
在P50至P53结合。
可用于8位ROM输出
结合使用时，数据
P50到P53 。
专用逆变器电路（选项）
P沟道：上拉MOS型
CMOS型时的逆变器
选择电路的选择
N沟道：中级灌电流
TYPE
拉MOS或
N沟道OD输出
输出电平上
RESET
逆变器电路
高或低
或逆变器
I / O （可选）
保持模式：
端口输出
断，逆变器
输出关闭
HALT模式：
端口输出
保留，
逆变器
产量
继续
接下页。
第5485-5 / 26
CMOS LSI
5484号
LC66354C ， 66356C ， 66358C
四位单片微控制器
有4个，6个和8 KB的片上ROM
初步
概观
该LC66354C ， LC66356C和LC66358C分别为4位
的CMOS微控制器集成在单个芯片上的所有
在一个系统控制器所需的功能，包括
ROM，RAM， I / O端口，一个串行接口，比较器
输入，三输入端的值，定时器和中断功能。
这三种微控制器是一个42引脚可用
封装。
这些产品从早期的LC66358A系列不同
和LC66358B系列中的电源电压范围内，
的操作速度，和其他要点。
评估的LSI
- LC66599 （评估芯片） + EVA85 / 800 TB6630X
- LC66E308 （片上EPROM微控制器）
一起使用。
包装尺寸
单位：mm
3025B-DIP42S
[LC66354C/66356C/66358C]
42
22
特性和功能
15.24
片上ROM的容量4 ， 6 ， 8千字节，以及
512片上RAM容量
×
4比特。
完全支持LC66000系列常见的指令
设置（ 128条指令） 。
I / O端口： 36针
8位串行接口：两个电路（可连接
级联，以形成一个16位的接口）的
指令周期时间： 0.92至10微秒（在2.5 5.5 V ）
- 对于较早LC66358A系列： 1.96 10微秒（在
3.0 5.5 V）和3.92至10微秒（在2.2 5.5 V ）
- 对于较早LC66358B系列： 0.92 10微秒（在
3.0至5.5V）
强大的定时器功能和预分频器
- 时间限制定时器，计数器，脉宽
测量，并使用一个12位的方波输出
定时器。
- 时间限制定时器，计数器， PWM输出，并
方波输出用一个8位的定时器。
- 使用12位的预分频器时基功能。
强大的中断系统有8个中断源和8
中断向量的位置。
- 外部中断： 3因素/ 3的向量单元
- 内部中断： 5个因素/ 5向量地址
灵活的I / O功能
比较器输入，三值输入， 20 -mA驱动
输出， 15V的高电压管脚，和上拉/漏极开路
选项。
可选的失控检测功能（看门狗定时器）
8位I / O功能
停止使用并持有模式省电功能。
封装： DIP42S ， QIP48E （ QFP48E ）
13.8
1
37.9
21
4.25
0.95
0.48
1.78
0.51
民
1.15
三洋： DIP42S
单位：mm
3156-QFP48E
[LC66354C/66356C/66358C]
17.2
1.5
36
1.5
37
1.0
14.0
1.6
1.5
25
24
0.15
17.2
14.0
1.6
1.5
1.0
48
1
0.35
13
12
0.1
2.70
（ STAND OFF ）
3.0max
0.8
15.6
三洋： QFP48E
三洋电机有限公司。半导体公司经营业务总部
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京，日本110
22897HA （ OT ）第5484-1 / 21
3.8
5.1
最大
0.25
LC66354C ， 66356C ， 66358C
组织系列
型号
LC66304A/306A/308A
LC66404A/406A/408A
LC66506B/508B/512B/516B
LC66354A/356A/358A
LC66354S/356S/358S
LC66556A/558A/562A/566A
LC66354B/356B/358B
LC66556B/558B
LC66562B/566B
LC66354C/356C/358C
LC662304A/2306A/2308A
LC662312A/2316A
LC665304A/665306A/665308A
LC665312A/5316A
LC66E308
LC66P308
LC66E408
LC66P408
LC66E516
LC66P516
LC66E2316
LC66E5316
LC66P2316*
LC66P5316
注意：
*
正在开发中
数
引脚
42
42
64
42
42
64
42
64
64
42
42
42
48
48
42
42
42
42
64
64
42
52/48
42
48
ROM容量
4 K / 6 K / 8 KB
4 K / 6 K / 8 KB
6 K / 8 K / 12 K / 16 KB
4 K / 6 K / 8 KB
4 K / 6 K / 8 KB
6 K / 8 K / 12 K / 16 KB
4 K / 6 K / 8 KB
6 K / 8 KB
12 K / 16 KB
4 K / 6 K / 8 KB
4 K / 6 K / 8 KB
12 K / 16 KB
4 K / 6 K / 8 KB
12 K / 16 KB
EPROM 8 KB
OTPROM 8 KB
EPROM 8 KB
OTPROM 8 KB
EPROM 16 KB
OTPROM 16 KB
EPROM 16 KB
EPROM 16 KB
OTPROM 16 KB
OTPROM 16 KB
内存
容量
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
DIP64S
DIP42S
DIP64S
DIP64S
DIP42S
DIP42S
DIP42S
DIP48S
DIP48S
DIC42S
与窗口
DIP42S
DIC42S
与窗口
DIP42S
DIC64S
与窗口
DIP64S
DIC42S
与窗口
DIC52S
与窗口
DIP42S
DIP48S
DIP42S
DIP42S
DIP64S
DIP42S
包
QFP48E
QFP48E
QFP64A
QFP48E
QFP44M
QFP64E
QFP48E
QFP64E
QFP64E
QFP48E
QFP48E
QFP48E
QFP48E
QFP48E
QFC48
与窗口
QFP48E
QFC48
与窗口
QFP48E
QFC64
与窗口
QFP64E
QFC48
与窗口
QFC48
与窗口
QFP48E
QFP48E
窗口和OTP评估版
4.5 5.5 V / μs的0.92
低电压高速版本
3.0 5.5 V / μs的0.92
2.5 5.5 V / μs的0.92
片上的DTMF产生器版本
3.0 5.5 V / μs的0.95
双振荡器支持
3.0 5.5 V / μs的0.95
低电压版本
2.2 5.5 V / μs的3.92
普通版本
4.0到6.0伏/ 0.92微秒
特点
4.5 5.5 V / μs的0.95
4.0 5.5 V / μs的0.95
第5484-2 / 21
LC66354C ， 66356C ， 66358C
引脚分配
DIP42S
P00
P01
P02
P03
P10
P11
P12
P13
SI0/P20
SO0/P21
SCK0/P22
INT0/P23
INT1/P30
POUT0/P31
POUT1/P32
HOLD/P33
P40
P41
TEST
VSS
OSC1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
PE1/TRB
PE0/TRA
VDD
PD3/CMP3
PD2/CMP2
PD1/CMP1
PD0/CMP0
PC3/VREF1
PC2/VREF0
P63/PIN1
P62/SCK1
P61/SO1
P60/SI1
P53/INT2
P52
P51
P50
P43
P42
水库
OSC2
LC66354C
356C
358C
QFP48E
36 35 34 33 32 31 30 29 28 27 26 25
CMP2/PD2
CMP3/PD3
VDD
TRA/PE0
TRB/PE1
NC
NC
P00
P01
P02
P03
P10
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
P50
P43
P42
水库
OSC2
NC
NC
OSC1
VSS
TEST
P41
P40
P11
P12
P13
S10/P20
S00/P21
NC
SCK0/P22
INT0/P23
INT1/P30
POUT0/P31
POUT1/P32
HOLD/P33
PD1/CMP1
PD0/CMP0
PC3/VREF1
PC2/VREF0
P63/PIN1
P62/SCK1
NC
P61/S01
P60/S11
P53/INT2
P52
P51
LC66354C
356C
358C
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
顶视图
我们建议使用回流焊接技术，焊接安装QFP封装。
请您三洋为代表的工艺条件详情，请咨询如果包本身是要直接
沉浸在浸焊浴（浸焊技术） 。
第5484-3 / 21
LC66354C ， 66356C ， 66358C
系统框图
RAM堆栈
(512W)
系统
控制
旗
ê DD DD
SP M·P P P P
H L YX
C
Z
只读存储器
(4K/6K/8K)
水库
TEST
OSC1
OSC2
HOLD
E
A
ALU
PC
茶
TRB
CMP0
CMP1
CMP2
CMP3
PE
PD
PC
预分频器
MPX
TIMER0
串行I / O 0
POUT0
SI0
SO0
SCK0
INT0
INT1 。 INT2
SI1
SO1
SCK1
PIN1 。 Pout1成为
MPX
打断
控制
MPX
TIMER1
串行I / O 1
P0
P1
P2
P3
P4
P5
P6
在LC66354C ， LC66356C和LC66358C和LC6630X系列之间的区别
项
制度的差异
硬件等待时间（周期数）
在保持模式被清除
定时器0复位后的值
（包括在值后保持模式
清零）
LC6630X系列
（包括LC66599芯片评价）
65536次
约64毫秒，4兆赫（ TCYC = 1微秒）
LC6635XC系列
16384次
约16毫秒，4兆赫（ TCYC = 1微秒）
设置为FF0 。
设置为FFC 。
2.5 5.5 V / 0.92 10微秒
LC6635XA
2.2 5.5 V / 3.92 10微秒
3.0 5.5 V / 1.96 10微秒
LC6635XB
3.0 5.5 V / 0.92 10微秒
差异主要特点
工作电源电压和
运行速度（循环时间）
LC66304A / 306A / 308A
4.0 6.0 V / 0.92 10微秒
LC66E308 / P308
4.5 5.5 V / 0.92 10微秒
注： 1. RC振荡器不能与LC66354C ， LC66356C和LC66358C使用。
2.有其他的差异，包括在输出电流和端口的输入电压的差异。
有关详细信息，请参阅数据表的LC66308A ， LC66E308和LC66P308 。
3.密切关注使用LC66E308和LC66P308进行评估时，这里列出的差异。
第5484-4 / 21
LC66354C ， 66356C ， 66358C
引脚功能概述
针
P00
P01
P02
P03
I / O
概观
I / O端口P00到P03
输入或输出的4位或1位
P00到P03支持暂停模式控制
功能
输出驱动器类型
选项
复位后的状态
I / O
P沟道：上拉MOS型
N沟道：中级灌电流
TYPE
拉MOS和N沟道
OD输出
上电复位输出电平
高或低
（可选）
P10
P11
P12
P13
I / O
I / O端口P10到P13
输入或输出的4位或1位
P沟道：上拉MOS型
N沟道：中级灌电流
TYPE
拉MOS和N沟道
OD输出
上电复位输出电平
高或低
（可选）
P20/SI0
P21/SO0
P22/SCK0
P23/INT0
I / O
I / O端口P20至P23
输入或输出的4位或1位
P20也用作串行输入SI0
引脚。
P21也用作串行输出
SO0引脚。
P22也用作串行时钟
SCK0引脚。
P23也用作INT0中断
请求引脚，并且也作为定时器0
事件计数，脉冲宽度
测量输入。
P沟道： CMOS类型
N沟道：中级灌电流
TYPE
N沟道： + 15 V时的处理OD
所选的选项
CMOS或N沟道OD
产量
H
P30/INT1
P31/POUT0
P32/POUT1
I / O
I / O端口P30到P32
输入或输出的3位或1位
P30也用作INT1中断
请求。
P31也被用于该方波
从定时器0的输出。
P32也被用于该方波
从定时器1输出。
P沟道： CMOS类型
N沟道：中级灌电流
TYPE
N沟道： + 15 V时的处理OD
所选的选项
CMOS或N沟道OD
产量
H
P33/HOLD
I
保持模式控制输入
保持模式是成立的HOLD
指令时， HOLD低。
在保持模式下，CPU被重新启动
设置HOLD到高电平。
此引脚可用作输入端口P33
随着P30到P32 。
当P33 / HOLD引脚为低
电平，则CPU将不会被低复位
在RES引脚的电平。因此，
应用程序必须不设置P33 / HOLD低
当电源第一次应用。
P40
P41
P42
P43
I / O
I / O端口P40到P43
输入或输出的4位或1位
当使用的输入或输出的8位
在P50至P53结合。
可用于8位ROM输出
在P50中一起使用时数据
为P53 。
P沟道：上拉MOS型
N沟道：中级灌电流
TYPE
N沟道： + 15 V时的处理OD
所选的选项
拉MOS和N沟道OD
产量
H
P50
P51
P52
P53/INT2
I / O
I / O端口P50到P53
输入或输出的4位或1位
当使用的输入或输出的8位
与P40到P43相结合。
可用于8位ROM输出
在P40中一起使用时，数据
为P43 。
P53也用作到INT2中断
请求。
P沟道：上拉MOS型
N沟道：中级灌电流
TYPE
N沟道： + 15 V时的处理OD
所选的选项
拉MOS和N沟道OD
产量
H
接下页。
第5484-5 / 21
订购数量： EN5997
CMOS IC
LC662508A ， 662512A ， 662516A
四位单片微控制器
8 ， 12 ，和16 KB的片上ROM
概观
该LC662516A ， LC662512A和LC662508A分别为4位
的CMOS微控制器集成在单个芯片上的所有
在一个专用电话所要求的功能
控制器，包括ROM，RAM， I / O端口，一个串行
接口，一个DTMF发生器，定时器和中断
功能。这些微控制器采用64引脚可用
封装。
特性和功能
片上ROM的容量8 ， 12 ，和16千字节，并
512片上RAM容量
×
4比特。
完全支持LC66000系列常见的指令
设置（ 128条指令） 。
I / O端口： 58针
- 双音多频发电机
该微控制器集成了一个电路，可
产生两个正弦波输出，双音多频输出，或者一个
旋律输出的软件应用程序。
8位串行接口：两线接口（ 16 - bit数据
长度。支持级联）。
指令周期时间： 0.95至10微秒（在3.0 5.5 V ）
强大的定时器功能和预分频器
- 时间限制定时器，计数器，脉宽
测量，并使用一个12位的方波输出
定时器。
- 时间限制定时器，计数器， PWM输出，并
方波输出用一个8位的定时器。
- 使用12位的预分频器时基功能。
强大的中断系统有11个中断源和8
中断向量的位置。
- 外部中断： 3因素/ 3的向量单元
- 内部中断： 8个因子/ 5向量地址
（波形输出内部中断： 3因素1
向量;与外部扩展中断共享）
灵活的I / O功能
可选方案包括20毫安驱动输出，逆变器
电路，上拉和漏极开路电路。
可选失控检测功能（看门狗定时器）
8位I / O功能
停止使用节电功能和保持模式。
包： DIP64S ， QIP64E （ QFP64E ）
评价器IC ： LC665099 （评估芯片） +
EVA86K-ECB662500
LC66E2516 （片上EPROM微控制器）
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理
适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司经营业务总部
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
O1698RM （ OT ）第5997-1 / 17
LC662508A ， 662512A ， 662516A
包装尺寸
单位：mm
3071-DIP64S
[LC662508A,12A,16A]
单位：mm
3159-QFP64E
[LC662508A,12A,16A]
三洋： DIP64S
三洋： QFP64E
组织系列
型号
LC66304A/306A/308A
LC66404A/406A/408A
LC66506B/508B/512B/516B
LC66354A/356A/358A
LC66354S/356S/358S
LC66556A/558A/562A/566A
LC66354B/356B/358B
LC66556B/558B/562B/566B
LC66354C/356C/358C
LC662104A/06A/08A
LC662304A/06A/08A/12A/16A
LC662508A/12A/16A
LC665304A/06A/08A/12A/16A
LC66E308
LC66P308
LC66E408
LC66P408
LC66E516
LC66P516
LC66E2108
LC66E2316
LC66E2516
LC66E5316
LC66P2108
LC66P2316
LC66P2516
LC66P5316
数
引脚
42
42
64
42
42
64
42
64
42
30
42
64
48
42
42
42
42
64
64
30
42
64
52/48
30
42
64
48
ROM容量
4 K / 6 K / 8 KB
4 K / 6 K / 8 KB
6 K / 8 K / 12 K / 16 KB
4 K / 6 K / 8 KB
4 K / 6 K / 8 KB
6 K / 8 K / 12 K / 16 KB
4 K / 6 K / 8 KB
6 K / 8 K / 12 K / 16 KB
4 K / 6 K / 8 KB
4 K / 6 K / 8 KB
内存
容量
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
384 W
DIP64S
DIP42S
DIP64S
DIP42S
DIP30SD
DIP42S
DIP64S
DIP48S
DIC42S
与窗口
DIP42S
DIC42S
与窗口
DIP42S
DIC64S
与窗口
DIP64S
DIP42S
DIP42S
DIP64S
DIP42S
包
QFP48E
QFP48E
QFP64A
QFP48E
QFP44M
QFP64E
QFP48E
QFP64E
QFP48E
MFP30S
QFP48E
QFP64E
QFP48E
QFC48
与窗口
QFP48E
QFC48
与窗口
QFP48E
QFC64
与窗口
QFP64E
窗口和OTP评估版
4.5 5.5 V / μs的0.92
双振荡器支持
3.0 5.5 V / μs的0.95
片上的DTMF产生器版本
3.0 5.5 V / μs的0.95
低电压版本
2.2 5.5 V / μs的3.92
低电压高速版本
3.0 5.5 V / μs的0.92
2.5 5.5 V / μs的0.92
普通版本
4.0到6.0伏/ 0.92微秒
特点
4 K / 6 K / 8 K / 12 K / 16 KB 512 W
8 K / 12 K / 16 KB
512 W
4 K / 6 K / 8 K / 12 K / 16 KB 512 W
EPROM 8 KB
OTPROM 8 KB
EPROM 8 KB
OTPROM 8 KB
EPROM 16 KB
OTPROM 16 KB
EPROM 8 KB
EPROM 16 KB
EPROM 16 KB
EPROM 16 KB
OTPROM 8 KB
OTPROM 16 KB
OTPROM 16 KB
OTPROM 16 KB
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
384 W
512 W
512 W
512 W
384 W
512 W
512 W
512 W
DIC42S
与窗口
DIC64S
与窗口
DIC52S
与窗口
DIP30SD
DIP42S
DIP64S
DIP48S
QFC48
与窗口
QFC64
与窗口
QFC48
与窗口
MFP30S
QFP48E
QFP64E
QFP48E
窗口评估版
4.5 5.5 V / μs的0.92
OTP
4.0 5.5 V / μs的0.95
第5997-2 / 17
LC662508A ， 662512A ， 662516A
引脚分配
DIP64S
QFP64E
顶视图
我们建议使用回流焊接技术，焊接安装QFP封装。
请您三洋为代表的工艺条件详情，请咨询如果包本身是要直接
沉浸在浸焊浴（浸焊技术） 。
第5997-3 / 17
LC662508A ， 662512A ， 662516A
系统框图
当DT ，ML和DP时，仅将SIO信道可以用于串行I / O 。
在INT3 ， INT4和INT5引脚可用于内部功能。
在LC665XX系列和LC6625XX系列之间的区别
项
制度的差异
对硬件的等待时间（数
个周期）时，保持模式被清除
LC6650XB系列
（包括LC66599芯片评价）
65536次
约64毫秒，4兆赫（ TCYC = 1微秒）
LC6655XB系列
16384次
约16毫秒，4兆赫（ TCYC = 1微秒）
LC6625XX系列
16384次
约16毫秒，4兆赫（ TCYC = 1微秒）
定时器0复位后的价值
（包括后锁定模式设置为FF0的价值。
被清零）
- 双音多频发电机
逆变器阵列
三值输入/比较器
输入
从P31输出三态
和P32
使用P0清除HALT模式
外部扩展中断
无（工具与处理
外部设备）。
无（工具与处理
外部设备）。
是的
无
在4位的组
对于INT3 ， INT4和INT5 。
（工具与外部处理
设备）。
共享与P90 （ INT2 ）
（工具与外部处理
设备）。
LC66506B / 08B / 12B / 16B
4.0 6.0 V / 0.92 10微秒
LC66E516 / P516
4.5 5.5 V / 0.92 10微秒
P0，P1， P4和P5 ：约310千欧
P2，P3， P6 ，P7和PA ：
15V处理
其他：正常电压
设置为FFC 。
设置为FFC 。
无
无
是的
无
在4位的组
对于INT3 ， INT4和INT5 。
是的
是的
无
是的
可以为每个位指定。
INT3 ， INT4和INT5可以使用
同的内部功能。
INT2功能
共享与P90 （ INT2 ）
3.0至5.5 V / 0.92 10微秒
LC6655XA ， 56XA
2.2 5.5 V / 3.92 10微秒
3.0 5.5 V / 1.96 10微秒
P0，P1， P4和P5 ：约310千欧
P2，P3， P6 ，P7和PA ：
15V处理
其他：正常电压
共享与P53 （ INT2 ）
在主要特性的差异
工作电源电压
和操作速度（循环时间）
上拉电阻
3.0 5.5 V / 0.95 10微秒
P0，P1， P4和P5 ：约100千欧
P2，P3， P61 ， P63 ，和PA ：
15V电压处理
其他：正常电压
端口电压处理
第5997-4 / 17
LC662508A ， 662512A ， 662516A
引脚功能概述
针
I / O
概观
输出驱动器类型
选项
经过待机模式状态
RESET
手术
保持模式：
输出关闭
高或低
（可选）
HALT模式：
产量
保留
保持模式：
输出关闭
高或低
（可选）
HALT模式：
产量
保留
P00
P01
P02
P03
I / O
I / O端口P00到P03
输入或输出的4位或1位
P00到P03支持HALT模式
控制功能（该功能可
以位为单位指定。 ）
P沟道：上拉MOS型
N沟道：中级灌电流
TYPE
拉MOS或
N沟道OD输出
输出电平上
RESET
P10
P11
P12
P13
I / O
I / O端口P10到P13
输入或输出的4位或1位
P沟道：上拉MOS型
N沟道：中级灌电流
TYPE
拉MOS或
N沟道OD输出
输出电平上
RESET
P20/SI0
P21/SO0
P22/SCK0
P23/INT0
I / O
I / O端口P20至P23
输入或输出的4位或1位
P20也用作串行输入SI0
引脚。
P21也用作串行输出
SO0引脚。
P22也用作串行时钟
SCK0引脚。
P23也用作INT0中断
请求引脚，并且也作为定时器0
事件计数，脉冲宽度
测量输入。
I / O端口P30到P32
输入或输出的3位或1位
P30也用作INT1中断
请求。
P31也被用于该方波
从定时器0的输出。
P32也被用于该方波
和定时器1的PWM输出。
P31和P32还支持三态
输出。
P沟道： CMOS类型
N沟道：中级灌电流
TYPE
N沟道： + 15V操作时OD
所选的选项
保持模式：
输出关闭
CMOS或N沟道OD
产量
H
HALT模式：
产量
保留
P30/INT1
P31/POUT0
P32/POUT1
I / O
P沟道： CMOS类型
N沟道：中级灌电流
TYPE
N沟道： + 15V操作时OD
所选的选项
保持模式：
输出关闭
CMOS或N沟道OD
产量
H
HALT模式：
产量
保留
P33/HOLD
I
保持模式控制输入
保持模式是成立的HOLD
指令时， HOLD低。
在保持模式下，CPU被重新启动
设置HOLD到高电平。
此引脚可用作输入端口P33
随着P30到P32 。
当P33 / HOLD引脚为低
水平，则CPU将不被重置
低水平RES引脚。因此，
应用程序必须不设置P33 / HOLD
当电源低是首次应用。
P40/INV0I
P41/INV0O
P42/INV1I
P43/INV1O
I / O
I / O端口P40到P43
输入或输出的4位或1位
当使用的输入或输出的8位
在P50至P53结合。
可用于8位ROM输出
结合使用时，数据
P50到P53 。
专用逆变器电路（选项）
P沟道：上拉MOS型
CMOS型时的逆变器
选择电路的选择
N沟道：中级灌电流
TYPE
拉MOS或
N沟道OD输出
输出电平上
RESET
逆变器电路
高或低
或逆变器
I / O （可选）
保持模式：
端口输出
断，逆变器
输出关闭
HALT模式：
端口输出
保留，
逆变器
产量
继续
接下页。
第5997-5 / 17
CMOS LSI
5483号
LC662304A ， 662306A ， 662308A ， 662312A ， 662316A
四位单片微控制器
带4，6， 8，12，和16 KB的内置ROM
初步
概观
该LC662304A ， LC662306A ， LC662308A ， LC662312A ，
和LC662316A 4位CMOS微控制器
所有在一个所要求的功能集成在单个芯片上
专用电话控制器，包括ROM ，
的RAM ， I / O端口，一个串行接口，一个DTMF发生器，
定时器和中断功能。这些微控制器
可在一个42引脚封装。
包装尺寸
单位：mm
3025B-DIP42S
[LC662304A/662306A/662308A/662312A/662316A]
42
22
15.24
特性和功能
片上ROM的4 ， 6，8 ， 12 ，和16千字节的能力，
和512的片上RAM容量
×
4比特。
完全支持LC66000系列常见的指令
设置（ 128条指令） 。
I / O端口： 36针
- 双音多频发电机
该微控制器集成了一个电路，可
产生两个正弦波输出，双音多频输出，或者一个
旋律输出的软件应用程序。
8位串行接口：1个电路
指令周期时间： 0.95至10微秒（在3.0 5.5 V ）
强大的定时器功能和预分频器
- 时间限制定时器，计数器，脉宽
测量，并使用一个12位的方波输出
定时器。
- 时间限制定时器，计数器， PWM输出，并
方波输出用一个8位的定时器。
- 使用12位的预分频器时基功能。
强大的中断系统与10的中断因素和7
中断向量的位置。
- 外部中断： 3因素/ 3的向量单元
- 内部中断： 4因素/ 4的向量单元
（波形输出内部中断： 3因素1
向量;与外部扩展中断共享）
灵活的I / O功能
可选方案包括20 -mA驱动输出，逆变器
电路，上拉和漏极开路电路。
可选的失控检测功能（看门狗定时器）
8位I / O功能
停止使用并持有模式省电功能。
封装： DIP42S ， QIP48E （ QFP48E ）
评估的LSI ： LC66599 （评估芯片） +
EVA800/850-TB662YXX2
LC66E2316 （片上EPROM微控制器）
1
37.9
4.25
13.8
21
0.95
0.48
1.78
0.51
民
1.15
三洋： DIP42S
单位：mm
3156-QFP48E
[LC662304A/662306A/662308A/662312A/662316A]
17.2
1.5
36
1.5
37
1.0
14.0
1.6
1.5
25
24
0.15
17.2
14.0
1.6
1.5
1.0
48
1
0.35
13
12
0.1
2.70
（ STAND OFF ）
3.0max
0.8
15.6
三洋： QFP48E
三洋电机有限公司。半导体公司经营业务总部
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京，日本110
22897HA （ OT ）第5483-1 / 25
3.8
5.1
最大
0.25
LC662304A ， 662306A ， 662308A ， 662312A ， 662316A
组织系列
型号
LC66304A/306A/308A
LC66404A/406A/408A
LC66506B/508B/512B/516B
LC66354A/356A/358A
LC66354S/356S/358S
LC66556A/558A/562A/566A
LC66354B/356B/358B
LC66556B/558B/562B/566B
LC66354C/356C/358C
LC662104A/06A/08A
LC662304A/06A/08A/12A/16A
LC662508A/12A/16A
LC665304A/06A/08A/12A/16A
LC66E308
LC66P308
LC66E408
LC66P408
LC66E516
LC66P516
LC66E2108*
LC66E2316
LC66E2516
LC66E5316
LC66P2108*
LC66P2316*
LC66P2516
LC66P5316
注意：
*
正在开发中
数
引脚
42
42
64
42
42
64
42
64
42
30
42
64
48
42
42
42
42
64
64
30
42
64
52/48
30
42
64
48
ROM容量
4 K / 6 K / 8 KB
4 K / 6 K / 8 KB
6 K / 8 K / 12 K / 16 KB
4 K / 6 K / 8 KB
4 K / 6 K / 8 KB
6 K / 8 K / 12 K / 16 KB
4 K / 6 K / 8 KB
6 K / 8 K / 12 K / 16 KB
4 K / 6 K / 8 KB
4 K / 6 K / 8 KB
内存
容量
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
384 W
DIP64S
DIP42S
DIP64S
DIP42S
DIP30SD
DIP42S
DIP64S
DIP48S
DIC42S
与窗口
DIP42S
DIC42S
与窗口
DIP42S
DIC64S
与窗口
DIP64S
DIP42S
DIP42S
DIP64S
DIP42S
包
QFP48E
QFP48E
QFP64A
QFP48E
QFP44M
QFP64E
QFP48E
QFP64E
QFP48E
MFP30S
QFP48E
QFP64E
QFP48E
QFC48
与窗口
QFP48E
QFC48
与窗口
QFP48E
QFC64
与窗口
QFP64E
窗口和OTP评估版
4.5 5.5 V / μs的0.92
双振荡器支持
3.0 5.5 V / μs的0.95
片上的DTMF产生器版本
3.0 5.5 V / μs的0.95
低电压版本
2.2 5.5 V / μs的3.92
低电压高速版本
3.0 5.5 V / μs的0.92
2.5 5.5 V / μs的0.92
普通版本
4.0到6.0伏/ 0.92微秒
特点
4 K / 6 K / 8 K / 12 K / 16 KB 512 W
8 K / 12 K / 16 KB
512 W
4 K / 6 K / 8 K / 12 K / 16 KB 512 W
EPROM 8 KB
OTPROM 8 KB
EPROM 8 KB
OTPROM 8 KB
EPROM 16 KB
OTPROM 16 KB
EPROM 8 KB
EPROM 16 KB
EPROM 16 KB
EPROM 16 KB
OTPROM 8 KB
OTPROM 16 KB
OTPROM 16 KB
OTPROM 16 KB
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
384 W
512 W
512 W
512 W
384 W
512 W
512 W
512 W
DIC42S
与窗口
DIC64S
与窗口
DIC52S
与窗口
DIP30SD
DIP42S
DIP64S
DIP48S
QFC48
与窗口
QFC64
与窗口
QFC48
与窗口
MFP30S
QFP48E
QFP64E
QFP48E
窗口评估版
4.5 5.5 V / μs的0.92
OTP
4.0 5.5 V / μs的0.95
第5483-2 / 25
LC662304A ， 662306A ， 662308A ， 662312A ， 662316A
引脚分配
DIP42S
P20/SI0
P21/SO0
P22/SCK0
P23/INT0
P30/INT1
P31/POUT0
P32/POUT1
VSS
OSC1
OSC2
VDD
水库
PE0
PE1
TEST
P33/HOLD
P40/INV01
P41/INV00
P42/INV11
P43/INV10
P50
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
P13
P12
P11
P10
P03
P02
P01
P00
PD3/INV30
PD2/INV31
PD1/INV20
PD0/INV21
PC3
PC2
P63/PIN1
P62/DT
P61
P60/ML
P53/INT2
P52
P51
LC662304A
2306A
2308A
2312A
2316A
QFP48E
P03
P10
P11
P12
P13
NC
NC
P20/SI0
P21/SO0
P22/SCK0
P23/INT0
P30/INT1
36 35 34 33 32 31 30 29 28 27 26 25
37
24
38
23
39
22
40
21
LC662304A
41
20
2306A
42
19
2308A
43
18
2312A
44
17
2316A
45
16
46
15
47
14
48
13
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
P31/POUT0
P32/POUT1
VSS
OSC1
OSC2
NC
VDD
水库
PE0
PE1
TEST
P33/HOLD
P02
P01
P00
PD3/INV3O
PD2/INV3I
PD1/INV2O
NC
PD0/INV2I
PC3
PC2
P63/PIN
P62/DT
P61
P60/ML
P53/INT2
P52
P51
NC
NC
P50
P43/INV1O
P42/INV1I
P41/INV0O
P40/INV0I
顶视图
我们建议使用回流焊接技术，焊接安装QFP封装。
请您三洋为代表的工艺条件详情，请咨询如果包本身是要直接
沉浸在浸焊浴（浸焊技术） 。
第5483-3 / 25
LC662304A ， 662306A ， 662308A ， 662312A ， 662316A
系统框图
RAM堆栈
(512W)
系统
控制
旗
ê DD DD
SP M·P P P P
HL XY
C
Z
只读存储器
4K/6K/8K/12K/16KB
水库
TEST
OSC1
OSC2
HOLD
E
A
ALU
PC
ML
DT
DTMF
将军
预分频器
MPX
TIMER0
串行I / O 0
POUT0
SI0
SO0
SCK0
INT0
INT1 ， INT2
PE
PD
PC
MPX
打断
控制
MPX
TIMER1
PIN1 ， Pout1成为
INV
x
O
INV
x
I
（ x = 0到3）
P0
P1
P2
P3
P4
P5
P6
在LC663XX系列和LC6623XX系列之间的区别
项
制度的差异
对硬件的等待时间（数
个周期）时，保持模式被清除
LC6630X系列
（包括LC66599芯片评价）
65536次
约64毫秒，4兆赫（ TCYC = 1微秒）
LC6635XB系列
16384次
约16毫秒，4兆赫（ TCYC = 1微秒）
LC6623XX系列
16384次
约16毫秒，4兆赫（ TCYC = 1微秒）
定时器0复位后的价值
（包括后锁定模式设置为FF0的价值。
被清零）
- 双音多频发电机
逆变器阵列
SIO1
三值输入/比较器
输入
从P31输出三态
和P32
使用P0清除HALT模式
外部扩展中断
无（工具与处理
外部设备）。
无（工具与处理
外部设备）。
是的
是的
无
在4位的组
无对INT3 ， INT4和INT5 。
（工具与外部处理
设备）。
共享与INT2
（工具与外部处理
设备）。
LC66304A / 306A / 308A
4.0 6.0 V / 0.92吨10微秒
LC66E308 / P308
4.5 5.5 V / 0.92 10微秒
P0，P1， P4和P5 ：约310千欧
P2至P6和PC ： 15 -V处理
P0 ， P1 ， PD ， PE ：正常电压
处理
设置为FFC 。
设置为FFC 。
无
无
是的
是的
无
在4位的组
无对INT3 ， INT4和INT5 。
是的
是的
无
无
是的
可以为每个位指定。
INT3 ， INT4和INT5可以使用
同的内部功能。
其他P53功能
共享与INT2
3.0至5.5 V / 0.92 10微秒
LC6635XA
2.2 5.5 V / 3.92 10微秒
3.0 5.5 V / 1.96 10微秒
P0，P1， P4和P5 ：约310千欧
P2至P6和PC ： 15 -V处理
P0 ， P1 ， PD ， PE ：正常电压
处理
共享与INT2
在主要特性的差异
工作电源电压
和操作速度（循环时间）
上拉电阻
端口电压处理
3.0 5.5 V / 0.95 10微秒
P0，P1， P4和P5 ：约100千欧
P2，P3， P61 ，和P63 ： 12 -V的电压
处理其他：正常电压
处理
第5483-4 / 25
LC662304A ， 662306A ， 662308A ， 662312A ， 662316A
引脚功能概述
针
I / O
概观
输出驱动器类型
选项
经过待机模式状态
RESET
手术
保持模式：
输出关闭
高或低
（可选）
HALT模式：
产量
保留
保持模式：
输出关闭
高或低
（可选）
HALT模式：
产量
保留
P00
P01
P02
P03
I / O
I / O端口P00到P03
输入或输出的4位或1位
P00到P03支持HALT模式
控制功能（该功能可
以位为单位指定。 ）
P沟道：上拉MOS型
N沟道：中级灌电流
TYPE
拉MOS或
N沟道OD输出
输出电平上
RESET
P10
P11
P12
P13
I / O
I / O端口P10到P13
输入或输出的4位或1位
P沟道：上拉MOS型
N沟道：中级灌电流
TYPE
拉MOS或
N沟道OD输出
输出电平上
RESET
P20/SI0
P21/SO0
P22/SCK0
P23/INT0
I / O
I / O端口P20至P23
输入或输出的4位或1位
P20也用作串行输入SI0
引脚。
P21也用作串行输出
SO0引脚。
P22也用作串行时钟
SCK0引脚。
P23也用作INT0中断
请求引脚，并且也作为定时器0
事件计数，脉冲宽度
测量输入。
I / O端口P30到P32
输入或输出的3位或1位
P30也用作INT1中断
请求。
P31也被用于该方波
从定时器0的输出。
P32也被用于该方波
和定时器1的PWM输出。
P31和P32还支持三态
输出。
P沟道： CMOS类型
N沟道：中级灌电流
TYPE
N沟道： + 12 V时的处理
选择OD选项
保持模式：
输出关闭
CMOS或N沟道OD
产量
H
HALT模式：
产量
保留
P30/INT1
P31/POUT0
P32/POUT1
I / O
P沟道： CMOS类型
N沟道：中级灌电流
TYPE
N沟道： + 12 V时的处理
选择OD选项
保持模式：
输出关闭
CMOS或N沟道OD
产量
H
HALT模式：
产量
保留
P33/HOLD
I
保持模式控制输入
保持模式是成立的HOLD
指令时， HOLD低。
在保持模式下，CPU被重新启动
设置HOLD到高电平。
此引脚可用作输入端口P33
随着P30到P32 。
当P33 / HOLD引脚为低
水平，则CPU将不被重置
低水平RES引脚。因此，
应用程序必须不设置P33 / HOLD
当电源低是首次应用。
P40/INV0I
P41/INV0O
P42/INV1I
P43/INV1O
I / O
I / O端口P40到P43
输入或输出的4位或1位
当使用的输入或输出的8位
在P50至P53结合。
可用于8位ROM输出
结合使用时，数据
P50到P53 。
专用逆变器电路（选项）
P沟道：上拉MOS型
CMOS型时的逆变器
选择电路的选择
N沟道：中级灌电流
TYPE
拉MOS或
N沟道OD输出
输出电平上
RESET
逆变器电路
高或低
或逆变器
I / O （可选）
保持模式：
端口输出
断，逆变器
输出关闭
HALT模式：
端口输出
保留，
逆变器
产量
继续
接下页。
第5483-5 / 25
订购数量： EN5996
CMOS IC
LC662104A ， 662106A ， 662108A
四位单片微控制器
有4个，6个和8 KB的片上ROM
概观
该LC662104A ， LC662106A和LC662108A分别为4位
的CMOS微控制器集成在单个芯片上的所有
在一个专用电话所要求的功能
控制器，包括ROM，RAM， I / O端口，一个串行
接口，一个DTMF发生器，定时器和中断
功能。这些微控制器是一个30引脚可用
封装。
特性和功能
片上ROM的容量4 ， 6 ， 8千字节，以及
384片上RAM容量
×
4比特。
完全支持LC66000系列常见的指令
设置（ 128条指令） 。 （专用指令
为TM1和SI / 02将被禁用。 ）
I / O端口： 24针
- 双音多频发电机
该微控制器集成了一个电路，可
产生两个正弦波输出，双音多频输出。
8位串行接口：1个电路
指令周期时间： 0.95至10微秒（在3.0 5.5 V ）
强大的定时器功能和预分频器
- 时间限制定时器，计数器，脉宽
测量，并使用一个12位的方波输出
定时器。
- 使用12位的预分频器时基功能。
强大的中断系统有6个中断源和6
中断向量的位置。
- 外部中断： 3因素/ 3的向量单元
- 内部中断： 3因素/ 3的向量单元
灵活的I / O功能
可选方案包括20 -mA驱动输出，上拉
和漏极开路电路。
可选的失控检测功能（看门狗定时器）
8位I / O功能
停止使用并持有模式省电功能。
封装： DIP30SD ， MFP30S
评估集成电路： LC665099 （评估芯片） + EVA86K
- ECB662500
LC66E2108 （片上EPROM微控制器）
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理
适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司经营业务总部
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
101698RM （ OT ）第5966-1 / 13
LC662104A ， 662106A ， 662108A
包装尺寸
单位：mm
3196-DIP30SD
[LC662104A]
单位：mm
3216-MFP30S
[LC662106A]
三洋： DIP30SD
三洋： MFP30S
型号
LC66304A/306A/308A
LC66404A/406A/408A
LC66506B/508B/512B/516B
LC66354A/356A/358A
LC66354S/356S/358S
LC66556A/558A/562A/566A
LC66354B/356B/358B
LC66556B/558B/562B/566B
LC66354C/356C/358C
LC662104A/06A/08A
LC662304A/06A/08A/12A/16A
LC662508A/12A/16A
LC665304A/06A/08A/12A/16A
LC66E308
LC66P308
LC66E408
LC66P408
LC66E516
LC66P516
LC66E2108
LC66E2316
LC66E2516
LC66E5316
LC66P2108
LC66P2316
LC66P2516
LC66P5316
数
引脚
42
42
64
42
42
64
42
64
42
30
42
64
48
42
42
42
42
64
64
30
42
64
52/48
30
42
64
48
ROM容量
4 K / 6 K / 8 KB
4 K / 6 K / 8 KB
6 K / 8 K / 12 K / 16 KB
4 K / 6 K / 8 KB
4 K / 6 K / 8 KB
6 K / 8 K / 12 K / 16 KB
4 K / 6 K / 8 KB
6 K / 8 K / 12 K / 16 KB
4 K / 6 K / 8 KB
4 K / 6 K / 8 KB
内存
容量
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
384 W
DIP64S
DIP42S
DIP64S
DIP42S
DIP30SD
DIP42S
DIP64S
DIP48S
DIP42S
DIP42S
DIP64S
DIP42S
包
QFP48E
QFP48E
QFP64A
QFP48E
QFP44M
QFP64E
QFP48E
QFP64E
QFP48E
MFP30S
QFP48E
QFP64E
QFP48E
QFC48
与窗口
QFP48E
QFC48
与窗口
QFP48E
QFC64
与窗口
QFP64E
特点
普通版本
4.0到6.0伏/ 0.92微秒
低电压版本
2.2 5.5 V / μs的3.92
低电压高速版本
3.0 5.5 V / μs的0.92
2.5 5.5 V / μs的0.92
片上的DTMF产生器版本
3.0 5.5 V / μs的0.95
双振荡器支持
3.0 5.5 V / μs的0.95
4 K / 6 K / 8 K / 12 K / 16 KB 512 W
8 K / 12 K / 16 KB
512 W
4 K / 6 K / 8 K / 12 K / 16 KB 512 W
EPROM 8 KB
OTPROM 8 KB
EPROM 8 KB
OTPROM 8 KB
EPROM 16 KB
OTPROM 16 KB
EPROM 8 KB
EPROM 16 KB
EPROM 16 KB
EPROM 16 KB
OTPROM 8 KB
OTPROM 16 KB
OTPROM 16 KB
OTPROM 16 KB
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
384 W
512 W
512 W
512 W
384 W
512 W
512 W
512 W
DIC42S
与窗口
DIP42S
DIC42S
与窗口
DIP42S
DIC64S
与窗口
DIP64S
窗口和OTP评估版
4.5 5.5 V / μs的0.92
DIC42S
与窗口
DIC64S
与窗口
DIC52S
与窗口
DIP30SD
DIP42S
DIP64S
DIP48S
QFC48
与窗口
QFC64
与窗口
QFC48
与窗口
MFP30S
QFP48E
QFP64E
QFP48E
窗口评估版
4.5 5.5 V / μs的0.95
OTP
4.0 5.5 V / μs的0.95
第5996-2 / 13
LC662104A ， 662106A ， 662108A
我们建议使用回流焊接技术，焊接安装MFP包。
请您三洋为代表的工艺条件详情，请咨询如果包本身是要直接
沉浸在浸焊浴（浸焊技术） 。
第5996-3 / 13
LC662104A ， 662106A ， 662108A
系统框图
在LC663XX系列和LC6621XX系列之间的区别
项
制度的差异
对硬件的等待时间（数
个周期）时，保持模式被清除
LC6630X系列
（包括LC66599芯片评价）
65536次
约64毫秒，4兆赫（ TCYC = 1微秒）
LC6635XB系列
16384次
约16毫秒，4兆赫（ TCYC = 1微秒）
LC6621XX系列
16384次
约16毫秒，4兆赫（ TCYC = 1微秒）
定时器0复位后的价值
（包括后锁定模式设置为FF0的价值。
被清零）
- 双音多频发电机
逆变器阵列
SIO1
三值输入/比较器
输入
从P31输出三态
和P32
使用P0清除HALT模式
外部扩展中断
无（工具与处理
外部设备）。
无（工具与处理
外部设备）。
是的
是的
无
在4位的组
无对INT3 ， INT4和INT5 。
（工具与外部处理
设备）。
共享与INT2
（工具与外部处理
设备）。
LC66304A / 306A / 308A
4.0 6.0 V / 0.92 10微秒
LC66E308 / P308
4.5 5.5 V / 0.92 10微秒
P0，P1， P4和P5 ：约310千欧
P2至P6和PC ： 15V处理
P0 ， P1 ， PD ， PE ：正常电压
处理
设置为FFC 。
设置为FFC 。
无
无
是的
是的
无
在4位的组
无对INT3 ， INT4和INT5 。
是的
无
无
无
是的
可以为每个位指定。
INT3 ， INT4和INT5可以使用
同的内部功能。
其他P53功能
共享与INT2
3.0至5.5 V / 0.92 10微秒
LC6635XA
2.2 5.5 V / 3.92 10微秒
3.0 5.5 V / 1.96 10微秒
共享与INT2
在主要特性的差异
工作电源电压
和操作速度（循环时间）
上拉电阻
端口电压处理
3.0 5.5 V / 0.95 10微秒
P0，P1， P4和P5 ：约310千欧P0，P1， P4和P5 ：约100千欧
P2至P6和PC ： 15V处理
P0 ， P1 ， PD ， PE ：正常电压
处理
P2到P4 ， P51 ， P53和： 15V电压
处理其他：正常电压
处理
第5996-4 / 13
LC662104A ， 662106A ， 662108A
引脚功能概述
针
I / O
概观
输出驱动器类型
选项
之后的状态
RESET
P00
P01
P02
P03
I / O
I / O端口P00到P03
输入或输出的4位或1位
P00到P03支持HALT模式
控制功能（该功能可
以位为单位指定。 ）
P沟道：上拉MOS型
N沟道：中级灌电流
TYPE
拉MOS和N沟道
OD输出
上电复位输出电平
高或低（选项）
P10
P11
P12
P13
I / O
I / O端口P10到P13
输入或输出的4位或1位
P沟道：上拉MOS型
N沟道：中级灌电流
TYPE
拉MOS和N沟道
OD输出
上电复位输出电平
高或低（选项）
P20/SI0
P21/SO0
P22/SCK0
P23/INT0
I / O
I / O端口P20至P23
输入或输出的4位或1位
P20也用作串行输入SI0
引脚。
P21也用作串行输出
SO0引脚。
P22也用作串行时钟
SCK0引脚。
P23也用作INT0中断
请求引脚，并且也作为定时器0
事件计数，脉冲宽度
测量输入。
P沟道： CMOS类型
N沟道：中级灌电流
TYPE
N沟道： + 15V操作时OD
所选的选项
CMOS或N沟道OD
产量
H
P30/INT1
P31/POUT0
P32
I / O
I / O端口P30到P32
输入或输出的3位或1位
P30也用作INT1中断
请求。
P31也被用于该方波
从定时器0的输出。
P31和P32还支持三态
输出。
P沟道： CMOS类型
N沟道：中级灌电流
TYPE
N沟道： + 15V操作时OD
所选的选项
CMOS或N沟道OD
产量
H
P33/HOLD
I
保持模式控制输入
保持模式是成立的HOLD
指令时， HOLD低。
在保持模式下，CPU被重新启动
设置HOLD到高电平。
此引脚可用作输入端口P33
随着P30到P32 。
当P33 / HOLD引脚为低
水平，则CPU将不被重置
低水平RES引脚。因此，
应用程序必须不设置P33 / HOLD
当电源低是首次应用。
P40
P41
P42
P43
I / O
I / O端口P40到P43
输入或输出的4位或1位
当使用的输入或输出的8位
在P50至P53结合。
可用于8位ROM输出
结合使用时，数据
P50到P53 。
P沟道：上拉MOS型
N沟道：中级灌电流
TYPE
N沟道： + 15V handkling时
选择OD选项
拉MOS和N沟道
OD输出
上电复位输出电平
高或低（选项）
接下页。
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