CMOS LSI
5484号
LC66354C ， 66356C ， 66358C
四位单片微控制器
有4个，6个和8 KB的片上ROM
初步
概观
该LC66354C ， LC66356C和LC66358C分别为4位
的CMOS微控制器集成在单个芯片上的所有
在一个系统控制器所需的功能，包括
ROM，RAM， I / O端口，一个串行接口，比较器
输入，三输入端的值，定时器和中断功能。
这三种微控制器是一个42引脚可用
封装。
这些产品从早期的LC66358A系列不同
和LC66358B系列中的电源电压范围内，
的操作速度，和其他要点。
评估的LSI
- LC66599 （评估芯片） + EVA85 / 800 TB6630X
- LC66E308 （片上EPROM微控制器）
一起使用。
包装尺寸
单位：mm
3025B-DIP42S
[LC66354C/66356C/66358C]
42
22
特性和功能
15.24
片上ROM的容量4 ， 6 ， 8千字节，以及
512片上RAM容量
×
4比特。
完全支持LC66000系列常见的指令
设置（ 128条指令） 。
I / O端口： 36针
8位串行接口：两个电路（可连接
级联，以形成一个16位的接口）的
指令周期时间： 0.92至10微秒（在2.5 5.5 V ）
- 对于较早LC66358A系列： 1.96 10微秒（在
3.0 5.5 V）和3.92至10微秒（在2.2 5.5 V ）
- 对于较早LC66358B系列： 0.92 10微秒（在
3.0至5.5V）
强大的定时器功能和预分频器
- 时间限制定时器，计数器，脉宽
测量，并使用一个12位的方波输出
定时器。
- 时间限制定时器，计数器， PWM输出，并
方波输出用一个8位的定时器。
- 使用12位的预分频器时基功能。
强大的中断系统有8个中断源和8
中断向量的位置。
- 外部中断： 3因素/ 3的向量单元
- 内部中断： 5个因素/ 5向量地址
灵活的I / O功能
比较器输入，三值输入， 20 -mA驱动
输出， 15V的高电压管脚，和上拉/漏极开路
选项。
可选的失控检测功能（看门狗定时器）
8位I / O功能
停止使用并持有模式省电功能。
封装： DIP42S ， QIP48E （ QFP48E ）
13.8
1
37.9
21
4.25
0.95
0.48
1.78
0.51
民
1.15
三洋： DIP42S
单位：mm
3156-QFP48E
[LC66354C/66356C/66358C]
17.2
1.5
36
1.5
37
1.0
14.0
1.6
1.5
25
24
0.15
17.2
14.0
1.6
1.5
1.0
48
1
0.35
13
12
0.1
2.70
（ STAND OFF ）
3.0max
0.8
15.6
三洋： QFP48E
三洋电机有限公司。半导体公司经营业务总部
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京，日本110
22897HA （ OT ）第5484-1 / 21
3.8
5.1
最大
0.25
LC66354C ， 66356C ， 66358C
组织系列
型号
LC66304A/306A/308A
LC66404A/406A/408A
LC66506B/508B/512B/516B
LC66354A/356A/358A
LC66354S/356S/358S
LC66556A/558A/562A/566A
LC66354B/356B/358B
LC66556B/558B
LC66562B/566B
LC66354C/356C/358C
LC662304A/2306A/2308A
LC662312A/2316A
LC665304A/665306A/665308A
LC665312A/5316A
LC66E308
LC66P308
LC66E408
LC66P408
LC66E516
LC66P516
LC66E2316
LC66E5316
LC66P2316*
LC66P5316
注意：
*
正在开发中
数
引脚
42
42
64
42
42
64
42
64
64
42
42
42
48
48
42
42
42
42
64
64
42
52/48
42
48
ROM容量
4 K / 6 K / 8 KB
4 K / 6 K / 8 KB
6 K / 8 K / 12 K / 16 KB
4 K / 6 K / 8 KB
4 K / 6 K / 8 KB
6 K / 8 K / 12 K / 16 KB
4 K / 6 K / 8 KB
6 K / 8 KB
12 K / 16 KB
4 K / 6 K / 8 KB
4 K / 6 K / 8 KB
12 K / 16 KB
4 K / 6 K / 8 KB
12 K / 16 KB
EPROM 8 KB
OTPROM 8 KB
EPROM 8 KB
OTPROM 8 KB
EPROM 16 KB
OTPROM 16 KB
EPROM 16 KB
EPROM 16 KB
OTPROM 16 KB
OTPROM 16 KB
内存
容量
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
512 W
DIP64S
DIP42S
DIP64S
DIP64S
DIP42S
DIP42S
DIP42S
DIP48S
DIP48S
DIC42S
与窗口
DIP42S
DIC42S
与窗口
DIP42S
DIC64S
与窗口
DIP64S
DIC42S
与窗口
DIC52S
与窗口
DIP42S
DIP48S
DIP42S
DIP42S
DIP64S
DIP42S
包
QFP48E
QFP48E
QFP64A
QFP48E
QFP44M
QFP64E
QFP48E
QFP64E
QFP64E
QFP48E
QFP48E
QFP48E
QFP48E
QFP48E
QFC48
与窗口
QFP48E
QFC48
与窗口
QFP48E
QFC64
与窗口
QFP64E
QFC48
与窗口
QFC48
与窗口
QFP48E
QFP48E
窗口和OTP评估版
4.5 5.5 V / μs的0.92
低电压高速版本
3.0 5.5 V / μs的0.92
2.5 5.5 V / μs的0.92
片上的DTMF产生器版本
3.0 5.5 V / μs的0.95
双振荡器支持
3.0 5.5 V / μs的0.95
低电压版本
2.2 5.5 V / μs的3.92
普通版本
4.0到6.0伏/ 0.92微秒
特点
4.5 5.5 V / μs的0.95
4.0 5.5 V / μs的0.95
第5484-2 / 21
LC66354C ， 66356C ， 66358C
引脚分配
DIP42S
P00
P01
P02
P03
P10
P11
P12
P13
SI0/P20
SO0/P21
SCK0/P22
INT0/P23
INT1/P30
POUT0/P31
POUT1/P32
HOLD/P33
P40
P41
TEST
VSS
OSC1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
PE1/TRB
PE0/TRA
VDD
PD3/CMP3
PD2/CMP2
PD1/CMP1
PD0/CMP0
PC3/VREF1
PC2/VREF0
P63/PIN1
P62/SCK1
P61/SO1
P60/SI1
P53/INT2
P52
P51
P50
P43
P42
水库
OSC2
LC66354C
356C
358C
QFP48E
36 35 34 33 32 31 30 29 28 27 26 25
CMP2/PD2
CMP3/PD3
VDD
TRA/PE0
TRB/PE1
NC
NC
P00
P01
P02
P03
P10
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
P50
P43
P42
水库
OSC2
NC
NC
OSC1
VSS
TEST
P41
P40
P11
P12
P13
S10/P20
S00/P21
NC
SCK0/P22
INT0/P23
INT1/P30
POUT0/P31
POUT1/P32
HOLD/P33
PD1/CMP1
PD0/CMP0
PC3/VREF1
PC2/VREF0
P63/PIN1
P62/SCK1
NC
P61/S01
P60/S11
P53/INT2
P52
P51
LC66354C
356C
358C
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
顶视图
我们建议使用回流焊接技术，焊接安装QFP封装。
请您三洋为代表的工艺条件详情，请咨询如果包本身是要直接
沉浸在浸焊浴（浸焊技术） 。
第5484-3 / 21
LC66354C ， 66356C ， 66358C
系统框图
RAM堆栈
(512W)
系统
控制
旗
ê DD DD
SP M·P P P P
H L YX
C
Z
只读存储器
(4K/6K/8K)
水库
TEST
OSC1
OSC2
HOLD
E
A
ALU
PC
茶
TRB
CMP0
CMP1
CMP2
CMP3
PE
PD
PC
预分频器
MPX
TIMER0
串行I / O 0
POUT0
SI0
SO0
SCK0
INT0
INT1 。 INT2
SI1
SO1
SCK1
PIN1 。 Pout1成为
MPX
打断
控制
MPX
TIMER1
串行I / O 1
P0
P1
P2
P3
P4
P5
P6
在LC66354C ， LC66356C和LC66358C和LC6630X系列之间的区别
项
制度的差异
硬件等待时间（周期数）
在保持模式被清除
定时器0复位后的值
（包括在值后保持模式
清零）
LC6630X系列
（包括LC66599芯片评价）
65536次
约64毫秒，4兆赫（ TCYC = 1微秒）
LC6635XC系列
16384次
约16毫秒，4兆赫（ TCYC = 1微秒）
设置为FF0 。
设置为FFC 。
2.5 5.5 V / 0.92 10微秒
LC6635XA
2.2 5.5 V / 3.92 10微秒
3.0 5.5 V / 1.96 10微秒
LC6635XB
3.0 5.5 V / 0.92 10微秒
差异主要特点
工作电源电压和
运行速度（循环时间）
LC66304A / 306A / 308A
4.0 6.0 V / 0.92 10微秒
LC66E308 / P308
4.5 5.5 V / 0.92 10微秒
注： 1. RC振荡器不能与LC66354C ， LC66356C和LC66358C使用。
2.有其他的差异，包括在输出电流和端口的输入电压的差异。
有关详细信息，请参阅数据表的LC66308A ， LC66E308和LC66P308 。
3.密切关注使用LC66E308和LC66P308进行评估时，这里列出的差异。
第5484-4 / 21
LC66354C ， 66356C ， 66358C
引脚功能概述
针
P00
P01
P02
P03
I / O
概观
I / O端口P00到P03
输入或输出的4位或1位
P00到P03支持暂停模式控制
功能
输出驱动器类型
选项
复位后的状态
I / O
P沟道：上拉MOS型
N沟道：中级灌电流
TYPE
拉MOS和N沟道
OD输出
上电复位输出电平
高或低
（可选）
P10
P11
P12
P13
I / O
I / O端口P10到P13
输入或输出的4位或1位
P沟道：上拉MOS型
N沟道：中级灌电流
TYPE
拉MOS和N沟道
OD输出
上电复位输出电平
高或低
（可选）
P20/SI0
P21/SO0
P22/SCK0
P23/INT0
I / O
I / O端口P20至P23
输入或输出的4位或1位
P20也用作串行输入SI0
引脚。
P21也用作串行输出
SO0引脚。
P22也用作串行时钟
SCK0引脚。
P23也用作INT0中断
请求引脚，并且也作为定时器0
事件计数，脉冲宽度
测量输入。
P沟道： CMOS类型
N沟道：中级灌电流
TYPE
N沟道： + 15 V时的处理OD
所选的选项
CMOS或N沟道OD
产量
H
P30/INT1
P31/POUT0
P32/POUT1
I / O
I / O端口P30到P32
输入或输出的3位或1位
P30也用作INT1中断
请求。
P31也被用于该方波
从定时器0的输出。
P32也被用于该方波
从定时器1输出。
P沟道： CMOS类型
N沟道：中级灌电流
TYPE
N沟道： + 15 V时的处理OD
所选的选项
CMOS或N沟道OD
产量
H
P33/HOLD
I
保持模式控制输入
保持模式是成立的HOLD
指令时， HOLD低。
在保持模式下，CPU被重新启动
设置HOLD到高电平。
此引脚可用作输入端口P33
随着P30到P32 。
当P33 / HOLD引脚为低
电平，则CPU将不会被低复位
在RES引脚的电平。因此，
应用程序必须不设置P33 / HOLD低
当电源第一次应用。
P40
P41
P42
P43
I / O
I / O端口P40到P43
输入或输出的4位或1位
当使用的输入或输出的8位
在P50至P53结合。
可用于8位ROM输出
在P50中一起使用时数据
为P53 。
P沟道：上拉MOS型
N沟道：中级灌电流
TYPE
N沟道： + 15 V时的处理OD
所选的选项
拉MOS和N沟道OD
产量
H
P50
P51
P52
P53/INT2
I / O
I / O端口P50到P53
输入或输出的4位或1位
当使用的输入或输出的8位
与P40到P43相结合。
可用于8位ROM输出
在P40中一起使用时，数据
为P43 。
P53也用作到INT2中断
请求。
P沟道：上拉MOS型
N沟道：中级灌电流
TYPE
N沟道： + 15 V时的处理OD
所选的选项
拉MOS和N沟道OD
产量
H
接下页。
第5484-5 / 21
QQ：2881677436 复制
